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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具備防靜電、防浪涌，ESD靜電和浪涌無處不在，存在于任何的電子產(chǎn)品中，令人防不勝防。
常見的晶體管有二極管、三極管和MOS管，主要的邏輯門電路：與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門等，這篇文章介紹用晶體管搭建常見的邏輯門電路。
在ROS學(xué)習(xí)平臺中常常使用到的直流電機控制原理與驅(qū)動電路
在使用ROS機器人構(gòu)建地圖的過程中，需要在房間內(nèi)自主運行，采集地圖信息。這個過程中需要控制電機的正反轉(zhuǎn)，電機的轉(zhuǎn)速，以適應(yīng)機器人直行，轉(zhuǎn)彎等動作。
在共源放大器和源跟隨器中，輸入信號都是加在MOS管的柵極。我們也可以把輸入信號加在MOS管的源端。共漏級在源端接受輸入，在漏端產(chǎn)生輸出。柵極接一個直流電...
對于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效...
三極管有三個端口，分別是基極(Base)，集電極（collector）和發(fā)射極(Emitter)。
前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家...
根據(jù)上一篇對CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域，以NMOS為例。
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...
2023-04-25 標簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6394 0
爬電距離：輸入電壓50V-250V時，保險絲前L—N≥2.5mm，輸入電壓250V-500V時，保險絲前L—N≥5.0mm；電氣間隙：輸入電壓50V-2...
干貨 | 功率MOS管燒毀，我們幫你總結(jié)出了這些原因
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因，文字比較多點，不容易讀，希望大家可以認真看完。 MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導(dǎo)體...
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當采用buffer 驅(qū)動容性負載或者整個回路中存在較多的RC 延時環(huán)節(jié)，當輸入信號為瞬變信號，容易導(dǎo)致輸出震蕩。接下來我們了解輸出震蕩的原因以及防止震蕩的方法。
輸出功率達27W的PD/QC快充電源芯片U6649，提供SOP-8無鉛封裝。是應(yīng)用于中小功率反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM功率轉(zhuǎn)換器。
2023-04-21 標簽：MOS管功率轉(zhuǎn)換器電源芯片 2105 0
LMR14020是一款40V/2A在工業(yè)領(lǐng)域非常popular的buck芯片，下面是他的推薦電路。
充電樁充電模塊常見結(jié)構(gòu)、原理以及市場調(diào)研
隨著電動汽車的快速發(fā)展，充電樁作為電動汽車產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)越來越受到中央和地方政府的重視，對充電樁電源模塊的要求也越來越高，充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一...
MOS管的米勒效應(yīng)：如何平衡抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI風險的關(guān)系
關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開始整理運放相關(guān)的內(nèi)容。我個人認為今天聊的這個話題至關(guān)重要：抑制米勒...
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