柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面
當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。
2018-03-15 15:46:10
27467 
74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達到輸出翻轉(zhuǎn)時的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入大于這個電壓時，輸出為低電平。反向輸入閾值電壓是輸入低于這個電壓時，輸出為高電平。
2018-10-24 09:30:3616608 
本文基于仿真和實驗方法，開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計研究工作。通過溝槽深度，體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏，獲得了對擊穿電壓，閾值電壓和導(dǎo)通電阻的影響規(guī)律并對機理進行了分析，仿真
2022-10-08 09:48:306530 由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計中把它當(dāng)成一個常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時，此模型不再精確，閾值電壓與L、W和VDS有關(guān)。
2023-02-13 10:35:291269 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
當(dāng)電路工作時，電阻R兩端的電壓會隨著流過的電流的增加而升高，但是由于耗盡型MOSFET的亞閾值特性，其最大電壓值不會超過對應(yīng)電流下的閾值電壓，即V R_MAX =|V TH |。因此在該條件下，上述應(yīng)用可以作為恒流源給IC供電。
2023-11-07 14:39:44470 
本文介紹了MOSFET的物理實現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成，有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu)，以及針對不同驅(qū)動電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細節(jié)，展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關(guān)系。
2023-11-15 09:30:471436 
ARK（方舟微）研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315EL系列等產(chǎn)品。
2023-11-18 16:00:38454 
上一節(jié)我們討論了柵極與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)差，本節(jié)我們討論絕緣層電荷的影響。
2023-11-29 14:21:30630 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計，開發(fā)出了短路耐受時間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
電荷Qrr和布局的影響。因此，要想抑制這種不必要的導(dǎo)通，需要選擇具備低荷比(QGD/QGS1)的適用同步MOSFET Q2。在QGD/QGS1中，QGD代表柵漏米勒電荷，QGS1代表柵極電壓達到閾值之前
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th)：柵極
閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
閾值電壓是為使
MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的
電壓。也就是說，VGS如果是
閾值以上的
電壓，則
MOSFET導(dǎo)通?？赡苡?/div>
2019-05-02 09:41:04
的時間是和米勒平臺開始的時間一致？不應(yīng)該是達到閾值電壓后電流開始上升，一段時間后電流達到最大，此時米勒平臺才開始嗎？第二個問題是米勒平臺結(jié)束后，電流Id才達到最大，不應(yīng)該是米勒平臺形成的時候，電流已經(jīng)穩(wěn)定在最大值了嗎？是不是我的電路原理圖或者元件參數(shù)設(shè)置的有問題才會出現(xiàn)這個情況？
2019-06-04 20:39:14
mosfet沒有上電時，mosfet驅(qū)動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
ADP2386的典型應(yīng)用編程輸入電壓UVLO上升閾值為11 V，下降閾值為10 V，VIN = 12 V，VOUT = 5 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz。 ADP2386
2020-05-05 06:47:14
轉(zhuǎn)換，負載開關(guān)，電機控制，背光，電池保護，電池充電器，音頻電路和汽車。推薦產(chǎn)品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請點擊此處前往特征：低導(dǎo)通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
MOSFET。功率MOSFET的無損保護是LM9061。通過電源設(shè)備的電壓降（VDS）持續(xù)監(jiān)測，并與外部可編程閾值電壓進行比較。小電流感應(yīng)電阻與負載串聯(lián)，導(dǎo)致?lián)p耗保護電路不需要可用能量。如果VDS電壓
2020-07-14 14:53:05
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，作為門極；漂移區(qū)普遍采用N型摻雜的半導(dǎo)體來承受阻斷電壓；門極施加正壓（高于器件閾值電壓）時，器件導(dǎo)通，通態(tài)電流在漂移區(qū)縱向流動。區(qū)別主要在于IGBT在漂移區(qū)背面有P+注入作為集電極
2019-04-22 02:17:17
講解人：魯肅老師（張飛電子學(xué)院高級工程師）我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個電路中，假設(shè)GS電容上有一個閾值電壓，足可以讓
2021-05-07 10:11:03
和 關(guān)斷電壓，我們把這個電壓叫做閾值。同樣的，MOSFET也有閾值電壓。MOSFET導(dǎo)通電壓：4.5V 2V 1V。這個電壓的高低在我們電路中，有多大的作用呢？我們知道了，MOSFET柵源之間是有壓
2021-05-11 17:10:06
，我們也知道，一個MOSFET的Id電流和Rdson是有一個條件的，就說Vgs電壓，達到這個Vgs閾值電壓時，才能滿足這個參數(shù)，所以在用這顆管子時，Vgs電壓至少要高于10V才可以，那么這里可以用12V
2021-08-11 16:34:04
模型并建立篩選機制來消除潛在的失效可能***）。除了TDDB外，當(dāng)正常器件使用時，由于半導(dǎo)體-氧化界面處缺陷的產(chǎn)生或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓會有漂移現(xiàn)象，閾值電壓的漂移可能對器件長期運行
2022-03-29 10:58:06
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
圖。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)特性等有 不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強型功率場效應(yīng)管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
，進而使SCR導(dǎo)通。
實驗中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時SCR可正常導(dǎo)通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
:0] 中的值如何映射到電壓。我假設(shè)設(shè)置 ADC_HTR 中的所有 12 位將等于可能的最高閾值電壓，但我們?nèi)绾沃涝?b class="flag-6" style="color: red">電壓是多少？設(shè)置 ADC_LTR 中的所有位是否意味著低閾值盡可能低？還是清除所有 12 位將其設(shè)置為最小值？
2023-01-13 08:05:01
本文重點介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時管子的閾值電壓會變高，而使得管子變慢，這就與上面的結(jié)論矛盾
2021-06-24 08:01:38
如果想改變反相滯回比較器的閾值電壓應(yīng)改變哪些參數(shù)呢？
2023-03-24 15:31:42
看到的POR比較常見的結(jié)構(gòu)，第一級通常是電壓檢測，比如如下圖結(jié)構(gòu)，當(dāng)左邊由二極管連接的PMOS對電源電壓進行分壓，當(dāng)電源電壓上電到一定值時，V1達到右邊反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓?，F(xiàn)在的問題是，當(dāng)在
2021-06-25 07:26:16
的平方而增加。大多數(shù)MOSFET是N溝道增強型，即通常關(guān)斷，需要大約12V的柵極驅(qū)動，這很容易由標(biāo)準(zhǔn)IC提供。最小閾值電壓介于 1 至 4 V 之間，可提供高達 500 V 的 P 溝道增強型MOSFET
2023-02-20 16:40:52
LM311供電為+-12V，VDD為5V，高低閾值電壓怎么計算呢？
2018-05-30 22:27:26
工程師習(xí)慣性的認為：如果VGS尖峰電壓大于功率MOSFET的閾值電壓VTH，下管就會導(dǎo)通，那么上、下管就會產(chǎn)生直通，也就是所謂的Shoot Through，從而導(dǎo)致開關(guān)管的損壞。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14:57
源極區(qū)，從而降低了擊穿電壓值。如果P-體區(qū)的厚度太大，高摻雜不夠，溝道的電阻和閾值電壓將增大。因此需要仔細的設(shè)計P-體區(qū)、epi摻雜和厚度以優(yōu)化其性能。在MOSFET數(shù)據(jù)表中標(biāo)有測試條件，當(dāng)測試條件
2023-02-20 17:21:32
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數(shù)設(shè)定 還要其他因素嗎？我做的實驗中顯示我的設(shè)定值與實際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設(shè)定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時，通過示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
（即施加到柵極的電壓相對于施加到源極的電壓）達到某個特定值（稱為閾值電壓）以上，MOSFET才會傳導(dǎo)大量電流。您需要確保FET的閾值電壓低于驅(qū)動電路的輸出電壓。像通常的物理現(xiàn)象一樣，MOSFET的導(dǎo)
2019-10-25 09:40:30
1中的t1），源極電壓（VGS）正接近MOSFET的閾值電壓，VTH和漏電流為零。因此，在此期間的功率損耗為零。在t2時段，MOSFET的寄生輸入電容（CISS）開始充電，而漏極電流開始流經(jīng)
2022-11-16 08:00:15
AB類輸出級精度不高可能有下列幾個原因：
·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數(shù)的失配。
·輸出器件與檢測器件間耦合的延
2009-01-18 22:05:361638 
施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用
我們知道，門電路有一個閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時電路的狀
2010-05-27 09:29:323838 
用電阻噪聲確定一個低噪聲放大器的特性，由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET 通用方波電路[8]，它是構(gòu)成邏輯門電路的基本單元
2011-09-30 11:08:121469 
在數(shù)／模混合集成電路設(shè)計中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設(shè)計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054694 
面向BTI特征分析的在運行中閾值電壓測量
2017-01-22 13:38:08
7 電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓的函數(shù)關(guān)系 U0＝f（uI），一般用曲線來描述，稱為電壓傳輸特性。電壓傳輸特性的三個要素：輸出電平、閾值電壓、躍變方向
2017-11-07 10:47:3153915 
閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
2017-11-27 17:18:4367572 
本文開始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計算，其次介紹了單限電壓比較器的工作原理，最后介紹了單限比較器閾值的電壓計算。
2018-02-26 15:58:0264104 
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關(guān)閉狀態(tài)下開關(guān)MOS(如果MOS沒有損壞)。R33/R86的比例已經(jīng)選得很好。
2018-09-23 11:17:007733 由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性的關(guān)系，評估其對應(yīng)用、系統(tǒng)的影響，需要更多的研究及探索。
2018-11-08 16:48:268362 圖3-4是閃存芯片里面存儲單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲單元數(shù)量。其實在0或1的時候，并非所有的存儲單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個電壓為中心的一個分布。讀的時候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認為是1；落在0范圍里面，就認為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降?
【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層(導(dǎo)電溝道)所需要加的柵極電壓。對于
2019-01-27 10:42:098022 
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響，實際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化，從而分析其對晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
本文報道了一個深入研究的負閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan?；谝唤M在不同溫度下進行的應(yīng)力/恢復(fù)實驗，我們證明：1）在高溫和負柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一個簡單的示波器裝置，研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導(dǎo)體hemts閾值電壓漂移（vth）的快速動力學(xué)。我們發(fā)現(xiàn)，vth的對數(shù)恢復(fù)時間依賴性，以前發(fā)現(xiàn)的恢復(fù)時間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因為如MOSFET有個柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓（VGS-TH）時MOSFET才開始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
《工業(yè)級SiC MOSFET的柵極氧化層可靠性——偏壓溫度不穩(wěn)定性（BTI）》 在正常使用器件時，由于半導(dǎo)體-氧化層界面處缺陷的產(chǎn)生和/或充放電，SiC MOSFET的閾值電壓可能略有漂移。閾值電壓
2021-01-12 16:09:105064 
AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082 0 1 我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個電路中，假設(shè)GS電容上有一個閾值電壓，足可以讓MOSFET導(dǎo)通，而且電容沒有放電回路
2021-04-23 10:35:588405 
我們現(xiàn)在知道了，只要讓MOSFET有一個導(dǎo)通的閾值電壓，那么這個MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個電路中，假設(shè)GS電容上有一個閾值電壓，足可以讓MOSFET導(dǎo)通，而且電容沒有放電回路，不消
2021-05-03 10:39:003187 
接下來討論低閾值管子的優(yōu)勢。那么，MOSFET的導(dǎo)通閾值低，它的好處就說對信號的幅值要求就小了。假設(shè)MOSFET的導(dǎo)通閾值是1V 或者2V，那么一個3.3V的單片機就可以搞定了。 那么，我們也知道
2021-08-13 17:09:574546 
，對應(yīng)的就是開
通電壓和關(guān)斷電壓，我們把這個電壓叫做閾值。同樣的，MOSFET
也有閾值電壓徹底搞懂MOSFET講解（四）
2021-08-30 19:35:1147 兩個重要變量（例如閾值電壓和結(jié)溫）之間的現(xiàn)有關(guān)系為變化，因為觀察到 Lss' 上的電壓發(fā)生了變化。由于 SiC MOSFET 的開爾文源和電源 Lss' 之間存在寄生電感，最終會通過電壓的上升來反映，因此存在電壓以同步方式突然升高的高端可能性。
2022-08-04 09:42:551502 
為了實現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此，考慮到上述問題，專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案，而無需額外的篩選過程。
2022-08-04 08:59:513293 
Vt roll-off核心是（同一個工藝節(jié)點下面）閾值電壓與柵長之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長度比較長的時候，Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小，閾值電壓會下降（對于PMOS而言是絕對值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下，閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來調(diào)整的。
2023-02-09 14:26:361147 此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時，耗盡區(qū)被加寬，實現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加，以適應(yīng)更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結(jié)果嚴重依賴于測試
2023-05-09 14:59:06853 
如圖，電流分擴散電流和漂移電流，工作時的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴散電流的成分。
2023-05-30 16:02:396185 
碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關(guān)速度會變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032010 目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導(dǎo)通電阻 ⊙跨導(dǎo) ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.8UMOS的先進設(shè)計∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39989 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需將下標(biāo)“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
其工作性能和穩(wěn)定性。本文將詳細介紹影響MOSFET閾值電壓的因素，包括材料、結(jié)構(gòu)、工藝和環(huán)境等方面。 一、材料因素 1.襯底材料 襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅晶片在高溫、高電場下易發(fā)生擊穿，從而降低了閾值
2023-09-17 10:39:446679 為什么亞閾值區(qū)還有電流？為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亞閾值區(qū)是指晶體管工作狀態(tài)下，柵極電壓小于閾值電壓的區(qū)域。在這個區(qū)域內(nèi)，晶體管會出現(xiàn)漏電流，造成能量浪費和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 在上述電路中，無需使用其它DC-DC元件，僅使用一顆耗盡型MOSFET，即可將較高的電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓給LDO輸入端供電。LDO的輸入電壓Vin與輸出電壓VOUT的關(guān)系滿足：Vin=VOUT+|Vth|
(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。
2023-11-08 11:28:26283 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
是MOSFET的控制電路，它對于MOSFET的工作狀態(tài)和性能有著重要的影響。以下是關(guān)于MOSFET柵極電路常見的作用以及電壓對電流的影響的詳細介紹。 1. 控制MOSFET的導(dǎo)通與截止： MOSFET的柵極電壓決定了通道電流的大小，從而決定MOSFET的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時，
2023-11-29 17:46:40571 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論