CAN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值有著嚴(yán)格的規(guī)定，如果節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場(chǎng)組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)“ISO 11898-2輸出電壓標(biāo)準(zhǔn)”。
2015-07-09 10:54:09
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74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達(dá)到輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入大于這個(gè)電壓時(shí)，輸出為低電平。反向輸入閾值電壓是輸入低于這個(gè)電壓時(shí)，輸出為高電平。
2018-10-24 09:30:3616608 
由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí)，此模型不再精確，閾值電壓與L、W和VDS有關(guān)。
2023-02-13 10:35:291269 
，表示了三個(gè)端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因?yàn)檫@種器件是對(duì)稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在數(shù)字電路中，MOS管作為開(kāi)關(guān)的作用時(shí)，柵極電壓VG是高電平，晶體管把源極和漏極連接在一起; 如果VG是低電平，則源漏斷開(kāi)。
2023-04-25 14:20:393018 
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來(lái)講，是比較差的，對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181175 
大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動(dòng)中的**參考電位**問(wèn)題。我們都知道IGBT的驅(qū)動(dòng)參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當(dāng)柵極相對(duì)于發(fā)射極電位 **超過(guò)閾值電壓時(shí)，器件就會(huì)開(kāi)通** ， **小于閾值電壓后，器件就會(huì)關(guān)斷** 。
2023-11-09 15:19:15666 
MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開(kāi)關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制
2023-11-29 14:19:08785 
分析完閾值電壓的機(jī)制后，下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。
2023-11-29 14:42:33999 
假設(shè)mismatch引起的M4/M5之間的閾值電壓差值為3mV，則等效到運(yùn)放輸入端的VOS量級(jí)為uV，保證M4/M5之間的版圖匹配，能有效的減小該值。
2024-02-18 17:32:43274 
施密特觸發(fā)器（Schmitt Trigger）是一種特殊的門(mén)電路，也被稱為遲滯比較器或滯回比較器。它具有兩個(gè)閾值電壓，分別對(duì)應(yīng)于輸入信號(hào)的正向遞增和負(fù)向遞減變化方向。這兩個(gè)閾值電壓稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓，它們之間的差值被稱為回差電壓。
2024-02-23 17:14:21786 
本帖最后由 xiaoxiao981212 于 2012-9-12 18:06 編輯
EDA技術(shù)主要是指面向?qū)Ｓ眉呻娐吩O(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)技術(shù)，與傳統(tǒng)的專用集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)相比，其特點(diǎn)有
2012-09-12 17:58:00
，就可在硬件不變的情況下修改程序以更新和擴(kuò)展功能，使其靈活性顯著提高?；诖丝紤]，用EDA方法設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)易數(shù)字電壓表控制電路，旨在研究提高數(shù)字電子系統(tǒng)靈活性的設(shè)計(jì)方法。1．2 數(shù)字電壓表的工作原理
2012-10-26 15:43:24
EDA設(shè)計(jì)彩燈控制器相關(guān)資料分享
2022-12-12 21:57:41
繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
MOSFET的VGS(th)：柵極
閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的
電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是
閾值以上的
電壓，則MOSFET導(dǎo)通?？赡苡?/div>
2019-05-02 09:41:04
為什么PMOS的閾值電壓要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代碼.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00:50
應(yīng)用； 高精度電壓檢測(cè)功能：(針對(duì)單節(jié)電芯)- 過(guò)充電保護(hù)閾值電壓：3.3V～4.5V(50mV一檔)；閾值電壓精度：±25mV； - 過(guò)充電保護(hù)解除電壓1 ：3.2V～4.5V；閾值電壓精度
2016-03-09 23:09:10
SMLZ13EDA - High brightness - Rohm
2022-11-04 17:22:44
STM32是3.3V供電的芯片，在用AD的時(shí)候，閾值電壓能否接到0-5V上？
2013-02-28 18:18:59
的EDA人艱難探索。多少年了，中國(guó)還沒(méi)有EDA 產(chǎn)業(yè)。20年了,風(fēng)雨路,少年步入中年。我們努力著，我們奮斗著，我們承受著。但請(qǐng)相信----再一個(gè)四年，我們將站立在領(lǐng)獎(jiǎng)臺(tái)上。我們大家的EDA &
2008-08-26 16:38:24
`大家上午好！這是張飛電子90天硬件工程師講解之mos管視頻教程， 每日一課，20天的打卡學(xué)習(xí)計(jì)劃，機(jī)會(huì)難得，希望壇友們積極參與，學(xué)習(xí)過(guò)程中遇到的問(wèn)題，可以留言交流，老師都會(huì)一一解答！為了提升壇友們
2021-06-08 21:43:47
，進(jìn)而使SCR導(dǎo)通。
實(shí)驗(yàn)中：穩(wěn)壓管閾值電壓較大時(shí)SCR可正常導(dǎo)通；但是穩(wěn)壓管閾值小的時(shí)候，SCR始終不通，后端電路一直有漏電流。（如圖所示穩(wěn)壓管閾值電壓為42V）
2023-10-10 08:57:00
閾值電壓做比較，輸出一個(gè)或高或低的電壓，進(jìn)而控制MOS管的通斷。而實(shí)現(xiàn)此閾值的智能可配置也就實(shí)現(xiàn)了過(guò)流保護(hù)裝置的可配置。問(wèn)題轉(zhuǎn)變成了可調(diào)直流電壓的輸出。此電壓不需大的輸出電流對(duì)驅(qū)動(dòng)能力沒(méi)有要求，只做為比較器
2018-09-26 09:44:57
:0] 中的值如何映射到電壓。我假設(shè)設(shè)置 ADC_HTR 中的所有 12 位將等于可能的最高閾值電壓，但我們?nèi)绾沃涝?b class="flag-6" style="color: red">電壓是多少？設(shè)置 ADC_LTR 中的所有位是否意味著低閾值盡可能低？還是清除所有 12 位將其設(shè)置為最小值？
2023-01-13 08:05:01
源之間導(dǎo)通的工作原理，完成開(kāi)關(guān)的閉合。但是由于電路中使用的是恒流源，當(dāng)MOS管的柵源電壓小于閾值電壓時(shí)，漏源之間仍然有電流流過(guò)，并不能實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)的關(guān)斷。 有什么其他的設(shè)計(jì)方法能實(shí)現(xiàn)可控開(kāi)關(guān)，來(lái)控制對(duì)電容
2017-05-19 11:44:05
電壓，低溫）作為最快的一種情況，而把（slow n,slow p,低電壓，高溫）作為最慢的一種情況。但是管子的閾值電壓與溫度成反比，也就是低溫時(shí)管子的閾值電壓會(huì)變高，而使得管子變慢，這就與上面的結(jié)論矛盾
2021-06-24 08:01:38
比較器是電路設(shè)計(jì)中常用的一個(gè)模塊，一般設(shè)計(jì)人員將其用在電源輸入過(guò)欠壓保護(hù)或者設(shè)置閾值電壓。比如，當(dāng)監(jiān)控到電池的電壓低于某一個(gè)值時(shí)，比較器的輸出端會(huì)產(chǎn)生一個(gè)復(fù)位信號(hào)給后面的控制系統(tǒng)，提示系統(tǒng)馬上要
2023-03-22 15:17:08
如果想改變反相滯回比較器的閾值電壓應(yīng)改變哪些參數(shù)呢？
2023-03-24 15:31:42
看到的POR比較常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)，第一級(jí)通常是電壓檢測(cè)，比如如下圖結(jié)構(gòu)，當(dāng)左邊由二極管連接的PMOS對(duì)電源電壓進(jìn)行分壓，當(dāng)電源電壓上電到一定值時(shí)，V1達(dá)到右邊反相器的翻轉(zhuǎn)閾值電壓。現(xiàn)在的問(wèn)題是，當(dāng)在
2021-06-25 07:26:16
和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號(hào)，施密特觸發(fā)器有不同的閥值電壓。門(mén)電路有一個(gè)閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。施密特觸發(fā)器是一種特殊的門(mén)電路
2011-11-14 14:30:44
： ① 施密特觸發(fā)器屬于電平觸發(fā)器件，當(dāng)輸入信號(hào)達(dá)到某一定電壓值時(shí)，輸出電壓會(huì)發(fā)生突變。 ② 電路有兩個(gè)閾值電壓。 輸入信號(hào)增加和減少時(shí)，電路的閾值電壓分別是正向閾值電壓
2009-09-24 15:38:23
搜到的施密特觸發(fā)器IC遲滯電壓都是固定的，現(xiàn)在需要設(shè)定具體的閾值電壓值，是否有這樣的IC呢?還是只能用運(yùn)放搭建？
2024-03-13 02:40:35
LM311供電為+-12V，VDD為5V，高低閾值電壓怎么計(jì)算呢？
2018-05-30 22:27:26
運(yùn)放同相輸入端為1V，R4電阻電壓也跟隨為1V，電流恒定在1A輸出，那么存在如下疑問(wèn)：1.運(yùn)放為使R4電壓均衡在1V那么運(yùn)放輸出端提供的電壓是否只達(dá)到MOS管導(dǎo)通閾值電壓(假設(shè)4V)?2.如果MOS
2020-02-14 14:45:47
遲滯比較器的閾值電壓除了由我的電阻參數(shù)設(shè)定 還要其他因素嗎？我做的實(shí)驗(yàn)中顯示我的設(shè)定值與實(shí)際值在某些情況下相差挺大的，我采用的是LM339這款比較器芯片。比如 我設(shè)定的值為VTL=1.5V、VTH=2.5V時(shí)，通過(guò)示波器觀察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51:27
組件文檔中有關(guān)于I2C總線上可靠邏輯轉(zhuǎn)換的注釋。I2CYV3O50.PDF狀態(tài)：“注意，引腳組件的默認(rèn)閾值電壓是CMOS。當(dāng)I2C線被拉高到3.3 V并且PSoC在5 V上運(yùn)行時(shí)，CMOS閾值電平
2019-10-10 06:33:44
北京革新創(chuàng)展科技有限公司研制的B-ICE-EDA/SOPC FPGA平臺(tái)集多功能于一體，充分滿足EDA、SOPC、ARM、DSP、單片機(jī)相互結(jié)合的實(shí)驗(yàn)教學(xué)，是電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室、嵌入式系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室
2022-03-09 11:18:52
施密特觸發(fā)器是一種特殊的門(mén)電路，與普通的門(mén)電路不同，施密特觸發(fā)器有兩個(gè)閾值電壓，分別稱為正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓。
2006-07-03 14:22:183706 
電壓比較器、方波三角波發(fā)生器與壓控振蕩器一、目的：1、 對(duì)電壓比較器的理解，學(xué)習(xí)閾值電壓的測(cè)量方法。2、 握集成運(yùn)放在波形發(fā)生器值的應(yīng)用，學(xué)習(xí)
2009-03-09 11:06:086986 
施密特觸發(fā)器原理及應(yīng)用
我們知道，門(mén)電路有一個(gè)閾值電壓，當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀
2010-05-27 09:29:323838 
所謂探索性數(shù)據(jù)分析(EDA)，是指對(duì)已有的數(shù)據(jù)(特別是調(diào)查或觀察得來(lái)的原始數(shù)據(jù))在盡量少的先驗(yàn)假定下進(jìn)行探索，通過(guò)作圖、制表、方程擬合、計(jì)算特征量等手段探索數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)和規(guī)律的一種數(shù)據(jù)分析方法。
2011-01-24 10:02:071330 
把 555 電路的 6 、 2 端作為兩個(gè)控制輸入端， 7 端不用，就成為一個(gè) R － S 觸發(fā)器。要注意的是兩個(gè)輸入端的電平要求和閾值電壓都不同，見(jiàn)圖 5 （ a ）。有時(shí)可能只有一個(gè)控制端，這時(shí)
2012-05-15 16:11:394684 
在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對(duì)傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn)，提出一種新的設(shè)計(jì)方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和
2012-10-10 16:38:054693 
基于搶占閾值調(diào)度的動(dòng)態(tài)電壓分配算法_郝嘉磊
2017-01-07 18:39:17
0 面向BTI特征分析的在運(yùn)行中閾值電壓測(cè)量
2017-01-22 13:38:087 電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓的函數(shù)關(guān)系 U0＝f（uI），一般用曲線來(lái)描述，稱為電壓傳輸特性。電壓傳輸特性的三個(gè)要素：輸出電平、閾值電壓、躍變方向
2017-11-07 10:47:3153915 
工作時(shí)的固有特性。當(dāng)輸入信號(hào)越過(guò)這兩個(gè)閾值時(shí)，電路可以抑制輸入信號(hào)中包含的噪聲，并產(chǎn)生頻率與輸入信號(hào)相同的矩形輸出信號(hào)。 不管你用晶體管、運(yùn)放還是比較器實(shí)現(xiàn)施密特觸發(fā)器，你都需要確定要求的回差和兩個(gè)閾值電壓是多少。如果你知
2017-11-14 11:10:257 閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
2017-11-27 17:18:4367572 
本文主要介紹了小波去噪閾值如何選取_小波閾值分析。小波去噪過(guò)程就是利用小波分解將圖像信號(hào)分解到各尺度中，然后把每一尺度中屬于噪聲的小波系數(shù)去掉，保留并增強(qiáng)屬于信號(hào)的小波系數(shù)，最后利用小波逆變換將處理
2018-01-10 09:08:4757528 
本文主要介紹了小波閾值去噪的基本原理以及小波去噪閾值如何選取？閾值的確定在去噪過(guò)程中至關(guān)重要，目前使用的閾值可以分為全局閾值和局部適應(yīng)閾值兩類。其中，全局閾值是對(duì)各層所有的小波系數(shù)或同一層內(nèi)不同方向
2018-01-10 09:46:5067422 
本文主要介紹了一種基于新閾值函數(shù)的小波閾值去噪算法。在小波閾值去噪法中的兩個(gè)重要的因素—閾值選取方式和閾值函數(shù)，直接決定圖像去噪的效果，所以要針對(duì)噪聲和圖像選取合適的閾值函數(shù)和最佳閾值，才能最大程度去除圖像噪聲。本文提出了新的閾值函數(shù)，這一函數(shù)既滿足函數(shù)的連續(xù)性，又解決了閾值函數(shù)恒定偏差問(wèn)題。
2018-01-10 10:12:569059 
介紹了小波閾值去噪的三種應(yīng)用：小波閾值去噪技術(shù)在ECG信號(hào)處理中的應(yīng)用、小波閾值去噪技術(shù)在電能質(zhì)量檢測(cè)中的應(yīng)用和小波閾值技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)信號(hào)處理中的應(yīng)用。利用小波閾值去噪是新發(fā)展起來(lái)的去除噪聲的方法，利用小波閾值去噪具有良好的效果，可以有效提高信噪比。
2018-01-10 14:25:085533 
本文主要介紹了小波軟閾值的推導(dǎo)_軟閾值的計(jì)算。由于噪聲信號(hào)強(qiáng)度的隨機(jī)性，以及小波分解過(guò)程中信號(hào)與噪聲的傳播特性不同，每一層小波分解系數(shù)所采用的閾值應(yīng)該是隨小波系數(shù)的變化而變化的。能實(shí)現(xiàn)這種變動(dòng)閾值的方法就是軟閾值去噪方法。小波軟閾值的具體計(jì)算原理和計(jì)算步驟如下。
2018-01-10 14:46:194809 
，有兩個(gè)不同的閾值電壓（正向閾值電壓和負(fù)向閾值電壓）；狀態(tài)翻轉(zhuǎn)時(shí)有正反饋過(guò)程，從而輸出邊沿陡峭的矩形脈沖。下面我們來(lái)具體看看吧。
2018-01-16 16:02:3747805 
本文開(kāi)始介紹了單限比較器的電路和單限比較器的理論分析及計(jì)算，其次介紹了單限電壓比較器的工作原理，最后介紹了單限比較器閾值的電壓計(jì)算。
2018-02-26 15:58:0264104 
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性的關(guān)系，評(píng)估其對(duì)應(yīng)用、系統(tǒng)的影響，需要更多的研究及探索。
2018-11-08 16:48:268362 圖3-4是閃存芯片里面存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲(chǔ)單元數(shù)量。其實(shí)在0或1的時(shí)候，并非所有的存儲(chǔ)單元都是同樣的閾值電壓，而是以這個(gè)電壓為中心的一個(gè)分布。讀的時(shí)候采樣電壓值，落在1范圍里面，就認(rèn)為是1；落在0范圍里面，就認(rèn)為是是0。
2018-11-13 15:44:2911001 
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對(duì)其閾值電壓 Vth 的影響，實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡(jiǎn)化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶體管處在窄溝道和短溝道情況下，MOSFET 耗盡區(qū)的電荷的變化，從而分析其對(duì)晶體管的閾值電壓的作用。
2019-06-18 17:19:4635146 
為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)DUT的輸入電壓閾值測(cè)試呢？
2019-07-02 15:10:103215 
本文報(bào)道了一個(gè)深入研究的負(fù)閾值電壓不穩(wěn)定性的gan-on-si金屬絕緣體半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管部分凹陷algan?；谝唤M在不同溫度下進(jìn)行的應(yīng)力/恢復(fù)實(shí)驗(yàn)，我們證明：1）在高溫和負(fù)柵偏壓（-10v
2019-10-09 08:00:002 利用一個(gè)簡(jiǎn)單的示波器裝置，研究了由正向柵偏壓引起的gan基金屬絕緣體半導(dǎo)體hemts閾值電壓漂移（vth）的快速動(dòng)力學(xué)。我們發(fā)現(xiàn)，vth的對(duì)數(shù)恢復(fù)時(shí)間依賴性，以前發(fā)現(xiàn)的恢復(fù)時(shí)間從10 ms到1 ms
2019-10-09 08:00:000 本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測(cè)量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 施密特觸發(fā)器也有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)， 但與一般觸發(fā)器不同的是， 施密特觸發(fā)器采用電位觸發(fā)方式， 其狀態(tài)由輸入信號(hào)電位維持； 對(duì)于負(fù)向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號(hào)，施密特觸發(fā)器有不同的閥值電壓。門(mén)電路有一個(gè)閾值電壓， 當(dāng)輸入電壓從低電平上升到閾值電壓或從高電平下降到閾值電壓時(shí)電路的狀態(tài)將發(fā)生變化。
2019-12-17 08:00:006 為什么廠家在產(chǎn)品投入使用前，都必須要進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)DUT的輸入電壓閾值測(cè)試呢？因?yàn)镃AN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值有著嚴(yán)格的規(guī)定，若不符合規(guī)范，則組網(wǎng)后容易出現(xiàn)各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障。
2020-12-26 02:33:311380 AN-680: ADG451/ADG452/ADG453閾值電壓與數(shù)字電壓 VL
2021-03-18 20:33:082 而現(xiàn)代集成電路一般使用MOS管，其本質(zhì)是一個(gè)壓控開(kāi)關(guān)。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開(kāi)關(guān)，那就需要有一個(gè)區(qū)別開(kāi)態(tài)與關(guān)態(tài)的狀態(tài)。
2022-12-15 11:33:371143 Vt roll-off核心是（同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)下面）閾值電壓與柵長(zhǎng)之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長(zhǎng)度比較長(zhǎng)的時(shí)候，Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小，閾值電壓會(huì)下降（對(duì)于PMOS而言是絕對(duì)值的下降）。
2022-12-30 15:14:411332 DIBL不僅只發(fā)生在亞閾值區(qū)，引起閾值電壓的下降。在飽和區(qū)晶體管導(dǎo)通后，由于勢(shì)壘的降低，同樣會(huì)引入更多的載流子注入，從而降低晶體管的導(dǎo)通電阻。
2023-01-07 11:46:322684 TPS382x 系列監(jiān)控器主要為 DSP 以及基于處理器的系統(tǒng)提供電路初始化和計(jì)時(shí)監(jiān)控等功能。上電期間，RESET 會(huì)在電源電壓 VDD 超出 1.1V 時(shí)置為有效。因此VDD 保持在閾值電壓
2023-01-12 09:18:351147 繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
此外，襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí)，耗盡區(qū)被加寬，實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加，以適應(yīng)更大的Qsc。
2023-02-09 14:26:381661 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:149783 
Vt指的是MOS管的閾值電壓（threshold voltage）。具體定義（以下圖NMOS為例）：當(dāng)柵源電壓（Vgs）由0逐漸增大，直到MOS管溝道形成反型層（圖中的三角形）所需要的電壓為閾值電壓。
2023-03-10 17:43:114541 摩爾定律提出的時(shí)候，還處于Happy Scaling Era（EDA探索丨第11期：MOSFET收縮，Happy Scaling Era）。所以除了器件密度的翻倍，大家通常所認(rèn)識(shí)的摩爾定律還隱含著其它的一些含義。
2023-03-29 14:25:28229 由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測(cè)試過(guò)程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測(cè)試以及高溫柵偏試驗(yàn)后的電測(cè)試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測(cè)試
2023-05-09 14:59:06853 
如圖，電流分?jǐn)U散電流和漂移電流，工作時(shí)的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。
2023-05-30 16:02:396185 
8.2.9閾值電壓控制8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅
2022-03-02 09:27:23531 
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需將下標(biāo)“n”替換為“p”)。
2023-09-07 10:03:59649 
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點(diǎn)。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著
2023-09-17 10:39:446679 為什么亞閾值區(qū)還有電流？為什么亞閾值區(qū)電流飽和條件是Vds是Vt的三四倍以上？ 亞閾值區(qū)是指晶體管工作狀態(tài)下，柵極電壓小于閾值電壓的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，晶體管會(huì)出現(xiàn)漏電流，造成能量浪費(fèi)和損耗。因此
2023-09-21 16:09:15917 選取9個(gè)重要的參數(shù)，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開(kāi)啟關(guān)閉速度等。
2023-10-08 16:56:08494 
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