mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

如何檢測(cè)線路板上的各種常用元器件

在日常工作過程中，難免會(huì)遇到電路板，出現(xiàn)各種各樣的故障，但是你知道怎么去維修嗎？手頭上拿到一塊板子，是不是感覺束手無策？接下來，我會(huì)帶你學(xué)習(xí)如何檢測(cè)線路...

2023-06-28 標(biāo)簽：二極管元器件 MOS管 2860 0

非同步BUCK的續(xù)流二極管分析

PDS760-13總功耗，包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流，瞬時(shí)傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計(jì)算。二極...

2022-08-04 標(biāo)簽：MOS管充放電續(xù)流二極管 2852 0

什么是MOS管的雪崩

MOS管的雪崩是一個(gè)涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象，主要發(fā)生在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度條件下。以下是對(duì)MOS管雪崩的詳細(xì)解析，包括其定義、原理、影響、預(yù)防措...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOS管晶體管雪崩 2846 0

簡(jiǎn)單說一說什么是天線效應(yīng)？消除的辦法有哪些？

天線效應(yīng)，或者說它的全稱工藝天線效應(yīng)（PAE，process antenna effect），是一種芯片制造過程中產(chǎn)生的效應(yīng)。

2023-12-06 標(biāo)簽：MOS管芯片制造天線效應(yīng) 2845 0

氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)芯片有哪些

氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動(dòng)芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...

2023-12-27 標(biāo)簽：MOS管電子器件氮化鎵 2843 0

同步BUCK芯片的電性能參數(shù)解讀（上）

Sink Current即灌電流的意思，是數(shù)字電路的表示方式，電流方向指向芯片IO，與Souce Current 拉電流相對(duì)應(yīng)。

2022-08-07 標(biāo)簽：BUCK MOS管數(shù)字電路 2831 0

MOS管開關(guān)電路圖分享

在設(shè)計(jì)MOS管開關(guān)電路時(shí)，就要充分了解MOS管的工作原理。在我上一篇文章中，有詳細(xì)地講解MOS管的工作原理。大家可以點(diǎn)下面這個(gè)標(biāo)題直接進(jìn)入，這里就簡(jiǎn)單地提一下。

2023-07-03 標(biāo)簽：二極管電路圖開關(guān)電路 2826 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別

絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區(qū)和N+區(qū)）。

2024-02-06 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 2822 0

烙鐵頭有沒有熱電偶

我們的谷德海普的客服反饋，經(jīng)常遇到一些用戶詢問到我們的烙鐵頭使用什么熱電偶型號(hào)。把客服問懵了，烙鐵頭的生產(chǎn)過程當(dāng)中沒有使用到單獨(dú)的熱電偶呀，哪來的具體型...

2023-05-22 標(biāo)簽：熱電偶半導(dǎo)體可控硅 2813 0

MOS管的導(dǎo)通電壓與漏電流關(guān)系

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通電壓與漏電流之間的關(guān)系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對(duì)這一關(guān)系的分析：一、MOS管的導(dǎo)通電壓 MO...

2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管電壓漏電流 2807 0

推挽電路原理：“上P下N”及“上N下P”的區(qū)別

在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。

2023-05-23 標(biāo)簽：三極管 MOS管推挽電路 2794 0

MCU內(nèi)部的I/O結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)能力

經(jīng)常會(huì)聽到MCU某I/O的驅(qū)動(dòng)能力是xxmA，那么到底什么是驅(qū)動(dòng)能力呢?如果某IO的驅(qū)動(dòng)能力是5mA，它就輸出不了超過5mA的電流了嗎?為什么IO的驅(qū)動(dòng)...

2023-03-13 標(biāo)簽：mcu MOS管引腳 2789 0

干貨|這篇文章把MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)講透了

MOS管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MO...

2023-06-05 標(biāo)簽：MOS管 NMOS FET 2770 0

三極管和MOS管下拉電阻的作用

三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢？舉例說明。如下圖，是溫度開關(guān)控制馬達(dá)電路圖。

2023-01-24 標(biāo)簽：三極管下拉電阻 MOS管 2768 0

放大電路的基礎(chǔ)—單級(jí)放大器（3）

不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)卣f，共柵級(jí)與共源級(jí)是一樣的。回看單級(jí)放大器1中的電阻負(fù)載的共源級(jí)，與圖3.1.1相比，兩者最大的不同是共源級(jí)從柵極輸入信號(hào)，而共柵級(jí)從源極輸入信號(hào)。

2023-09-18 標(biāo)簽：放大器電阻器 MOS管 2766 0

mos管如何工作

MOS管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源...

2023-02-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 2757 0

開關(guān)電源/開關(guān)MOS管/開關(guān)變壓器損耗講解

今天給大家分享的是：開關(guān)電源損耗與效率、開關(guān)晶體管損耗、開關(guān)變壓器損耗。

2023-06-16 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源 MOS管 2756 0

增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)解析

增強(qiáng)型MOS管（Enhancement MOSFET）是一種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOS管晶體管增強(qiáng)型 2748 0

lGBT與mos管主要區(qū)別在哪

LGBT（Light Emitting Bipolar Transistor）是一種發(fā)光二極管與雙極型晶體管的結(jié)合體。它具有高亮度、高效率、低功耗和長(zhǎng)壽...

2024-08-07 標(biāo)簽：MOS管晶體管數(shù)字電路 2744 0

自舉電容初始化啟動(dòng)和充電受限問題分析

說起自舉電路估計(jì)離不開mos管，先來了解一下MOS管，MOS有N溝道和P溝道之分。對(duì)于N溝道的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要Ugs>Ugs(th),P溝道則...

2024-03-27 標(biāo)簽：電容器二極管 MOS管 2743 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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