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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常使用,它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
IR21814類似的驅(qū)動芯片直接驅(qū)動MOS管,該電路具有驅(qū)動簡單,成本低,PCB占用面積小等優(yōu)點,在我司產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但是,所采用的LLC諧振拓...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種重要的場效應(yīng)晶體管,被廣泛應(yīng)用于各種...
2023-08-31 標(biāo)簽:MOS管 3229 0
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
當(dāng)開關(guān)關(guān)斷的時候,溝道電荷需要消失,電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端,對兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會產(chǎn)生一個offset,o...
由閾值電壓的公式可看出,閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān),所以在設(shè)計中把它當(dāng)成一個常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時,此模型不再精確,閾值電壓與L、...
基于MOS管和三極管的電源開關(guān)電路設(shè)計
三極管與MOS管組成的電源開關(guān)電路一定是NPN與PMOS管組合么?
2023-11-17 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路電路設(shè)計 3195 0
只要是做我們電子這一行的,那肯定就會接觸到各種各樣的電源開關(guān)電路,有了開關(guān)電源電路那就意味著肯定也要有開關(guān),尤其是在對功耗高的電路中間,或者當(dāng)負(fù)載短路時...
2023-02-27 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路MOS管 3194 0
今天給大家說一個很實用的小技能,用萬用表去檢測MOS管好壞的方法,這里以N溝道增強型場效應(yīng)管(N MOS管)為例給大家說一下
2023-11-13 標(biāo)簽:萬用表場效應(yīng)管MOS管 3188 0
os是電壓驅(qū)動型器件,只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻,就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 標(biāo)簽:MOS管MOS開關(guān)管 3188 0
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的,開關(guān)相對于負(fù)載處于高電位,如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換,就是低側(cè)開關(guān)。
開關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...
2024-08-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管損耗 3167 0
變頻器又稱為變頻調(diào)速器,是一種用于控制交流電機轉(zhuǎn)速的電子設(shè)備。它通過改變電機的供電頻率來調(diào)整電機轉(zhuǎn)速,從而實現(xiàn)對電機的精確控制。它廣泛應(yīng)用于各種機械設(shè)備...
電路設(shè)計基礎(chǔ)之MOSFET管開關(guān)電路
對于MOS管,我們在電路設(shè)計中都會遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計一個MOS管的開關(guān)電路呢?
2022-12-08 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計 3118 0
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