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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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二極管 VS MOS管,你的防反接保護(hù)電路選擇誰(shuí)?
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。
CL6291是一款微小型、高效率、升壓型DC/DC調(diào)整器。電路由電流模PWM控制環(huán)路,誤差放大器,斜波補(bǔ)償電路,比較器和功率開(kāi)關(guān)等模塊組成。
2022-10-12 標(biāo)簽:MOS管比較器升壓轉(zhuǎn)換器 3364 0
詳細(xì)的反激式開(kāi)關(guān)電源EMC調(diào)試設(shè)計(jì)方案
工作過(guò)程分為兩個(gè)階段:原邊MOS管ON期間和OFF期間。MOS管開(kāi)通期間:Vin電壓 加在變壓器初級(jí)繞組上,此時(shí)變壓器儲(chǔ)能;次級(jí)整流二極管因承受反...
2024-01-02 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電源 3363 0
氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
2024-01-10 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3352 0
電路防反接,你真的會(huì)用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過(guò)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師,都會(huì)在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND和...
電源放反接設(shè)計(jì)和緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析
在實(shí)際電路調(diào)試中,會(huì)因小失誤將電源的正負(fù)極接反,從而導(dǎo)致電路中的相關(guān)器件損壞。即在電路設(shè)計(jì)中,增加適當(dāng)?shù)姆婪唇与娐?。比較簡(jiǎn)單的電路,即在電源的輸入端串聯(lián)...
淺談從直流有刷電機(jī)到直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)
童年的四驅(qū)車(chē)幾乎是我們第一次近距離接觸馬達(dá)。想必有動(dòng)手能力強(qiáng)一些的小伙伴還拆過(guò),改裝過(guò)馬達(dá)吧。其實(shí)它就是一種結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)的直流有刷電機(jī)(BDC)。
電路設(shè)計(jì)時(shí),三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管區(qū)別在哪?
三極管有NPN型和PNP型,同理MOS管也有N溝道和P溝道的,三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E,而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D...
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 3333 0
3000W舞臺(tái)音響功放MOS管應(yīng)用方案介紹
上文我們講述了1800W雙通道功放MOS管應(yīng)用方案,本文我們?nèi)匀焕^續(xù)展開(kāi)舞臺(tái)音響功放的應(yīng)用講述。
2023-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3330 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件,其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測(cè)試的重要性 MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 3323 0
掌握MOS管規(guī)格書(shū),參數(shù)縮寫(xiě)全解析
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數(shù):雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
使用時(shí),要特別注意內(nèi)部保護(hù)二極管。例如,電源接反時(shí),源級(jí)S接到了電源正極,此時(shí)通過(guò)內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通,如果電源輸入沒(méi)有反接保護(hù),NOMS管有可能燒毀。
1. 引言 MOS管作為電子電路中的核心組件,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的工作狀態(tài)。在高功率或高頻工作條件下,MOS管會(huì)產(chǎn)生大量熱量,若散熱不及時(shí),可能導(dǎo)致...
MOS 管的開(kāi)啟與關(guān)閉 要研究這個(gè)自舉的由來(lái),我們還是先看一下 MOS 的開(kāi)啟與關(guān)閉。從上文得知,我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲?..
MOS管米勒效應(yīng):感性負(fù)載和阻性負(fù)載差異點(diǎn)解析
通過(guò)AM1波形,我們能看到二極管上有電流流過(guò)(一部分的電感電流,續(xù)流),二極管處于正偏狀態(tài)。
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,...
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小,所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件,對(duì)MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
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