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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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500V平面MOS在高速電吹風(fēng)筒上有何應(yīng)用?
高速電吹風(fēng)筒是指使用了BLDC電機(jī),轉(zhuǎn)速在10萬(wàn)轉(zhuǎn)/分鐘以上的吹風(fēng)機(jī),此類吹風(fēng)機(jī)采用的直流無(wú)刷電機(jī)馬達(dá),具有轉(zhuǎn)速高、體積小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),在外觀方面高速...
2023-08-15 標(biāo)簽:MOS管BLDC電機(jī)體二極管 2005 0
100W電源以上的半橋式電路使用什么MOS管型才能適配電路呢
其實(shí)對(duì)于100W以上舞臺(tái)燈光電源的半橋式電路,我們推薦使用2個(gè)FHP13N50W。畢竟FHP13N50W是可以替代13N50等MOS管的產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)。
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過(guò)程(由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程(由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程)、截止?fàn)顟B(tài)。MOS主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀...
MOS管主副電源自動(dòng)切換的電路設(shè)計(jì)
當(dāng)VUSB斷開后,PMOS的G端的電壓(5V)由電阻R1下拉到GND,此時(shí)PMOS導(dǎo)通,VCC由VBAT(為鋰電池)供電。
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流...
推挽式開關(guān)電源2個(gè)開關(guān)管誰(shuí)先起振
推挽式開關(guān)電源是一種常見(jiàn)的開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要由兩個(gè)開關(guān)管組成,分別是P溝道MOS管和N溝道MOS管。在這兩個(gè)開關(guān)管中,誰(shuí)先起振取決于電路的工作條件...
2023-12-08 標(biāo)簽:MOS管短路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 1991 0
基于數(shù)學(xué)模型用Matlab-simulink進(jìn)行建模仿真驗(yàn)證
目前國(guó)內(nèi)外關(guān)于永磁同步電機(jī)的界定是根據(jù)定子電流波形對(duì)無(wú)刷直流電機(jī)(BLDCM)與永磁同步電機(jī)(PMSM)進(jìn)行界定,將電流波形為梯形波或者方波的無(wú)刷電機(jī)定...
2023-06-30 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)MOS管無(wú)刷電機(jī) 1990 0
MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,是一種廣泛應(yīng)用于集成電路中的微型電子元件。 MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)...
開關(guān)模式電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則
開關(guān)模式電源(Switch Mode Power Supply),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一...
2022-09-23 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管變換器 1976 0
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 1973 0
MOS管是電子制造的基本元件,但面對(duì)不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí),該如何抉擇?有沒(méi)有省心、省力的遴選方法?
對(duì)于DC-DC變換器的效率提升,需要有低電壓、大電流的MOS管來(lái)優(yōu)化代換。畢竟同步整流技術(shù)是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取代整流二極管,從而大大...
2023-12-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管變換器 1933 0
常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后,經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。
2023-06-19 標(biāo)簽:二極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1929 0
如何實(shí)現(xiàn)一種輸入沖擊電流抑制電路設(shè)計(jì)?
在開關(guān)電源的輸入端存在容量較大的電容,由于電容兩端電壓不能突變的特性,設(shè)備接通瞬間電容相當(dāng)于短路,這就導(dǎo)致開關(guān)電源輸入回路在接通瞬間有很大的沖擊電流,當(dāng)...
無(wú)刷電機(jī)控制基礎(chǔ)(1)——結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路
無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。
2022-12-27 標(biāo)簽:線圈MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1920 0
通常情況下的三極管(或者M(jìn)OS管)驅(qū)動(dòng)電路如下所示,使用LED代替負(fù)載(例如電機(jī)或者其他等),當(dāng)三極管基極的控制IO輸出高電平時(shí)三極管導(dǎo)通,LED燈...
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1906 0
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種重要的電子器件。它的工作原理基于半導(dǎo)體材料與金屬電極之間的界面效應(yīng)。
2023-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管開關(guān)器件 1895 0
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