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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景解析
那這兩張圖是完全等價(jià)的,我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口,也就是有三個(gè)引腳,分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要,只要記住他...
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。
2023-07-13 標(biāo)簽:三極管IC設(shè)計(jì)MOS管 2256 0
自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用
根據(jù)電容公式,i=C*du/dt,得知du/dt=i/C,故電容兩端電壓從0升到VDD時(shí),取決于電流和電容的比值。容值一定時(shí),電流越大,電壓上升越快;電...
求一種電流前饋雙閉環(huán)PI控制器逆變仿真設(shè)計(jì)方案
逆變器的控制方法有:PID控制、滯環(huán)控制、無(wú)差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。
在ROS學(xué)習(xí)平臺(tái)中常常使用到的直流電機(jī)控制原理與驅(qū)動(dòng)電路
在使用ROS機(jī)器人構(gòu)建地圖的過(guò)程中,需要在房間內(nèi)自主運(yùn)行,采集地圖信息。這個(gè)過(guò)程中需要控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn),電機(jī)的轉(zhuǎn)速,以適應(yīng)機(jī)器人直行,轉(zhuǎn)彎等動(dòng)作。
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū),其中一個(gè)稱源,用S表示,...
三極管和MOS管的基本特性 三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。
2023年是演藝表演恢復(fù)增長(zhǎng)的重要一年,僅上半年全球范圍的演唱會(huì)數(shù)量同比增長(zhǎng)30%。這意味著將帶動(dòng)上下游的產(chǎn)業(yè),其中舞臺(tái)音響功放就是一個(gè)核心的增長(zhǎng)極。對(duì)...
電源防反接(也稱作反接保護(hù))是一種電子電路設(shè)計(jì)中非常重要的環(huán)節(jié),主要用于防止電源(如電池)的正負(fù)極被錯(cuò)誤連接導(dǎo)致的系統(tǒng)損壞或故障。在實(shí)際應(yīng)用中,反接保護(hù)...
2023-12-25 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 2230 0
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對(duì)器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
公牛車充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451
在快節(jié)奏的生活中,手機(jī)已成為人們不可或缺的工具。對(duì)于經(jīng)常開(kāi)車出門(mén)的人來(lái)說(shuō),在車上給手機(jī)充電已經(jīng)成為剛需,因此車載充電器是很多車主的不二之選,它能便捷地解...
功率變換電路圖講解 簡(jiǎn)單的功率變換電路及原理說(shuō)明
有關(guān)電子電路的知識(shí),一例功率變換電路,介紹了MOS管的工作原理,常見(jiàn)MOS管的工作原理圖,并介紹了推挽式功率變換電路和有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率變換電路,下面與...
介紹一個(gè)使用單個(gè)MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路
我們?nèi)粘9ぷ髦袝?huì)經(jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景,尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換,或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求
簡(jiǎn)單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比,氮化鎵結(jié)構(gòu)的特性。然后從消費(fèi)類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況,重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域...
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