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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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元器件深入開(kāi)發(fā)指南 | 阻容、電感、二極管與MOS管(文末領(lǐng)資料)
成長(zhǎng)計(jì)劃 元器件深入開(kāi)發(fā)指南 工程師成長(zhǎng)計(jì)劃第十八期, 硬聲UP主:硬件工程師煉成之路 ,從工程師實(shí)戰(zhàn)的角度,深入電阻、電容、電感、二極管與MOS管的特...
看下圖,R10和R7就是下拉電阻,這兩個(gè)電阻有什么作用呢?我們要先了解下什么是下拉電阻。
2022-11-23 標(biāo)簽:下拉電阻開(kāi)關(guān)電源MOS管 2446 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它在電子電路中扮演著開(kāi)關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成:源極(S...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管電子電路半導(dǎo)體器件 2444 0
使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r(shí),在控制極加合適的電壓,可以讓MOS管飽和導(dǎo)通,這樣通過(guò)電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。
我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...
?基礎(chǔ)回顧:電阻、電容、電感、二極管、三極管、MOS管
電阻元件的電阻值大小一般與溫度,材料,長(zhǎng)度,還有橫截面積有關(guān),衡量電阻受溫度影響大小的物理量是溫度系數(shù),其定義為溫度每升高1℃時(shí)電阻值發(fā)生變化的百分?jǐn)?shù)。
如何選擇一款優(yōu)質(zhì)的MOS管來(lái)讓自身的太陽(yáng)能控制器更加可靠呢?
MOS管在太陽(yáng)能控制器中是非常重要的存在,它直接影響到充電控制的精度,系統(tǒng)的效率和可靠性,以及最終影響整個(gè)太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能和壽命。
2024-01-11 標(biāo)簽:控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2439 0
基于TL431搭建的過(guò)壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)分析
當(dāng)VIN低于保護(hù)點(diǎn)13.8V以下時(shí),電路輸出VOUT正常,當(dāng)VIN輸入電壓高于13.8V時(shí),TL431陰極導(dǎo)通,三極管Q2基極導(dǎo)通,MOS管的GS極被Q...
2023-08-03 標(biāo)簽:三極管過(guò)壓保護(hù)MOS管 2433 0
如何用一個(gè)按鍵開(kāi)關(guān)控制單片機(jī)(一鍵開(kāi)關(guān)機(jī))
按下K,電源通過(guò)4007為整個(gè)系統(tǒng)供電,AVR開(kāi)始工作。此時(shí)PB1為高電平。注意,電源來(lái)源是連接器旁邊的+5V。
友恩充電器芯片U6101選型參考5V-12A~1A、12V-5A~1A,外推MOS,可兼容多種啟動(dòng)供電模式。
電流前饋P+PI控制器設(shè)計(jì)如何實(shí)現(xiàn)?
逆變器的控制方法有:PID控制、滯環(huán)控制、無(wú)差拍控制、重復(fù)控制、比例諧振控制、智能控制。各種控制方式都有自身的優(yōu)缺點(diǎn)。
三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí)如何選擇?
三極管和MOS管都是很常用的電子元器件,兩者都可以作為電子開(kāi)關(guān)管使用,而且很多場(chǎng)合兩者都是可以互換使用的。三極管和MOS管作為開(kāi)關(guān)管時(shí),有很多相似之處,...
2022-12-22 標(biāo)簽:三極管MOS管開(kāi)關(guān)管 2420 0
普賽斯儀表 | 二極管/三極管/MOS管電性能測(cè)試解決方案
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之—是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表,還可用作精密電子負(fù)載,其高...
穩(wěn)壓二極管,學(xué)名齊納二極管;網(wǎng)傳有降血壓的用處(假的),既然不能降血壓,那么穩(wěn)壓二極管會(huì)在什么電路里用到呢?
2023-09-15 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓二極管過(guò)壓保護(hù) 2416 0
一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來(lái)源有三個(gè):基本的MO...
寄生二極管和普通二極管一樣,正接會(huì)導(dǎo)通,反接截止,對(duì)于NMOS,當(dāng)S極接正,D極接負(fù),寄生二極管會(huì)導(dǎo)通,反之截止;對(duì)于PMOS管,當(dāng)D極接正,S極接負(fù),...
2023-03-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管IGBT 2408 0
教你如何計(jì)算MOS管的開(kāi)關(guān)電路(二)
負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開(kāi)關(guān),使用更加廣泛,無(wú)論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒(méi)有額外電流損耗。
MOSFET工作在飽和區(qū)時(shí),具有信號(hào)放大功能,柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導(dǎo)保持一定的約束關(guān)系,柵極的電壓和漏極的電流的關(guān)系就是MOSFET的傳輸特性。
為什么在MOS管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中使用三極管容易燒壞?如何解決?
MOS管作為一種常用的開(kāi)關(guān)元件,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和低功耗等優(yōu)點(diǎn),因此在許多電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用。
2024-02-21 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路濾波電容 2400 0
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