mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

什么是IGBT？IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。

2023-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 IGBT 2400 0

Class-D功放電路如何選擇比較好的國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商進(jìn)行替代

對(duì)于Class-D功放電路的電子元器件使用，在MOS管領(lǐng)域會(huì)有哪一款產(chǎn)品比較適合應(yīng)用于該場(chǎng)景呢？是否有比較好的代換型號(hào)？

2022-09-08 標(biāo)簽：功放功放電路 MOS管 2399 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法

MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量，以確保其符合設(shè)計(jì)要求，從而保障MOS管的正常工作。簡(jiǎn)單介紹幾種常見(jiàn)的測(cè)試方法，并給出相應(yīng)的...

2024-07-23 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 2398 0

MOS管寄生參數(shù)的定義與分類(lèi)

MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及...

2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管寄生參數(shù) 2396 0

MOS管為什么還要考慮電流大小呢？

當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，我們會(huì)使用推挽電路來(lái)放大電流，但是MOS管明明是壓控型器件，為什么要去考慮電流大小呢？

2024-04-28 標(biāo)簽：三極管電流 MOS管 2390 1

幾種優(yōu)化EM的有效措施

由于電遷移效應(yīng)，金屬線(xiàn)可能會(huì)斷裂并短路。EM會(huì)增加導(dǎo)線(xiàn)電阻，這會(huì)導(dǎo)致電壓下降，從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開(kāi)路，它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。

2023-11-30 標(biāo)簽：電流 MOS管電源模塊 2384 0

用光耦代替光敏電阻

光敏電阻的阻值在沒(méi)有光的時(shí)候最大。光照強(qiáng)度升高，光敏電阻的阻值降低。

2023-03-23 標(biāo)簽：led 光敏三極管 MOS管 2376 0

MOS管的參數(shù)縮寫(xiě)

描述：MOSFET的最大允許電壓。參數(shù)：額定電壓 - VR (Voltage Rating)

2024-01-26 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 2371 0

PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案

MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗...

2022-10-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PFC 2368 0

MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱(chēng)之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFE...

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFET BUCK MOS管 2367 0

深入探討MOS管的工作原理

　　以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。

2023-02-03 標(biāo)簽：MOS管晶體管 MOS 2367 0

MOS晶體管的靜態(tài)特性(二)

短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同，主要原因是速度飽和效應(yīng)。載流子的速度正比于電場(chǎng)，遷移率是一個(gè)常數(shù)，當(dāng)溝道電場(chǎng)達(dá)到某一臨界...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOS管晶體管 MOS 2366 0

CMOS平面互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝流程

典型的襯底是p型硅或絕緣體上硅（SOI)，其直徑為 200mm 或300mm；在多層銅互連中，最上面兩層金屬較厚（常被用于制造電感或電容)，頂層的鋁層用...

2023-01-16 標(biāo)簽：CMOS MOS管 LDD 2365 0

輸入電源的防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)

在硬件設(shè)計(jì)中，關(guān)于電路保護(hù)的部分是保證系統(tǒng)可靠性的重要一環(huán)，電路保護(hù)的設(shè)計(jì)具體也包括很多方面，比如：防反設(shè)計(jì)，過(guò)流保護(hù)，過(guò)壓保護(hù)，欠壓保護(hù)，過(guò)熱保護(hù)等，...

2022-08-25 標(biāo)簽：電源二極管保護(hù)電路 2361 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET

MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管驅(qū)動(dòng)電流 2359 0

推挽式開(kāi)關(guān)電源mos管耐壓值是多少

推挽式開(kāi)關(guān)電源MOS管的耐壓值并不是一個(gè)固定的數(shù)值，而是需要根據(jù)具體的工作電壓和設(shè)計(jì)要求來(lái)確定。一般來(lái)說(shuō)，推挽式開(kāi)關(guān)電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)電壓波動(dòng) 2359 0

如何區(qū)分MOS管，“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹

讓我們來(lái)看看MOS管，分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別，怎么用吧。而且，我們不談原理，只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來(lái)看。

2022-12-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 2350 0

上P下N和上N下P推挽電路原理圖解

在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。

2023-06-06 標(biāo)簽：三極管原理圖場(chǎng)效應(yīng)管 2348 0

BUCK電流的工作過(guò)程中電感的作用是什么？

只要是電子產(chǎn)品就需要供電，就離不開(kāi)電源，那什么是電源：小到手表中的電子，遙控器的電源，大到220V家庭用電，都可以看做是電源。然而在我們的電路設(shè)計(jì)中，會(huì)...

2023-09-19 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管電感 2342 0

氮化鎵MOS管有寄生二極管嗎

氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開(kāi)關(guān)速度...

2024-01-10 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵金屬 2341 0

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過(guò)壓保護(hù)電路

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COB

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dcdc轉(zhuǎn)換器

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
檢測(cè)電路圖

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過(guò)流保護(hù)電路

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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
VHF

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逆變器電路圖

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功放制作

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功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
電源濾波器

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電源濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路，又名“電源EMI濾波器”，或是“EMI電源濾波器”，一種無(wú)源雙向網(wǎng)絡(luò)，它的一端是電源，另一端是負(fù)載。電源濾波器的原理就是一種——阻抗適配網(wǎng)絡(luò)：電源濾波器輸入、輸出側(cè)與電源和負(fù)載側(cè)的阻抗適配越大，對(duì)電磁干擾的衰減就越有效。
LED手電筒

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LED球泡燈

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LED球泡燈是外觀采用人們已經(jīng)習(xí)慣的燈泡外形-球形，內(nèi)部光源選擇的是LED芯片。具備所有LED燈具的優(yōu)點(diǎn)：1、節(jié)能，環(huán)保；2、使用壽命長(zhǎng)；3、無(wú)頻閃，綠色。
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CX20106A

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LED臺(tái)燈

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LED臺(tái)燈就是以L(fǎng)ED即發(fā)光二極管為光源的臺(tái)燈，LED是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。其使用的LED照明技術(shù)是第三代照明技術(shù)。LED臺(tái)燈使用產(chǎn)生的藍(lán)光會(huì)對(duì)眼睛造成傷害，但也有一系列優(yōu)點(diǎn)。
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全橋整流電路

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　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
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信號(hào)放大電路

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智能風(fēng)扇

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電流檢測(cè)放大器

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電流檢測(cè)放大器通過(guò)測(cè)量電流通道上電阻的壓降檢測(cè)電流的放大器，電流檢測(cè)放大器輸出與被測(cè)電流成正比的電壓或電流?？梢园央娏鳈z測(cè)放大器可看成一個(gè)輸入級(jí)浮置的儀表/差分放大器。
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倒相電路

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行程開(kāi)關(guān)

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行程開(kāi)關(guān)，位置開(kāi)關(guān)（又稱(chēng)限位開(kāi)關(guān)）的一種，是一種常用的小電流主令電器。利用生產(chǎn)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的碰撞使其觸頭動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐?，達(dá)到一定的控制目的。通常，這類(lèi)開(kāi)關(guān)被用來(lái)限制機(jī)械運(yùn)動(dòng)的位置或行程，使運(yùn)動(dòng)機(jī)械按一定位置或行程自動(dòng)停止、反向運(yùn)動(dòng)、變速運(yùn)動(dòng)或自動(dòng)往返運(yùn)動(dòng)等。
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火線(xiàn)

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單相電路里的兩根供電電線(xiàn)，一根叫火線(xiàn)（學(xué)名相線(xiàn)），另一根則叫零線(xiàn)（學(xué)名中性線(xiàn)）?；鹁€(xiàn)和零線(xiàn)的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線(xiàn)和零線(xiàn)一旦碰起來(lái)，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線(xiàn)和零線(xiàn)的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線(xiàn)燒得熔化。
調(diào)理電路

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A類(lèi)放大器

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