mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

影響MOS管開關(guān)速度的因素有哪些

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的開關(guān)速度是指其從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)（或反之）所需的時(shí)間，這個(gè)時(shí)間包括上升時(shí)間和下降時(shí)間，分別對(duì)應(yīng)輸出電壓從...

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2024-10-09 標(biāo)簽：MOSFET MOS管晶體管 3756 0

TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)

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米勒平臺(tái)造成的對(duì)管開啟

在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就...

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逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響

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2024-10-08 標(biāo)簽：MOSFET MOS管逆變器 1364 0

為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)

高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。

2024-10-08 標(biāo)簽：開關(guān)負(fù)載 MOS管 2556 0

Buck電路和Boost電路的工作原理

Buck電路，也就是常說的降壓電路，為直流進(jìn)-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個(gè)地。下圖為Buck電路的簡化示意圖。

2024-10-08 標(biāo)簽：MOS管 boost電路 buck電路 4994 0

加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路的工作原理

在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)技術(shù)是提高M(jìn)OS管開關(guān)速度和效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。由于MOS管通常具有慢開快關(guān)的特性，因此，在關(guān)斷瞬間，驅(qū)動(dòng)電路需要提供一個(gè)...

2024-09-26 標(biāo)簽：二極管 MOS管關(guān)斷電路 1153 0

MOS管電源IC直接驅(qū)動(dòng)電路

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2024-09-26 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 610 0

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2024-09-24 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻開關(guān)電路 MOS管 1083 0

mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)...

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mos管gs之間電阻阻值怎么選

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...

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mos管g極和s極串聯(lián)電阻作用一樣嗎

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mos管柵極電壓控制多少最好

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MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為電子工...

2024-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 1432 0

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