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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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合科泰分立器件在吹風(fēng)機(jī)上的應(yīng)用
作為一種高頻使用的電動(dòng)產(chǎn)品,吹風(fēng)機(jī)通常由電熱絲、高轉(zhuǎn)速小風(fēng)扇以及電路板等組成。吹風(fēng)機(jī)通常有金屬型吹風(fēng)機(jī)和塑料型吹風(fēng)機(jī),靠電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)子帶動(dòng)風(fēng)葉旋轉(zhuǎn)形成的...
2024-10-27 標(biāo)簽:整流器MOS管吹風(fēng)機(jī) 665 0
作為一種重要的電子元件,MOS管在電子電路中扮演著關(guān)鍵角色,MOS管由源極、柵極、漏極組成,MOS管在開(kāi)關(guān)電路中,通過(guò)柵極控制源極和漏極的通斷,它具有高...
2024-10-21 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管合科泰 603 0
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 1353 0
電源的PCB導(dǎo)致的問(wèn)題比較多,而且通常比較嚴(yán)重,是我們PCB審查的重點(diǎn),在PCB審查中,電源問(wèn)題占檢視問(wèn)題總數(shù)的比例也是比較大的。審查的思路就是從電源連...
本期的講的是 另一種形式的推挽電路 。實(shí)現(xiàn)功能為,當(dāng)PWM為高電平時(shí),VOUT輸出電平為低電平,關(guān)斷MOS管Q3;當(dāng)PWM為低電平時(shí),VOUT輸出高電平...
震驚!電源開(kāi)不了機(jī),原來(lái)是這個(gè)原因……
我本次調(diào)試使用的是來(lái)自成都啟臣微與深圳思睿達(dá)的副邊芯片CR5268TN,此IC是核封了一顆650V的MOS管,無(wú)需外置MOS,所以畫(huà)板會(huì)更為方便,工作頻...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。其工作環(huán)境溫度范圍通常在-40℃至85℃之間,這是大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)M...
合科泰MOS管HKTD5N20的應(yīng)用領(lǐng)域
本期,合科泰給大家推薦一款應(yīng)用廣泛的MOS 管產(chǎn)品,它在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED和電源上有重要應(yīng)用。
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的泄漏電流是指在MOS管關(guān)斷狀態(tài)下,從源極或漏極到襯底之間仍然存在的微弱電流。這些泄漏電流可能對(duì)電路的性能和穩(wěn)定...
MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管作為常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定,還受到多種寄生參...
開(kāi)關(guān)MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)...
MOS管的工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的通道電阻,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí),通道電阻迅速減小,形成導(dǎo)電通道,使得...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)溫度過(guò)高會(huì)引發(fā)一系列故障,這些故障不僅影響MOS管本身的性能,還可能對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)造成損害。以下是對(duì)MOS管溫度...
MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是一種常用的電子元件,在電路中起著開(kāi)關(guān)、放大等重要作用。然而,在某些情況下,MOS管可能會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象,導(dǎo)致其失...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)關(guān)速度是指其從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)(或反之)所需的時(shí)間,這個(gè)時(shí)間包括上升時(shí)間和下降時(shí)間,分別對(duì)應(yīng)輸出電壓從...
BUCK電路,又稱為降壓電路,是一種常見(jiàn)的直流至直流(DC-DC)電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。它的主要特點(diǎn)是輸入電壓高于輸出電壓,且輸出電流為連續(xù)的,而輸入電流則為脈...
TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中,有這種現(xiàn)象。如下圖,一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候,會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V,這就...
逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響
逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insula...
為什么PMOS作為高側(cè)開(kāi)關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開(kāi)關(guān)就是負(fù)載是接地的,開(kāi)關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位,如下圖所示。如果將開(kāi)關(guān)和負(fù)載的位置互換,就是低側(cè)開(kāi)關(guān)。
2024-10-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)負(fù)載MOS管 3145 0
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