mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管柵極串聯(lián)電阻作用的研究

在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導(dǎo)線，柵極電壓過高擊穿MOS管。

2023-01-10 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管 pcb 1502 0

二極管/三極管/MOS管的封裝類型

二極管常見的封裝類型，DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等，相信大家都很熟悉。

2023-04-28 標(biāo)簽：三極管二極管半導(dǎo)體 1501 0

常見的電壓電流轉(zhuǎn)換電路仿真分析

電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負(fù)載的...

2024-03-27 標(biāo)簽：傳感器 MOS管電流信號 1499 0

開關(guān)電源同步整流和非同步整流有什么區(qū)別？

同步若在電路中續(xù)流回路中使用的也是 MOS 管（Q2），即上下管都是 MOS 管，因?yàn)?MOS 管本身是需要外控制的元器件，整流過程中必須根據(jù)電源的開關(guān)...

2024-01-05 標(biāo)簽：開關(guān)電源 BUCK MOS管 1499 0

MOS管集成電路的十條使用操作準(zhǔn)則

柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。

2019-01-12 標(biāo)簽：集成電路 mos管 1488 0

信號完整性學(xué)習(xí)筆記之GPIO原理

每個(gè)GPIO內(nèi)部都有這樣的一個(gè)電路結(jié)構(gòu)，這個(gè)結(jié)構(gòu)在本文下面會具體介紹。

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管信號完整性觸發(fā)器 1487 0

MOS管寄生參數(shù)的影響

MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）管作為常見的半導(dǎo)體器件，在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定，還受到多種寄生參...

2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管寄生參數(shù) 1483 0

開關(guān)電源差模傳導(dǎo)發(fā)射抑制措施分析

開關(guān)電源的差模傳導(dǎo)發(fā)射從源頭上解決就是減小開關(guān)電流的頻譜包絡(luò)，從而減小噪聲源的各個(gè)頻率分量。

2023-09-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波電容 MOS管 1479 0

用于4G斷電報(bào)警器供電的切換電路設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一個(gè)用于4g斷電報(bào)警器供電的切換電路。

2023-09-25 標(biāo)簽：鋰電池二極管報(bào)警器 1472 0

開關(guān)電源設(shè)計(jì)案例（一）

提起電源設(shè)計(jì)，那肯定會提到的就是開關(guān)電源，應(yīng)用范圍也十分廣，但是開關(guān)電源的理解可能也會難到一部分人。開關(guān)電源是利用電子開關(guān)器件比如晶體管，MOS管等來...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOS管晶體管開關(guān)器件 1470 0

MOS管的基本參數(shù)分析

在高速H橋應(yīng)用中，MOS管內(nèi)部的反向并聯(lián)寄生二極管的響應(yīng)速度指標(biāo)Trr，也就是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間這個(gè)指標(biāo)很重要，否則容易炸機(jī)，下圖為高速二極管。

2024-01-18 標(biāo)簽：二極管 MOS管寄生 1466 0

太陽能逆變器怎么選IGBT？

中國已是IGBT全球最大的市場，其需求的增長主要是新能源的增長帶來的，其中新能源汽車、光伏等需求更是核心的增長。由于需求的增長，IGBT單管常常是處于供...

2023-11-07 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 太陽能逆變器 1466 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個(gè)題目，可能不少朋友都會滿臉問號，我們知道cell內(nèi)部會有l(wèi)eakage，難道cell與cell之間也會有l(wèi)eakage嗎？

2023-12-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管 Layout 1462 0

高壓MOS管在高速吹風(fēng)機(jī)中的應(yīng)用

高速吹風(fēng)機(jī)的高轉(zhuǎn)速，主要來自直流三相無刷電機(jī)，利用其結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高、調(diào)速性能好、壽命長、無換向火花、輸出轉(zhuǎn)矩大、體積小、重量輕的優(yōu)點(diǎn)，與吹風(fēng)機(jī)進(jìn)行結(jié)合。

2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFET MOS管吹風(fēng)機(jī) 1459 0

MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動技術(shù)

咱們做電子的，幾乎都會用到MOS管，也遇到過MOS管炸裂的情況。小功率MOS炸裂時(shí)，沒什么感覺，大功率就不一樣，震耳欲聾，感覺在以命相搏。

2022-09-21 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 1452 0

雙向電平轉(zhuǎn)換電路圖基于單個(gè)MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)

我們?nèi)粘９ぷ髦袝?jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景，尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換，或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求，還有比如兩個(gè)處理器之間的串口通訊，一...

2023-08-22 標(biāo)簽：處理器芯片電路圖 1448 0

一種快速設(shè)計(jì)射頻功放IC流程分享

在功率放大器PA中，輸出級以及輸出匹配決定了該功放的線性度、效率等關(guān)鍵性能指標(biāo)，通常被優(yōu)先考慮。

2023-11-29 標(biāo)簽：變壓器功率放大器 MOS管 1439 0

為什么PWM驅(qū)動采用圖騰柱而不是互補(bǔ)推挽？

推挽電路的應(yīng)用非常廣泛，比如單片機(jī)的推挽模式輸出，PWM控制器輸出，橋式驅(qū)動電路等。

2023-06-09 標(biāo)簽：三極管控制器 MOS管 1433 0

應(yīng)用于汽車功放電路的FHP45N20W場效應(yīng)管

如何能夠從品質(zhì)提升自己的產(chǎn)品力，進(jìn)而獲取市場青睞。對于汽車音響功放，選用一款能替代國外IRFB38N20D型號參數(shù)的MOS管尤為重要。

2022-10-28 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管 1428 0

從實(shí)用的角度聊聊MOS管

大家好，當(dāng)我說到MOS管的時(shí)候呢，你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。

2022-11-18 標(biāo)簽：MOS管 NMOS 晶體管 1425 0

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