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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的G極(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOS管振蕩電路 1352 0
一款天文應(yīng)用的640×512 HgCdTe焦平面讀出電路設(shè)計(jì)
紅外載荷中的核心部件是紅外焦平面探測器。由于天文觀測具有背景輻射極低、光子通量極低的特點(diǎn)
48V通訊電源能有什么國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)MOS管使用呢?
就目前市場來看,48V通訊電源能有什么國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)MOS管使用呢?除常見可使用IPP030N10N3G參數(shù)型號。
2023-01-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源場效應(yīng)管MOS管 1348 0
在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。
2022-12-22 標(biāo)簽:MOS管 1343 0
電路設(shè)計(jì)的問題是讓MOS管在線工作,而不是在開關(guān)狀態(tài)下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓比電源高幾V,P-MOS就相反了...
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。
UPS不間斷電源建議選用170N1F4A場效應(yīng)管優(yōu)化電路!
隨著數(shù)字化、人工智能化的大時(shí)代推進(jìn),未來電力能源必然是核心競爭力的重要一環(huán)。如何確保電力能源的持續(xù)不間斷,UPS不間斷電源正是其中重要的產(chǎn)品之一。
2024-03-04 標(biāo)簽:UPS場效應(yīng)管MOS管 1325 0
不知道是真的還是假的, 今天看到一部短片,?其中短片作者利用石墨烯粉末徒手制作了一個(gè)場效應(yīng)管,? 并將其應(yīng)用在搭建的多諧振蕩電路中。這一點(diǎn)的確感到令人驚...
以TTL 5V和CMOS 3.3V為例,他們的高低電平范圍不一樣,如果不進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換,邏輯則是混亂的。
在設(shè)計(jì)驅(qū)動電路時(shí),經(jīng)常會用到MOS管做開關(guān)電路,而在驅(qū)動一些大功率負(fù)載時(shí),主控芯片并不會直接驅(qū)動大功率MOS管,而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極...
MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件,它們在電力電子、能量轉(zhuǎn)換、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開關(guān)器件,但它...
BUCK電路是一種降壓型電路,它的特征是輸出電壓低于輸入電壓,通過控制MOS管的占空比,可以將高電壓轉(zhuǎn)換至低電壓,轉(zhuǎn)換效率較高。
2023-09-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管smps 1313 0
MPPT控制器是由DC/DC buck/boost轉(zhuǎn)換器和一個(gè)嵌入式微處理器構(gòu)成。在太陽能電池板的應(yīng)用中,最大峰值功率跟蹤器(MMPT)電路內(nèi)置于高效率...
2023-12-01 標(biāo)簽:控制器場效應(yīng)管MOS管 1313 0
電力場效應(yīng)管,特別是指電力MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一種重要...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1313 0
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