功率MOS管的損壞機(jī)理介紹
此文主要參考renasus功率二極管應(yīng)用說(shuō)明，考慮大部分人比較懶，有針對(duì)性的分成幾個(gè)部分，第一個(gè)部分是介紹，就是本文，以后會(huì)把對(duì)策
2009-11-21 10:48:58
2894 做開(kāi)關(guān)電源尋找MOS功率管時(shí)，對(duì)其電流參數(shù)不理解，Continuous Drain Current (Package limited)=100A，Continuous Drain Current
2018-01-09 12:08:26
? 1、功率損耗的原理圖和實(shí)測(cè)圖 一般來(lái)說(shuō)，MOS管開(kāi)關(guān)工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以
2018-11-09 11:43:12
請(qǐng)較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發(fā)生，最近一產(chǎn)品在家里面用從來(lái)沒(méi)有壞過(guò)！但是拿出去用很容易損壞！條件沒(méi)什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
本帖最后由 菜鳥(niǎo)到大神 于 2020-5-17 21:24 編輯
MOS管類型MOS管有N溝道型和P溝道型兩種，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理的不同又可分為耗盡型和增強(qiáng)型。因此，MOS管可構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型、P
2020-05-17 21:00:02
損耗的限制形成一個(gè)工作區(qū)域，稱為安全工作區(qū)，如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過(guò)高而損壞。2、器件手冊(cè)SOA曲線圖:示波器的測(cè)試應(yīng)用非常簡(jiǎn)單，使用電壓、電流探頭正常測(cè)試開(kāi)關(guān)管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
產(chǎn)生過(guò)熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對(duì)MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測(cè)試中被察覺(jué)而排除
2017-08-22 10:31:15
元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對(duì)MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測(cè)試中被察覺(jué)而排除，影響較少。如果
2017-06-01 15:59:30
MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（想想U(xiǎn)=Q/C）將管子損壞），又因
2016-07-21 10:55:02
驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。接下來(lái)我們來(lái)了解MOS管發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)。1、芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片
2015-12-16 15:53:00
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
MOS管，三極管屬于兩種不同類型管子， 它們的區(qū)別在于，MOS管是單極性管子而三極管屬于雙極性管子，這個(gè)單極性和雙極性
2012-07-09 17:03:56
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式，N溝道和P溝道都有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
mos管相比于三極管，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所以越來(lái)越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計(jì)，哪怕是小功率mos管，也會(huì)導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡(jiǎn)單的，最后變得更加復(fù)雜。這幾年來(lái)一直做高頻
2018-11-21 14:43:01
大功率電源的PFC電路中，根據(jù)MOS管的Qg和導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流約5A。按照一般的說(shuō)法，如果驅(qū)動(dòng)電流設(shè)計(jì)的太大，會(huì)引起電壓過(guò)沖和振蕩，除此之外，還會(huì)有什么不利后果？會(huì)損壞MOS管嗎？根據(jù)經(jīng)驗(yàn)一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
的正確的選擇方法?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">一步：選用N溝道還是P溝道 為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成
2020-07-10 14:54:36
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)?？匆?jiàn)在每個(gè)橋臂的MOS管G極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD（電阻+二極管+電容）電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管
2018-11-14 09:24:34
通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。五、損耗功率初算 MOS管損耗計(jì)算主要包含如下8個(gè)部分： PD
2019-12-10 17:51:58
今天小編給大家?guī)?lái)的是步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器MOS管損壞了我們應(yīng)該怎么去解決，這個(gè)mos管在步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器上也還是較重要的，一旦這個(gè)som管燒毀了步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器外面的保險(xiǎn)絲也會(huì)被燒毀，整個(gè)設(shè)備也會(huì)受到影響不能
2017-03-31 14:15:39
正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！ ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型
2019-02-14 11:35:54
我們?cè)谝?guī)劃制作電子捕魚(yú)器時(shí)，有兩種器材是必不可少的，一種是高頻機(jī)的功率MOS管，首要用在高頻電子捕魚(yú)器中，另一種是低頻電魚(yú)機(jī)中的三極管，首要用于低頻捕魚(yú)器中，這兩種元器材在運(yùn)用中究竟有些什么區(qū)別呢
2019-05-30 00:34:14
大體積和小體積兩種，主要區(qū)別在于電流值不同。DFN：體積上，較SOT-23大，但小于TO-252，一般在低壓和30A以下中壓MOS管中有采用，得益于產(chǎn)品體積小，主要應(yīng)用于DC小功率電流環(huán)境中。MOS管
2019-01-11 16:25:46
什么是 MOS 管?MOS 管一般指 pmos。PMOS 是指 n 型襯底、p 溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的 MOS 管。電源反接，會(huì)給電路造成損壞，不過(guò)，電源反接是不可避免的。所以，我么就需要
2020-11-16 09:22:50
網(wǎng)上查詢到的MOS管防過(guò)壓原理圖，求大神解析原理，跪謝！
2022-10-13 09:37:04
也是不允許的。下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種
2011-11-07 15:56:56
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-03 07:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 08:00:00
，發(fā)熱也會(huì)增大，極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS管開(kāi)關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種
2019-07-05 07:30:00
mos管的驅(qū)動(dòng)電流如何設(shè)計(jì)呢
如果已經(jīng)知道MOS的Qg
恒壓模式下如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)管的電流
恒流模式下設(shè)置多大電流呢
2023-06-27 22:12:29
三極管選型要看功率結(jié)合進(jìn)行選型，那么MOS管需要結(jié)合功率選型嗎？看了很多MOS管選型，就是考慮VDS ，VGS， 等效電阻，損耗，結(jié)溫，就是沒(méi)有考慮MOS管的功率，請(qǐng)問(wèn)MOS選型是不是可以自動(dòng)忽略功率這項(xiàng)參數(shù)，我用的是AO3400驅(qū)動(dòng)150mA的電機(jī)。有老哥知道不，請(qǐng)解答下。
2020-11-27 22:58:39
號(hào)的MOS管，要考慮到其輸入電容這一參數(shù)。例如有一款42寸液晶電視的背光高壓板損壞，經(jīng)過(guò)檢查是內(nèi)部的大功率MOS管損壞，因?yàn)闊o(wú)原型號(hào)的代換，就選用了一個(gè)，電壓、電流、功率均不小于原來(lái)的MOS管替換
2019-04-11 12:04:23
式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品，使得表面貼裝市場(chǎng)需求量不斷增大，也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。TO-252(又稱之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。``
2019-04-12 11:39:34
來(lái)搭建H橋，一般常用的元器件是三極管，MOS管，三極管的電路比較簡(jiǎn)單，但有一個(gè)問(wèn)題，CE極導(dǎo)通的時(shí)候會(huì)有一個(gè)0.7V左右的壓降，從而使加到電機(jī)上電壓減小，采用MOS管可以很好的解決這個(gè)問(wèn)題，MOS管導(dǎo)
2018-05-23 18:37:13
一個(gè)簡(jiǎn)單的NPN+P_MOS開(kāi)關(guān)控制，負(fù)載是850nm激光二極管，驅(qū)動(dòng)MCU是STC15F2。現(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，本人菜鳥(niǎo)不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點(diǎn)一二
2018-08-29 18:06:20
，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個(gè)差距可能很大。Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；過(guò)壓
2021-07-05 07:19:31
過(guò)程。 比如一個(gè)mos最大電流100a，電池電壓96v，在開(kāi)通過(guò)程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)）mos發(fā)熱功率是P=V*I(此時(shí)電流已達(dá)最大，負(fù)載尚未跑起來(lái)，所有的功率都降落在MOS管上)，P=96
2020-06-26 13:11:45
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐罚骸 《?、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
功率最大（更粗線表示）。所以一定充電電流下，紅色標(biāo)注區(qū)間總電荷小的管子會(huì)很快度過(guò)，這樣發(fā)熱區(qū)間時(shí)間就短，總發(fā)熱量就低。所以理論上選擇Qgs和Qgd小的mos管能快速度過(guò)開(kāi)關(guān)區(qū)。導(dǎo)通內(nèi)阻。Rds
2019-07-26 07:00:00
動(dòng)作。2、另一種灌流電路灌流電路的另外一種形式，對(duì)于某些功率較小的開(kāi)關(guān)電源上采用的MOS管往往采用了圖2-4-A的電路方式。圖2-4-A 圖2-4-B圖中 D為充電二極管，Q為放電三極管（PNP）。工作
2012-08-09 14:45:18
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 編輯
我在工作中遇到的一個(gè)案例，客戶端總是燒一個(gè)MOS 管的問(wèn)題。參考附圖！為什么總是損壞MOSFETQ8212？同一片主板上用料五顆，請(qǐng)高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
`逆變器是一種DC-AC的變壓器，將直流電轉(zhuǎn)變成交流電，它其實(shí)與轉(zhuǎn)化器一樣，是一種電壓逆變的過(guò)程。電子設(shè)計(jì)工程師都知道，逆變器廣泛應(yīng)用于各種家用電器中，包括電視、空調(diào)、冰箱、電腦等，而場(chǎng)效應(yīng)管在其
2019-08-10 16:05:34
溝道為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管
2018-10-19 10:10:44
?。?）為了安全使用MOS管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值?！ 。?）各類型MOS管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守MOS
2020-06-28 16:41:02
正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！ ∠旅媸俏覍?duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！ OSFET管FET的一種（另一種是JEFT），可以
2016-12-26 21:27:50
大，這樣接觸到靜電就有一個(gè)充電的過(guò)程，產(chǎn)生的電壓較小，引起擊穿的可能較小，再者現(xiàn)在的大功率MOS管在內(nèi)部的柵極和源極有一個(gè)保護(hù)的穩(wěn)壓管DZ（如下圖所示），把靜電嵌位于保護(hù)穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值以下，有效
2018-11-01 15:17:29
` 通常，由于磷酸鐵鋰電池的特性，在應(yīng)用中需要對(duì)其充放電過(guò)程進(jìn)行保護(hù)，以免過(guò)充過(guò)放或過(guò)熱，以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過(guò)程中一種極端惡劣的工作條件，本文將介紹功率MOS管在這種工作狀態(tài)
2018-12-11 11:42:29
。例如有一款42寸液晶電視的背光高壓板損壞，經(jīng)過(guò)檢查是內(nèi)部的大功率MOS管損壞，因?yàn)闊o(wú)原型號(hào)的代換，就選用了一個(gè)，電壓、電流、功率均不小于原來(lái)的MOS管替換，結(jié)果是背光管出現(xiàn)連續(xù)的閃爍（啟動(dòng)困難），最后
2019-02-23 16:23:40
關(guān)于怎樣確定MOS管是否會(huì)擊穿的問(wèn)題。在網(wǎng)上有看到大概兩種說(shuō)法：1.計(jì)算雪崩能量然后進(jìn)行判斷MOS管是否會(huì)損壞；2.計(jì)算MOS管結(jié)溫然后查出對(duì)應(yīng)的擊穿電壓。第一種不知道是要測(cè)所有的能量還是只是大于
2018-12-21 10:46:27
而影響后面的各項(xiàng)工作和事宜。立深鑫電子為大家總結(jié)出如何正確選取MOS管的四大法則。 法則之一：用N溝道orP溝道 選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中
2018-11-08 14:13:40
的四大法則。 法則之一：用N溝道orP溝道 選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)
2016-01-26 10:30:10
、MOS管電路工做原理：MOS管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件),具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小, MOS管是一種單極型晶體管,它只有一個(gè)P-N結(jié),在零偏壓
2019-04-16 11:20:05
第一步：選用N溝道或是P溝道 為規(guī)劃挑選正確器材的第一步是決議選用N溝道仍是P溝道MOS管。在典型的功率使用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在
2021-03-15 16:28:22
與晶體三極管的組合，MOS是作為輸入管，而晶體三極管作為輸出管。于是三極管的功率做的挺大，因此兩者組合后即得到了MOS管的優(yōu)點(diǎn)又獲得了晶體三極管的優(yōu)點(diǎn)。綜上所述的兩種晶體管，是目前電子設(shè)備使用頻率很高
2019-05-02 22:43:32
MOS管相比于三極管，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所以越來(lái)越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計(jì)，哪怕是小功率MOS管，也會(huì)導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡(jiǎn)單的，最后變得更加復(fù)雜。這幾年來(lái)一直做高頻
2018-11-27 14:11:15
哪位大神能幫忙分析下這個(gè)電路，安裝電池的過(guò)程中MOS管會(huì)有20%的損壞。除開(kāi)靜電的損壞，還有有其他可能沒(méi)有呢?
2018-09-11 13:36:23
` 1、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道
2018-10-18 18:15:23
電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體，使元件不能工作（完全破壞）;（3）因瞬間的電場(chǎng)軟擊穿或電流產(chǎn)生過(guò)熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對(duì)MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是
2018-10-22 15:35:34
的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種
2018-12-03 14:43:36
求各位大神推薦幾款MOS管,要求：1.低電壓導(dǎo)通2.中等功率，最大散耗功率5~50W均可3.價(jià)格適中，在市面上比較容易能買(mǎi)到NMOS PMOS均可
2017-10-25 14:32:14
Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)行，導(dǎo)致此二極管破壞的模式。第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生在并聯(lián)功率MOS FET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極
2019-03-13 06:00:00
上面因素。 五、選取耐壓BVDSS 在大多數(shù)情況下，因?yàn)樵O(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對(duì)固定的，公司選取特定的供應(yīng)商的一些料號(hào)，產(chǎn)品額定電壓也是固定的?！ ?shù)據(jù)表中功率MOS管的擊穿電壓BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
下?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
`` 本帖最后由 王棟春 于 2018-10-19 21:32 編輯
在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中,當(dāng)電源電壓在200v以下時(shí),主開(kāi)關(guān)功率器件一般都使用MOS管。所以深入了解MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2018-10-19 16:21:14
` 1、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管
2018-10-26 14:32:12
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐? 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di／dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆?！ ?)防止柵源極間過(guò)電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
的MOS管，而不會(huì)使用以前的三極管。但是性能再優(yōu)越，也會(huì)出現(xiàn)損壞的情況，那作為廠家來(lái)說(shuō)應(yīng)該怎么檢測(cè)MOS管是否損壞呢？ 電路中，如何判斷MOS管的完好或失效，與單獨(dú)鑒別MOS好壞不完全相同，電路中完好
2018-12-27 13:49:40
一些過(guò)壓，過(guò)流和過(guò)載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個(gè)驅(qū)動(dòng)板的失效，甚至存在起火的風(fēng)險(xiǎn)。本文提出兩個(gè)冗余驅(qū)動(dòng)線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)失效的負(fù)面影響。圖1：典型的有刷電動(dòng)工具驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)如圖2所示
2022-01-18 07:00:00
`上圖為電路圖。1、2是兩個(gè)控制端，連接在一個(gè)phoenix ups上面，輸出類型為繼電器輸出，兩種狀態(tài) 24V和懸空；這個(gè)電路是通過(guò)UPs輸出的兩種狀態(tài)控制兩個(gè)LED燈點(diǎn)亮。1 輸出高時(shí)，兩個(gè)燈
2019-12-30 10:30:50
萌新求助，求一種簡(jiǎn)單的MOS管直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
2021-10-19 06:49:59
的時(shí)候，為了測(cè)試實(shí)際情況，采用空氣開(kāi)關(guān)，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動(dòng)的時(shí)候，因?yàn)闁艠O平臺(tái)電壓時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致此時(shí)電流很大，但是同時(shí)Vdc又有110VDC電壓，因此導(dǎo)致MOS管過(guò)功率損壞短路。。2
2020-04-26 14:17:30
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成
2017-12-05 09:32:00
的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，并非原創(chuàng)。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT
2017-08-15 21:05:01
正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！ ?、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型
2018-11-27 13:44:26
請(qǐng)問(wèn)我用一個(gè)tlp250可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)幾個(gè)功率MOS管嗎
2017-03-03 16:39:07
，為了測(cè)試實(shí)際情況，采用空氣開(kāi)關(guān)，也就是斷路器上電。1、Mos管在啟動(dòng)的時(shí)候，因?yàn)闁艠O平臺(tái)電壓時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致此時(shí)電流很大，但是同時(shí)Vdc又有110VDC電壓，因此導(dǎo)致MOS管過(guò)功率損壞短路。。2、還有可能就是
2020-05-20 10:06:20
12V；；；請(qǐng)問(wèn)各位大佬MOS管的這種損壞屬于什么損壞，是什么導(dǎo)致的，感覺(jué)GS有2M應(yīng)該是沒(méi)事的，這個(gè)管子以前遇到的損壞都是GS直接短路了，這個(gè)現(xiàn)象不一樣
2021-05-25 08:21:12
如何選擇高性能的MOS管呢？ 1.選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)
2019-01-10 11:52:27
關(guān)于STM32 GPIO的配置等問(wèn)題一、GPIO的基本結(jié)構(gòu)圖示二、模式直接上圖：圖表數(shù)據(jù)解析：三、配置等問(wèn)題問(wèn)題一、GPIO的基本結(jié)構(gòu)圖示提示：圖片來(lái)自STM32中文參考手冊(cè)P176STM32英文
2022-02-28 07:26:08
增加到幾百安培，在這種情況下，功率MOS管容易損壞?！ ×姿徼F鋰電池短路保護(hù)的難點(diǎn) （1）短路電流大 在電動(dòng)車中，磷酸鐵鋰電池的電壓一般為36V或48V，短路電流隨電池的容量、內(nèi)阻、線路的寄生電感
2018-12-26 14:37:48
其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿?！ §o電擊穿有兩種
2022-05-14 10:22:39
產(chǎn)品在某一個(gè)批次的生產(chǎn)中突然發(fā)現(xiàn)20%的DC-DC芯片不通電，并且都表現(xiàn)為下MOS損壞。外圍硬件設(shè)計(jì)，有什么因素可能導(dǎo)致下MOS管損壞呢？如何去分析對(duì)比電源IC批次性差異呢？
2023-01-12 17:01:27
結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下損壞的模式，并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效
2013-09-26 14:54:23
92 主要介紹電源中功率MOS損壞分析，為從事此方面的模擬故障診斷工程師提供參考。
2015-10-28 11:07:2315 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來(lái)就由小編針對(duì)mos管的損壞原因做以下簡(jiǎn)明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
典型電路：
第二種：器件發(fā)熱損壞
由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。...
2022-02-11 10:53:295 Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
管為什么會(huì)燒呢？本文將從電路設(shè)計(jì)、應(yīng)用環(huán)境、管子自身三個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)解析和分析。 一、電路設(shè)計(jì)方面的問(wèn)題 1、電流過(guò)大 功率MOS管的特點(diǎn)之一就是帶有大電流，但過(guò)大的電流可能會(huì)導(dǎo)致管子過(guò)熱而燒毀。因此，電路設(shè)計(jì)中需要嚴(yán)格控制電流值，選擇合適的電
2023-10-29 16:23:501018 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管可能會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而損壞。本文將對(duì)MOS管損壞的原因進(jìn)行分析
2023-12-28 16:09:38416 
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