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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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三極管和MOS管作為開關(guān)管時兩者之間該如何選擇呢?
控制方式不同,三極管是電流型控制元器件,而MOS管是電壓控制元器件,三極管導通所需的控制端的輸入電壓要求較低,一般0.4V~0.6V以上就可以實現(xiàn)三極管...
MOS管是金屬—氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate...
目前為止每個物品都有著自己的壽數(shù)有的長、有的短怎么把每件物品延伸運用壽數(shù)就是最大節(jié)省。電子設(shè)備中的電源模塊的壽數(shù)就跟人相同無法預知精確的年限,只要大數(shù)據(jù)...
JFET的輸入電阻大于100MΩ,并且跨導很高,當柵極開路時空間電磁場很容易在柵極上感應(yīng)出電壓信號,使管子趨于截止,或趨于導通。
干貨 | 從器件的結(jié)溫角度探討產(chǎn)品的可靠性
工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計算后,換成5A的MOS管,問題就解決了。
減少導通損耗在變壓器次級線圈后面加飽和電感,加反向恢復時間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性,限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。
如果驅(qū)動高壓MOS管,我們需要采用變壓器驅(qū)動的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個搞定方案都有自己的優(yōu)點和缺點,適合不一樣的使用。集成高邊驅(qū)動器方案很方便,優(yōu)點...
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?
導熱硅膠片分普通的導熱硅膠片、強粘性導熱硅膠片、背矽膠布導熱硅膠片,中間帶玻纖導熱硅膠片,是專門為利用縫隙傳遞熱量的設(shè)計方案生產(chǎn),能夠填充縫隙,完成發(fā)熱...
在維修過程中,根據(jù)故障情況要用萬用表來檢測電子元器件的好壞,如測量方法不正確就很可能導致誤判斷,這將給維修工作造成困難,甚至造成不必要的經(jīng)濟損失。測量方...
下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路,當G端通入高電平,MOS管D、S間導通,此時MOS管導通,電機的電流得以通過,電機轉(zhuǎn)動。當G端為低電平的時候,D...
我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著很大的功耗,一但過壓或過流就會導致功...
2018-02-16 標簽:mos管開關(guān)器件 9280 1
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