完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
文章:871個(gè) 瀏覽:96571次 帖子:205個(gè)
對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說(shuō)來(lái),當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析
MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)O...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 1.3萬(wàn) 1
Buck電源的SW振鈴產(chǎn)生原因是什么?如何抑制呢?
正好手上有一塊電源板,一時(shí)興起,點(diǎn)了下SW節(jié)點(diǎn)。如下圖所示,振鈴還是很明顯的,最高達(dá)到18.4V。
關(guān)于MOS應(yīng)用設(shè)計(jì),這些要點(diǎn)不可忽視
這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到常用
2017-12-15 標(biāo)簽:mos高功率因數(shù) 1.2萬(wàn) 0
學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管 這篇文章管夠
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見(jiàn)的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個(gè)金...
你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IC內(nèi)部結(jié)構(gòu) 你了解IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)嗎本文帶你深入了解
12V轉(zhuǎn)220V逆變器電路圖 12V轉(zhuǎn)交流220V逆變器的工作原理
今天我們來(lái)介紹一款逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適...
2023-07-17 標(biāo)簽:變壓器場(chǎng)效應(yīng)管電源電路 1.1萬(wàn) 0
使用單片機(jī)經(jīng)常會(huì)碰到的一些問(wèn)題和解決方法
工作和生活中會(huì)遇到許許多多的問(wèn)題,可能讓你一時(shí)陷于其中,但是總有解決的辦法。隨時(shí)記下遇到的問(wèn)題,并做好總結(jié),一方面有助于積累,另一方面也避免同一次錯(cuò)誤再犯。
負(fù)載開(kāi)關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛,主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開(kāi)關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析開(kāi)關(guān)電路電源開(kāi)關(guān) 1.1萬(wàn) 0
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類型為P(p...
MOS晶體管中的漏極/源極和襯底結(jié)在晶體管工作期間被反向偏置。這會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置的漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴(kuò)...
二、灌流電路 1、MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路; 灌流電路MOS管和普通晶體三極管相比,有諸多的優(yōu)點(diǎn),但是在作為大功率開(kāi)關(guān)管應(yīng)用時(shí),由于MOS管...
2021-03-25 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電源電路MOS管 1.0萬(wàn) 0
三相逆變橋電路、原理、導(dǎo)通及相關(guān)問(wèn)題
三相逆變電路 2.導(dǎo)通原理 如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低)...
2024-11-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)PWMMOS 1.0萬(wàn) 0
自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲(chǔ)能的電壓自舉電路通常是利用電容對(duì)電荷的存儲(chǔ)作用來(lái)實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)MOS 1.0萬(wàn) 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |