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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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遠(yuǎn)翔內(nèi)置MOS降壓控制芯片F(xiàn)P7153特殊功能說明與FB Pin 調(diào)光控制、電路計(jì)算公式說明
功能說明a.EN開關(guān)控制EN小於0.3V將IC關(guān)閉,VccPin耗電流0.1μA,EN大於1.5V啟動IC,不做開關(guān)控制直接將EN接到Vin。切記勿將E...
LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 并聯(lián)工作的晶體管,共同...
自研體二極管技術(shù)如何改寫戶儲MOS游戲規(guī)則?
戶儲行業(yè)痛點(diǎn):PFC電路的“沉默殺手”在家庭儲能系統(tǒng)普及率突破18%的今天,PFC(功率因數(shù)校正)電路MOS失效卻成為行業(yè)隱形痛點(diǎn)——某第三方檢測機(jī)構(gòu)數(shù)...
LM5026系列 具有 P 或 N 通道箝位FET和CS重啟定時器的100V有源箝位電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5026 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn)電源所需的所有 特性 轉(zhuǎn)換器采用具有電流模式控制的有源箝位和復(fù)位技術(shù)。使用 與有源鉗位技術(shù)相比,可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和...
2025-04-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS電流模式 323 0
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動器,帶輸入接地?cái)?shù)據(jù)手冊
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動電流 封裝(相當(dāng)于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率耗散...
靜音省電新標(biāo)桿!仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?
在智能家居普及的今天,消費(fèi)者對家用風(fēng)扇的要求早已超越基礎(chǔ)送風(fēng)功能,面臨的問題如下能效焦慮:傳統(tǒng)MOS導(dǎo)通損耗高,三級能效產(chǎn)品年耗電超50度,電費(fèi)成本激增...
由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一...
隨著電動叉車向高效化、輕量化、長續(xù)航方向發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件的選擇對系統(tǒng)性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、...
SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和雙極 ...
為了有效抑制短溝道效應(yīng),提高柵控能力,隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低,就需要相對應(yīng)的提高柵電極電容。提高電容的一個辦法是通過降低柵氧化層的厚度來達(dá)到這一目...
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供...
源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu))引入了一個淺的...
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