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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下,實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個(gè)MOS驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,通過(guò)MCU的 PWM模塊調(diào)整占空比,控...
國(guó)產(chǎn)化顯示器接口芯片:Type-C接口臺(tái)式顯示器方案
LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道(不需要另外像其他家方案需通過(guò)外圍去切換CC通道) 及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...
其利天下技術(shù)·mos管和IGBT有什么區(qū)別
MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和IGBT(Insulated-GateBip...
FP5207升壓芯片在電風(fēng)扇中的應(yīng)用方案
在炎炎夏日,一款好用的電風(fēng)扇是必不可少的。在選擇電風(fēng)扇時(shí),需注意考慮風(fēng)扇的大小和功率,盡量選擇大小合適、功率適宜的產(chǎn)品。這時(shí)候,擁有升壓芯片F(xiàn)P5207...
展嶸充電站測(cè)評(píng):內(nèi)置電感電容,EM6911打造強(qiáng)勁充電“芯”模組
近期,鈺泰半導(dǎo)體推出了創(chuàng)新的充電“芯”模塊EM6911,這一內(nèi)部集成了大功率電感和電容的芯片,具備超小封裝,專為滿足智能終端產(chǎn)品小型化和便攜性的需求而設(shè)...
傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動(dòng)化趨勢(shì)帶來(lái)了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長(zhǎng),但同時(shí)大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見(jiàn)上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對(duì)標(biāo)CS50363
IU5051E內(nèi)置15A高效率MOS,18V輸出DCDC升壓芯片,對(duì)標(biāo)CS50363
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器是一種高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器,它利用低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管作為整流元件,以減少整流過(guò)程中的能量損耗。盡管同步整...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOS降壓轉(zhuǎn)換器同步整流 1229 0
開關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦?快來(lái)試試這個(gè)方法!
開關(guān)電源切載時(shí)MOS會(huì)有過(guò)充怎么辦?快來(lái)試試這個(gè)方法!我本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6842S,這是一款高度集成的電流控制型PW...
2024-09-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS轉(zhuǎn)化器 1219 0
愛(ài)美雅科技引領(lǐng)快充市場(chǎng):TP44100內(nèi)置GaN MOS芯片的240W快充解決方案
在現(xiàn)代社會(huì)中,移動(dòng)設(shè)備和電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們生活中不可或缺的一部分。然而,隨著電子產(chǎn)品的功能不斷增加,用戶對(duì)于快速充電的需求也越來(lái)越迫切。作為一家領(lǐng)先的...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛?yáng)極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過(guò)電流(鍵合線或者襯底熔化)、過(guò)熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(hào)(比如MOS管型號(hào)等)更好,由于沒(méi)電路圖,下面對(duì)這部分設(shè)計(jì)MO...
雷達(dá)點(diǎn)云動(dòng)態(tài)目標(biāo)分割算法研究分析
算法將雷達(dá)點(diǎn)云做為輸入,可以直接判定點(diǎn)是否屬于動(dòng)態(tài)物體。還能構(gòu)建Volumetric Belief地圖(可以理解為存儲(chǔ)每個(gè)點(diǎn)是否動(dòng)態(tài)的概率),構(gòu)建完地圖...
2023-08-16 標(biāo)簽:雷達(dá)MOS移動(dòng)機(jī)器人 1168 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
ASDM40P55KQ還具備其他令人印象深刻的特性。它具有低開關(guān)電阻和快速開關(guān)速度,可以在高電流負(fù)載下提供穩(wěn)定和可靠的性能。通過(guò)使用ASDM40P55K...
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET電源管理負(fù)載開關(guān) 1146 0
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器
主驅(qū)逆變器是電動(dòng)汽車動(dòng)力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件,它從VCU獲取扭矩指令,從高壓電池包獲取電能
2023-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器MOS 1133 0
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