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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術

SILERGY矽力杰集成功率級DrMOS方案

2023-06-07 標簽：gpu MOS DrMOS 1601 0

應用工程師咨詢：開關和多路復用器

A.ADG系列開關和多路復用器具有非常高的輸入帶寬，達到數(shù)百兆赫茲。但是，帶寬規(guī)格本身并沒有多大意義，因為在這樣的高頻下，關斷隔離和串擾會明顯降低。例如...

2023-06-17 標簽：晶體管 MOS 多路復用器 1596 0

模擬開關基礎及選型知識匯總

模擬開關，是利用JFET或MOS的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關，主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機械觸點、體積小和使...

2023-02-09 標簽：CMOS 模擬開關 MOS 1595 0

離子注入工藝

加熱擴散的物理原理眾所皆知，工藝工具相當簡單且不昂貴，然而擴散過程有一些主要的限制。

2023-05-04 標簽：集成電路晶體管 MOS 1588 0

三極管的基本原理三極管如何實現(xiàn)電子開關功能

三極管有兩種類型，NPN型和PNP型，其結(jié)構示意圖如下圖所示?？梢钥闯?，三極管是由兩個PN結(jié)經(jīng)過特殊的工藝技術處理形成的。三極管有三個極：基極、集電極和...

2023-09-16 標簽：三極管電子元器件 MOS 1588 0

MOS場效應管的基礎知識

結(jié)型場效應管柵極反偏但仍有電流，MOS場效應管柵極絕緣，沒有電流。

2023-08-17 標簽：MOSFET 場效應管 JFET 1585 1

淺解中國功率半導體行業(yè)地圖

功率半導體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)...

2023-06-27 標簽：MOS 功率半導體功率IC 1571 0

基于TOPSwitch-GX系列的離線電源

由于TOPSwitch-GX的高度集成，芯片中解決了許多電源設計問題。剩下很少的問題需要外部解決，從而為所有應用提供了一種通用的電路配置。

2021-05-15 標簽：MOS 功率器件 1560 0

反向電流阻斷電路設計

反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓，導致電流反向流過系統(tǒng)。

2023-06-29 標簽：二極管 MOSFET 電路設計 1550 0

MOS-半橋的功耗

之前在跟同事羅帥討論驅(qū)動器的熱損耗，學習了一下，找的一篇TI的文章對半橋的功耗計算。

2022-12-05 標簽：驅(qū)動器 MOS 半橋 1536 0

與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負的溫度系數(shù)。

2023-11-29 標簽：IGBT MOS PN結(jié) 1536 0

直流電源開關TMI6240I/6250I——解決分立MOS開關易失效，安全更可靠

拓爾微自主研發(fā)一款可以應用在各種需待機關斷功能模塊的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I，具備高集成度、高穩(wěn)定性、高可靠性的優(yōu)勢。

2023-08-10 標簽：芯片開關電路 MOS 1534 0

遠翔DC輸入36V 5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR 車用充電器/適配器降壓方案

方案名稱遠翔DC輸入36V5A大電流異步降壓穩(wěn)壓器內(nèi)置MOS降壓芯片F(xiàn)P6151XR車用充電器/適配器降壓方案?IC一般描述FP6151是一款輸入可達3...

2023-03-03 標簽：芯片穩(wěn)壓器 MOS 1525 0

可關斷、低噪聲MOS型LDO AiP76XX系列簡介

中微愛芯AiP76XX系列是支持最大輸出電流為300mA的MOS型LDO。該系列LDO具有低噪聲和高PSRR等特點，并且?guī)в嘘P斷功能，關斷電流＜1uA，...

2023-05-31 標簽：噪聲 ldo 輸出電壓 1525 0

一種簡單的有源電感電路

在RF設計中，經(jīng)常用到無源元件電感，電感的面積較大，占芯片較大部分面積，介紹一種有源電感模型，通過簡單的MOS電路實現(xiàn)，相對于螺旋電感來說，面積會減小很...

2023-07-03 標簽：RF MOS 電感電路 1508 0

mos驅(qū)動芯片需關注的參數(shù)有哪些

MOS驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的集成電路，廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、LED照明等領域。在設計和選擇MOS驅(qū)...

2024-07-14 標簽：集成電路 MOS 場效應晶體管 1508 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關閉或者導通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過后續(xù)的源漏離子注入進...

2024-11-07 標簽：晶圓工藝 MOS 1506 0

一種大電荷處理能力紅外探測器讀出電路像素設計

讀出電路將紅外探測器二極管激發(fā)產(chǎn)生的光電子收集、積分成為電壓信號并按序讀出，使其變成后端系統(tǒng)可讀的電信號，是紅外焦平面探測器的重要組成部分。

2024-01-09 標簽：二極管 MOS 紅外探測器 1506 0

仁懋MOSFET：為房車儲能系統(tǒng)注入強勁動力

仁懋MOSFET：為房車儲能系統(tǒng)注入強勁動力MOT“露營經(jīng)濟”持續(xù)火熱，咨詢報告顯示，2022年中國“露營經(jīng)濟”核心市場規(guī)模達1134.7億元，同比增長...

2024-05-15 標簽：MOSFET MOS 儲能 1477 0

SOT-23 升壓轉(zhuǎn)換器可在狹小空間內(nèi)提供高功率

LT1935是一款電流模式升壓調(diào)節(jié)器，采用小型5引腳ThinSOT封裝。憑借其小封裝、高開關頻率（1.2MHz）和內(nèi)部2A、40V電源開關，LT1935...

2023-03-17 標簽：電源電容器 MOS 1474 0

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