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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識,以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了...
MDD | MOS管和三極管的電源開關(guān)電路,NPN 與 PMOS 管組合并非唯一CP
PNP與NMOS管可以組合么? 那今天我們就來講解下關(guān)于MOS管和三極管之間的一些組合優(yōu)勢。 在電子電路中,電源開關(guān)電路是一種常見的電路配置,用于控制電...
2023-12-05 標(biāo)簽:電源三極管開關(guān)電路 2071 0
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)集成電路由于其高集成度和敏感的氧化層結(jié)構(gòu),對靜電放電(ESD)非常敏感。
關(guān)乎電源安全的吹風(fēng)機電源管理芯片應(yīng)該如何選擇呢?
吹風(fēng)機是人們最為日常的一款家用電器。對于注重頭發(fā)發(fā)質(zhì)的消費者來說,一款吹風(fēng)機的錯誤選擇,可能會釀成心頭之痛。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強調(diào)了這個模型所存在的一個短板,即所有電流都通過MOS溝道,實際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分,因其開關(guān)速度快、功耗低、體積小等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中。根據(jù)功能和特性,MOS管...
IGBT模塊關(guān)斷電阻對關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過程中,關(guān)斷時刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺的應(yīng)用中對于模塊電壓尖峰要求更高
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 1985 0
開關(guān)級建模是比門級建模更為低級抽象層次上的設(shè)計。在極少數(shù)情況下,設(shè)計者可能會選擇使用晶體管作為設(shè)計的底層模塊。隨著電路設(shè)計復(fù)雜度及相關(guān)先進(jìn)工具的出現(xiàn),以...
引言:開路集電極開關(guān)和開路發(fā)射極開關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開關(guān),前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極,后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。 負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)使用更加廣泛,可以用來驅(qū)動MOS...
2023-06-01 標(biāo)簽:led開關(guān)電路晶體管 1930 0
如何實現(xiàn)一種輸入沖擊電流抑制電路設(shè)計?
在開關(guān)電源的輸入端存在容量較大的電容,由于電容兩端電壓不能突變的特性,設(shè)備接通瞬間電容相當(dāng)于短路,這就導(dǎo)致開關(guān)電源輸入回路在接通瞬間有很大的沖擊電流,當(dāng)...
MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-...
mosfet主要參數(shù)有哪些(mosfet參數(shù)詳解)
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大,則開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此,要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
IU5706 12V升36V大功率同步升壓控制器IC解決方案
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣一顆外置MOS,36V輸出大功率同步升壓控制器-IU5706. 4.5V 到30V寬范圍輸入,適用于不同類型的電池及...
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