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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,功率MOS可以在不同的調(diào)制方式下,實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換功能。單個(gè)MOS驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,通過MCU的 PWM模塊調(diào)整占空比,控...
2023-03-17 標(biāo)簽:電源PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1869 0
如何用MOS管實(shí)現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢?
在我們?nèi)粘4蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中,基本上所有的電子元件都是用的直流電,因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí),極易容易燒壞電子產(chǎn)品。
電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-MOS管和P-MOS管驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例
MOS管在電路設(shè)計(jì)中是比較常見的,按照驅(qū)動(dòng)方式來分的話,有兩種,即:N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動(dòng)方式有點(diǎn)類似,但又不完全相同,那么...
2025-03-14 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS電氣符號(hào) 1764 0
森國科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...
CCD圖像傳感器在微光電視系統(tǒng)中的應(yīng)用
CCD是一種新型的MOS結(jié)構(gòu)器件,其基本結(jié)構(gòu)是一種封閉的MOS電容器,它能夠在CCD中作為敏感單元存儲(chǔ)受電荷入射光光信息的啟發(fā),并以適當(dāng)?shù)南嘈蚺c時(shí)鐘脈沖...
隨著電動(dòng)交通和便攜式電子設(shè)備已融入生活的各個(gè)方面,充電技術(shù)的創(chuàng)新正成為電子行業(yè)的焦點(diǎn)。深圳市芯茂微電子有限公司,作為電源管理領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),近日推出一款...
學(xué)習(xí)開關(guān)電源,我們從基本的非隔離拓?fù)鋵W(xué)起,最終會(huì)來到LLC的軟開關(guān)拓?fù)洌琇LC需要的基礎(chǔ)知識(shí)比較多,很多入門者都覺得比較難,是很多人的攔路虎,包括做了很...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-03-02 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 1684 0
隨著現(xiàn)代工業(yè)和自動(dòng)化技術(shù)的迅猛發(fā)展,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在許多應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。電機(jī)驅(qū)動(dòng)不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化生產(chǎn)線、家電等領(lǐng)域,還成為電動(dòng)...
2025-01-08 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管MOS 1683 0
LLC天王大功率設(shè)計(jì)的12個(gè)工作狀態(tài)解析
諧振LLC技術(shù),ZVS和ZCS使得提高了效率,正玄波形式,可以提高開關(guān)頻率,使得MOS少,變壓器小,可磁集成,所以功率密度提升;另外高Q值的旋波電流,使...
CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力
摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFETMOS高速開關(guān) 1626 0
本節(jié)開始我們將開啟電路與器件的內(nèi)容,主要是看如何通過電路與器件來實(shí)現(xiàn)前面的邏輯關(guān)系。本小節(jié)主要會(huì)聚焦在MOS管特性,由MOS管搭建的簡單邏輯器件,以及D...
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng),因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞,使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動(dòng)的,因此只需...
在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中,自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中,MOS常莫名其妙的失效,有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破...
mos是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)的
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,其導(dǎo)電狀態(tài)主要受柵極電壓的控制。它具有許多優(yōu)點(diǎn),如高輸入阻抗、低功耗...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOS電子電路半導(dǎo)體器件 1602 0
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