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森國科650V超結MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標

森國科 ? 來源:森國科 ? 2023-07-20 11:09 ? 次閱讀
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繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品,相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET,SJMOSFET具有傳導損耗低、電流驅動能力大、柵極電荷低、開啟電壓低、出色的非鉗位感性開關能力、百分之百的雪崩能量擊穿測試等優(yōu)點,可滿足國內(nèi)電源客戶對高效率、節(jié)能環(huán)保、小型化、高性價比等方面的要求。

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森國科SJMOS采用多次外延的工藝,結構如下圖示,在8寸硅晶圓片生產(chǎn)制造。超結結構MOSFET在D端和S端排列多個垂直pn結的結構,其結果是在保持高電壓的同時實現(xiàn)了低導通電阻。超級結的存在大大突破了硅的理論極限,而且額定電壓越高,導通電阻的下降越明顯。

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森國科SJMOS元胞結構圖

目前,森國科推出的多款650V SJMOS產(chǎn)品,在高壓應用中優(yōu)勢較為突出,抗沖擊能力強,同時在電路應用中也表現(xiàn)以下幾大性能優(yōu)勢,可全面助力電腦、服務器電源、適配器、照明(HID燈,工業(yè)照明,道路照明等)、消費類電子產(chǎn)品(液晶電視,等離子電視等)等行業(yè)客戶實現(xiàn)更優(yōu)質的電源產(chǎn)品設計。

高耐壓 低損耗

得益于特殊的芯片內(nèi)部結構,使得超結MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下,超結MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻,能降低損耗,減少發(fā)熱。特別在對溫度要求高的應用上,使用超結替代傳統(tǒng)MOS可以降低產(chǎn)品外殼溫度,顯著提升器件的易用性和效率。

較低的結電容

由于芯片結構的改變,超結MOS的結電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,超結MOS結電容的減小,可以有效的降低電源電路開關損耗,提高整個電源系統(tǒng)的效率。

穩(wěn)定性強

強大的 EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證,芯片的內(nèi)部缺陷遠小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品,其高溫穩(wěn)定性大大提高。堅固的 SOA 和浪涌電流能力,適用于固態(tài)繼電器和有源整流橋應用。

應用場景豐富

體二極管為快恢復二極管(降低 Qrr),在同等電壓和電流要求下,SJ MOS的芯片面積可以實現(xiàn)更小的封裝,因而應用場景豐富。常見的應用電路包括:

20~80mΩ(OBC應用)

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20~90mΩ(Residential Solar 住宅太陽能、儲能、Auto DC/DC

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40~180mΩ(服務器電源)

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60~100mΩ(光伏逆變器

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100~360mΩ(Computingpowe)

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190~600mΩ(消費類電子產(chǎn)品包括液晶電視、等離子電視等)

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280~1200mΩ(LED光電照明)

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360~1200mΩ(適配器和充電器)

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森國科深耕集成電路領域多年,目前已與國內(nèi)外多家著名的FAB廠達成緊密的合作關系。秉承著“做最合適的功率器件”的理念,致力于打造性能優(yōu)越、尺寸體積可控的功率器件全系列產(chǎn)品,助力來自OBC、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)電源、儲能逆變器、變頻驅動、快充頭、適配器等多個領域的客戶實現(xiàn)高耐壓、耐高溫、耐高頻、低功耗、低成本的應用需求,持續(xù)賦能低碳發(fā)展。

有關超結MOS的詳細性能指標請登錄公司網(wǎng)站,下載對應的產(chǎn)品規(guī)格書。

名詞釋義

1.體二極管:Body diode,直譯過來就是體二極管,或者叫寄生二極管。體二極管是MOS管工藝上的副產(chǎn)品,大多數(shù)時候能當普通二極管來用(比如驅動感性負載時做續(xù)流用),有時候設計中需要屏蔽它,因為它會讓S到D的電流通過,MOS就無法關斷了。

關于森國科

深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊,功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT和超結MOS,功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū),在深圳、成都、蘇州設有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%,研究生以上學歷占比50%,來自聯(lián)發(fā)科海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構,囊括清華大學、電子科技大學、西安電子科技大學、西北工業(yè)大學等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V和1200V 碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊,該產(chǎn)品系列廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設備電源、5G微基站電源、服務器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓,具有高耐溫,高頻,高效,高壓特性,已穩(wěn)步進入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應鏈。

森國科功率IC采用先進的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅動、BLDC及FOC電機的驅動。經(jīng)過5年的發(fā)展,該產(chǎn)品線的團隊在BCD工藝,UHV工藝、數(shù)模混合、電機驅動算法方面有深厚的積累。功率器件驅動芯片,已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列,即將推出高壓系列。在電機驅動芯片方面,已經(jīng)推出單相BLDC散熱風扇電機系列,即將推出三相BLDC電機驅動系列。

森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下,以低成本創(chuàng)新為己任,努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力,成為全球領先的功率半導體公司!

審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:重磅新品 | 森國科推出高耐壓、高效率超結MOS

文章出處:【微信號:SGKS2016,微信公眾號:森國科】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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