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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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《漲知識(shí)啦9-邊緣終端》--- 場(chǎng)板 本周《漲知識(shí)啦》給大家?guī)?lái)的是邊緣終端的系列內(nèi)容第二講,上一講我們介紹了正斜角的概念,它可以改善邊緣電場(chǎng),起到提高...
然而在這里,我們也不得不提及另外一個(gè)大的人物,馬丁阿塔拉(Martin M. “John” Atalla)他也被認(rèn)為是MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)明人之一, ...
2020-04-04 標(biāo)簽:集成電路MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.6萬(wàn) 0
圖片處理能力提升50%,杉巖智能存儲(chǔ)是如何做到的?
一提到對(duì)象存儲(chǔ),大家多半會(huì)聯(lián)想到存儲(chǔ)海量文件。但隨著近幾年大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等應(yīng)用場(chǎng)景的廣泛部署,客戶對(duì)業(yè)務(wù)的敏捷性要求越來(lái)越高,盡可能地精簡(jiǎn)業(yè)務(wù)處理流程、...
2020-03-26 標(biāo)簽:MOS圖片處理智能存儲(chǔ)系統(tǒng) 822 0
在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來(lái)使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路...
2020-03-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBTMOS 1.5萬(wàn) 1
導(dǎo)熱硅膠片它也是用普通的硅膠作為原料的,然后需要通過(guò)一道比較特殊的工藝讓導(dǎo)熱硅膠片稱為具有導(dǎo)熱性能非常好的硅膠制品,它的作用主要的用戶在高溫產(chǎn)品中起到熱...
LM317是一款常用的三端穩(wěn)壓IC,在各種線性可調(diào)穩(wěn)壓電源中用的很廣,其最大輸出電流為1.5A,實(shí)際中若要求輸出更大的電流,可以通過(guò)外接大功率三極管的方...
杉巖海量對(duì)象存儲(chǔ)(SandStone MOS)V5.4版本發(fā)布,新增/優(yōu)化多項(xiàng)功能
作為一家專注于產(chǎn)品自主研發(fā)的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)廠商,杉巖數(shù)據(jù)始終堅(jiān)持以客戶需求為導(dǎo)向,持續(xù)完善存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案,通過(guò)版本迭代不斷豐富產(chǎn)品特性,不斷提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)...
2020-03-26 標(biāo)簽:智能MOS對(duì)象存儲(chǔ) 1590 0
三極管直接驅(qū)動(dòng)MOS的注意事項(xiàng)
由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件,要想使其充分導(dǎo)通,要求其柵極驅(qū)動(dòng)電壓的幅度要足夠大,而一些低壓IC電路(譬如3.3V供電的單片機(jī)電路)輸出幅度較小...
講解MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G、S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。 如...
2020-03-09 標(biāo)簽:MOSFETMOS驅(qū)動(dòng)電流 8044 0
導(dǎo)語(yǔ):海量小文件的元數(shù)據(jù)管理、存儲(chǔ)性能以及訪問(wèn)效率等問(wèn)題是目前學(xué)術(shù)界和工業(yè)界公認(rèn)的難題。杉巖海量對(duì)象存儲(chǔ)MOS利用包括小文件聚合功能在內(nèi)的獨(dú)特技術(shù),幫助...
2020-03-17 標(biāo)簽:MOS 958 0
滿足新能源充電標(biāo)準(zhǔn) 長(zhǎng)園維安MOS模塊創(chuàng)新封裝
在11月8日的第十三屆(上海)新能源汽車核心電源技術(shù)研討會(huì)上,長(zhǎng)園維安產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理郭建軍先生帶來(lái)了《超結(jié)SJ-MOSFET 在充電機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用》的主題演...
電子元器件都有電氣參數(shù),在選型時(shí)要給電子元器件留夠余量才能保證電子元器件穩(wěn)定、長(zhǎng)久的工作。借助這個(gè)題目簡(jiǎn)單介紹一下三極管和MOS管的選型方法。
一般使用NMOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)逆變電路,如下圖所示是三相逆變常用的逆變電路,由六個(gè)NMOS管構(gòu)成的橋式電路。在逆變時(shí),上下橋臂的兩個(gè)NMOS不同時(shí)導(dǎo)通,上管和...
回顧關(guān)于MOS-AK 北京器件模型會(huì)議可靠性報(bào)告的發(fā)展
FinFET和FDSOI是先進(jìn)的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)采用的新的器件創(chuàng)新來(lái)繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結(jié)構(gòu)中,器件自熱效應(yīng)(SHE)和應(yīng)力引起的器件可靠性老化效應(yīng)...
關(guān)于MOS器件的發(fā)展與挑戰(zhàn)分析介紹
隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小到90nm及以下時(shí),短溝道效應(yīng)中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進(jìn)一步發(fā)展的主要因素,盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑...
Mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過(guò)程(由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程(由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程)、截止?fàn)顟B(tài)。
減少導(dǎo)通損耗在變壓器次級(jí)線圈后面加飽和電感,加反向恢復(fù)時(shí)間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性,限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。
下面是N型MOS管的一個(gè)簡(jiǎn)單的引用電路,當(dāng)G端通入高電平,MOS管D、S間導(dǎo)通,此時(shí)MOS管導(dǎo)通,電機(jī)的電流得以通過(guò),電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)G端為低電平的時(shí)候,D...
捷捷微電投建MOS管、IGBT等項(xiàng)目,增募資不超9.11億元
項(xiàng)目的實(shí)施,有利于解決產(chǎn)能限制,擴(kuò)大產(chǎn)品覆蓋率,滿足業(yè)務(wù)擴(kuò)張需求。
【測(cè)評(píng)報(bào)告】Infineon CoolMOS? P7提高電源效率評(píng)比
Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業(yè)標(biāo)桿, 從跨時(shí)代意義的CoolMOS? C3到升級(jí)版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C...
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