一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

講解MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

電子工程師 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:佚名 ? 2020-03-09 09:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS的G、S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。

如果不考慮紋波和EMI等要求的話(huà),MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)損耗越小,而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。

對(duì)于一個(gè)MOS管,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的時(shí)間越短,那么MOS管開(kāi)啟的速度就會(huì)越快。與此類(lèi)似,如果把MOS管的GS電壓從開(kāi)啟電壓降到0V的時(shí)間越短,那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。由此我們可以知道,如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低,就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。

大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法,其實(shí)在瞬間驅(qū)動(dòng)電流這塊是有很大缺陷的。

比較好的方法是使用專(zhuān)用的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,這類(lèi)的芯片一般有很大的瞬間輸出電流,而且還兼容TTL電平輸入,MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

需要注意

因?yàn)轵?qū)動(dòng)線(xiàn)路走線(xiàn)會(huì)有寄生電感,而寄生電感和MOS管的結(jié)電容會(huì)組成一個(gè)LC振蕩電路,如果直接把驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端接到MOS管柵極的話(huà),在PWM波的上升下降沿會(huì)產(chǎn)生很大的震蕩,導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸,一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻,降低LC振蕩電路的Q值,使震蕩迅速衰減掉。

因?yàn)镸OS管柵極高輸入阻抗的特性,一點(diǎn)點(diǎn)靜電或者干擾都可能導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通,所以建議在MOS管G S之間并聯(lián)一個(gè)10K的電阻以降低輸入阻抗。

如果擔(dān)心附近功率線(xiàn)路上的干擾耦合過(guò)來(lái)產(chǎn)生瞬間高壓擊穿MOS管的話(huà),可以在GS之間再并聯(lián)一個(gè)18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管,TVS可以認(rèn)為是一個(gè)反應(yīng)速度很快的穩(wěn)壓管,其瞬間可以承受的功率高達(dá)幾百至上千瓦,可以用來(lái)吸收瞬間的干擾脈沖。

MOS管驅(qū)動(dòng)電路參考

布線(xiàn)設(shè)計(jì)

MOS管驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路的環(huán)路面積要盡可能小,否則可能會(huì)引入外來(lái)的電磁干擾,驅(qū)動(dòng)芯片的旁路電容要盡量靠近驅(qū)動(dòng)芯片的VCC和GND引腳,否則走線(xiàn)的電感會(huì)很大程度上影響芯片的瞬間輸出電流。

常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)波形

1、如果出現(xiàn)了這樣圓不溜秋的波形就等著核爆吧。有很大一部分時(shí)間管子都工作在線(xiàn)性區(qū),損耗極其巨大。

一般這種情況是布線(xiàn)太長(zhǎng)電感太大,柵極電阻都救不了你,只能重新畫(huà)板子。

2、高頻振鈴嚴(yán)重的毀容方波。在上升下降沿震蕩嚴(yán)重,這種情況管子一般瞬間死掉,跟上一個(gè)情況差不多,進(jìn)線(xiàn)性區(qū)。原因也類(lèi)似,主要是布線(xiàn)的問(wèn)題。又胖又圓的肥豬波。上升下降沿極其緩慢,這是因?yàn)樽杩共黄ヅ鋵?dǎo)致的。芯片驅(qū)動(dòng)能力太差或者柵極電阻太大。

果斷換大電流的驅(qū)動(dòng)芯片,柵極電阻往小調(diào)調(diào)就OK了。

打腫臉充正弦的生于方波他們家的三角波。驅(qū)動(dòng)電路阻抗超大發(fā)了。此乃管子必殺波。解決方法同上。

3、大眾臉型,人見(jiàn)人愛(ài)的方波。高低電平分明,電平這時(shí)候可以叫電平了,因?yàn)樗健_呇囟盖?,開(kāi)關(guān)速度快,損耗很小,略有震蕩,可以接受,管子進(jìn)不了線(xiàn)性區(qū),強(qiáng)迫癥的話(huà)可以適當(dāng)調(diào)大柵極電阻。

4、方方正正的帥哥波,無(wú)振鈴無(wú)尖峰無(wú)線(xiàn)性損耗的三無(wú)產(chǎn)品,這就是最完美的波形了。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8625

    瀏覽量

    220594
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1358

    瀏覽量

    97100
  • 驅(qū)動(dòng)電流
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    92

    瀏覽量

    16289
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    常用的mos驅(qū)動(dòng)方式

    本文主要探討了MOS驅(qū)動(dòng)電路的幾種常見(jiàn)方案,包括電源IC直接驅(qū)動(dòng)、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動(dòng)等。電源IC直接
    的頭像 發(fā)表于 06-19 09:22 ?277次閱讀
    常用的<b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>方式

    MCU為什么不能直接驅(qū)動(dòng)大功率MOS

    在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),經(jīng)常會(huì)用到MOS做開(kāi)關(guān)電路,而在驅(qū)動(dòng)一些大功率負(fù)載時(shí),主控芯片并不會(huì)直接驅(qū)動(dòng)大功率M
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:27 ?1564次閱讀
    MCU為什么不能直接<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>大功率<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>

    如何準(zhǔn)確計(jì)算 MOS 驅(qū)動(dòng)電流?

    驅(qū)動(dòng)電流是指用于控制MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程的電流。在MOS驅(qū)動(dòng)過(guò)程中,需要將足夠的電荷注入或抽出
    的頭像 發(fā)表于 05-08 17:39 ?955次閱讀
    如何準(zhǔn)確計(jì)算 <b class='flag-5'>MOS</b> <b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電流?

    MOS驅(qū)動(dòng)電路——電機(jī)干擾與防護(hù)處理

    此電路分主電路(完成功能)和保護(hù)功能電路。MOS驅(qū)動(dòng)相關(guān)知識(shí):1、跟雙極性晶體相比,一般認(rèn)為使MOS
    的頭像 發(fā)表于 05-06 19:34 ?997次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電路——電機(jī)干擾與防護(hù)處理

    MOS的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    MOS的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長(zhǎng)使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對(duì)MOS功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)的詳細(xì)分析: 一、MOS
    的頭像 發(fā)表于 03-27 14:57 ?661次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-MOS和P-MOS驅(qū)動(dòng)應(yīng)用實(shí)例

    MOS在電路設(shè)計(jì)中是比較常見(jiàn)的,按照驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分的話(huà),有兩種,即:N-MOS和P-MOS
    的頭像 發(fā)表于 03-14 19:33 ?2517次閱讀
    電氣符號(hào)傻傻分不清?一個(gè)N-<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和P-<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>應(yīng)用實(shí)例

    MOS驅(qū)動(dòng)電路有幾種,看這個(gè)就夠了!

    MOS因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:39 ?808次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電路有幾種,看這個(gè)就夠了!

    MOS特征頻率與過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓的關(guān)系

    本文簡(jiǎn)單介紹了MOS特征頻率與過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓的概念以及二者的關(guān)系。
    的頭像 發(fā)表于 01-20 10:59 ?1446次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>特征頻率與過(guò)<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電壓的關(guān)系

    飛虹半導(dǎo)體MOS在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    馬達(dá)驅(qū)動(dòng)對(duì)于MOS的開(kāi)關(guān)速度要求是很重要的,畢竟快速開(kāi)關(guān)的MOS管有助于減少開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 09:24 ?772次閱讀

    mosMOS的使用方法

    MOS,即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體,是一種電壓驅(qū)動(dòng)大電流型器件,在電路中尤其是動(dòng)力系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。以下是MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-17 16:07 ?2961次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>和<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的使用方法

    MOS驅(qū)動(dòng)芯片的選型

    MOS驅(qū)動(dòng)芯片的選型是電子工程設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),它們直接影響電路的性能、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)闡述MOS
    的頭像 發(fā)表于 08-06 18:09 ?3939次閱讀

    MOS驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法

    MOS驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量,以確保其符合設(shè)計(jì)要求,從而保障MOS
    的頭像 發(fā)表于 07-23 11:49 ?2525次閱讀

    MOS驅(qū)動(dòng)電阻大小的影響

    MOS驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS
    的頭像 發(fā)表于 07-23 11:47 ?5372次閱讀

    其利天下技術(shù)·如何讓MOS快速開(kāi)啟和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動(dòng)方案開(kāi)發(fā)

    關(guān)于MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS
    的頭像 發(fā)表于 07-22 11:26 ?1519次閱讀
    其利天下技術(shù)·如何讓<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>快速開(kāi)啟和關(guān)閉?·BLDC<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>方案開(kāi)發(fā)