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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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都說酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無與倫比的性能...
針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國內(nèi)外研究機構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面進行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計理念被國內(nèi)外研究機構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
開關(guān)電源設(shè)計之MOS管驅(qū)動電路
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-04 標簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計 3351 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細的關(guān)系...
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進一步提高了總導(dǎo)通電阻。
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點,因...
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET...
APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊:SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計,突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
MOSFET的動態(tài)性能相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時間等。 參數(shù)列表...
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
主要是關(guān)于MOSFET的基礎(chǔ)知識,但是發(fā)現(xiàn)看datasheet的時候還是一臉懵,有些參數(shù)好像是未曾相識,所以就有了現(xiàn)在的這個補充內(nèi)容,話不多說正式開始。
升壓拓撲結(jié)構(gòu)在功率電子領(lǐng)域非常重要,但是電感值的選擇并不總是像通常假設(shè)的那樣簡單。
2023-05-02 標簽:二極管MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 1010 0
Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計
過去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...
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