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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以...
2018-07-11 標簽:MOSFET 23.2萬 0
本文將對一些參數(shù)進行探討,如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關損耗,并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關...
MOSFET憑開關速度快、導通電阻低等優(yōu)點在開關電源及電機驅(qū)動等應用中得到了廣泛應用。要想使MOSFET在應用中充分發(fā)揮其性能,就必須設計一個適合應用的...
2016-10-09 標簽:MOSFET半橋驅(qū)動電路 6.5萬 0
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導2個參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達100mS,甚至更高。
本文介紹并討論分析一下作者在研制開關電源中使用的幾種結構簡單可行的MOSFET管驅(qū)動電路。##隔離的驅(qū)動電路。
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2017-11-02 標簽:mosfet 5.0萬 0
H橋是一個比較簡單的電路,通常它會包含四個獨立控制的開關元器件(例如 MOS-FET),它們通常用于驅(qū)動電流較大的負載,比如電機,至于為什么要叫H橋(H...
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時間加長。(Vgs上升,則導通電阻下降,從而Vds下降)
MAX16833高壓高亮度LED驅(qū)動器的分步設計過程
本應用筆記是系列筆記中的第一篇,詳細介紹了MAX16833高壓高亮度LED驅(qū)動器的分步設計過程,以加快原型設計速度,增加一次通過成功的機會。MAX168...
2023-04-17 標簽:LEDMOSFETLED驅(qū)動器 4.4萬 0
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