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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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采用兩只MOSFET進(jìn)行串聯(lián)替代普通繼電器實(shí)現(xiàn)應(yīng)用
普通的機(jī)電式繼電器具有低成本和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn),經(jīng)常用于大負(fù)載電流的通斷切換,以及不需要按比例控制負(fù)載電流或電壓的情況。低成本和低導(dǎo)通電阻是它們?cè)诠I(yè)中...
要實(shí)現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用
MOSFET多數(shù)是載流子器件, N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒有直...
2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 2.3萬 0
MOS管為何會(huì)被靜電擊穿,我們又該如何應(yīng)對(duì)?
MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的...
MOSFET(圖中以Nch為例)通過給柵極施加電壓在源極與漏極間創(chuàng)建通道來導(dǎo)通。另外,柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會(huì)流過 “導(dǎo)通”意義上的電...
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,用于開關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
晶體管絲印標(biāo)識(shí)與型號(hào)、原理圖符號(hào)
一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結(jié)型晶體管,其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和...
在便攜和可穿戴式設(shè)備應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下,很多設(shè)計(jì)正在朝著 3.6 伏或更低供電電壓的方向發(fā)展。但是,很多便攜式設(shè)備的某些功能又需要更高的電壓,這就要求設(shè)計(jì)人員...
SiC MOSFET 具有超低輸入電容,因此開啟器件所需的柵極電荷也非常低。PWM 控制器 IC 可以直接驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET,無需額外的驅(qū)動(dòng)器 ...
2022-02-06 標(biāo)簽:變壓器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2.2萬 0
LED驅(qū)動(dòng)器是一種電源調(diào)整電子器件,主要用于驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光或LED模塊組件正常工作。由于LEDPN結(jié)的導(dǎo)通特性決定,它能適應(yīng)的電源的電壓和電流變動(dòng)范圍十...
2024-01-12 標(biāo)簽:電路圖MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.1萬 1
UC3842數(shù)據(jù)手冊(cè)及UC3842內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
UC3842是驅(qū)動(dòng)MOSFET的一個(gè)理想器件,功能之前我們已經(jīng)說到了,那么還有什么其它的保護(hù)特性呢?
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因?yàn)槿鏜OSFET有個(gè)柵極電容,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)...
2020-01-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)二極管柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1萬 0
開關(guān)電源(SMPS)中各個(gè)元器件損耗的計(jì)算和預(yù)測(cè)技術(shù)介紹
本文詳細(xì)介紹了開關(guān)電源(SMPS)中各個(gè)元器件損耗的計(jì)算和預(yù)測(cè)技術(shù),并討論了提高開關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點(diǎn),以選擇最合適的芯片來達(dá)到高效指標(biāo)。
2024-01-22 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2.1萬 0
MOSFET和三極管ON狀態(tài)它們到底有何區(qū)別呢?
MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。
增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么?
MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式,而術(shù)語MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫。
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.1萬 0
米勒效應(yīng)會(huì)對(duì)MOSFET管造成怎樣的影響
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng),在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后GS電...
2018-09-28 標(biāo)簽:mosfet電容驅(qū)動(dòng) 2.1萬 0
MOSFET閾值電壓是什么?影響MOSFET閾值電壓的因素有哪些?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子學(xué)中極為重要的器件之一,廣泛應(yīng)用于集成電路、電源管理、信號(hào)處理等多個(gè)領(lǐng)域。其核心特性之一便是其閾值...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來看,分為N溝道(電子型)和P溝道(空...
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
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