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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開關(guān)頻率相對(duì)較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0
半橋驅(qū)動(dòng)電路工作原理 自舉電容的計(jì)算及注意事項(xiàng)
MOSFET憑開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計(jì)一個(gè)適合應(yīng)用的...
2022-06-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路自舉電容 3.2萬 0
基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理,實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢(shì)必要來一篇文章,徹底掌握mos管!
2022-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3.2萬 0
如何消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞?
在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過程中,通過預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整...
增強(qiáng)型和耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的詳細(xì)資料和計(jì)算方式說明
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增...
2019-07-06 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3.0萬 0
詳細(xì)解析五種PFC的開關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案
什么是PFC? PFC(Power Factor Correction)-功率因數(shù)校正,功率因數(shù),簡(jiǎn)單的說就是有功功率和視在功率的比值,這里的視在功率被...
MOSFET柵極應(yīng)用電路作用與驅(qū)動(dòng)電路解析
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
2018-01-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路pnp 2.9萬 0
“立碑”現(xiàn)象常發(fā)生在CHIP元件(如貼片電容和貼片電阻)的回流焊接過程中,元件體積越小越容易發(fā)生。特別是1005或更小釣0603貼片元件生產(chǎn)中,很難消除...
詳解實(shí)現(xiàn)MOS管快速關(guān)斷的電路方案
當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí),由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高,此時(shí)就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管,從理論上說,MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵...
2022-04-11 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬 0
功率放大器在現(xiàn)實(shí)中具備諸多適用,如A類功率放大器等。在往期文章中,小編對(duì)功率放大器的技術(shù)指標(biāo)、功率放大器的工作原理、功率放大器的定義等知識(shí)有所介紹。為增...
ZVS的實(shí)現(xiàn)方案解析和MOSFET的損耗分析
MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分:1導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是比較容易理解的,即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。...
反激式轉(zhuǎn)換器工作原理以及反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流波形轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析
反激式轉(zhuǎn)換器在正常工作情況下,當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),初級(jí)電流(id)在短時(shí)間內(nèi)為 MOSFET的Coss(即Cgd+Cds)充電,當(dāng)Coss兩端的電壓V...
2018-01-31 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 2.6萬 0
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
2018-06-15 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 2.6萬 0
IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻...
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