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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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大部分傳導(dǎo) EMI 問(wèn)題都是由共模噪聲引起的。而且,大部分共模噪聲問(wèn)題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。 對(duì)于該討論主題的第 1 部分,我們著重討論當(dāng)寄生電...
將兩個(gè)相同的電源并聯(lián)是建立一個(gè)冗余系統(tǒng)的簡(jiǎn)單方法,但兩個(gè)電源并聯(lián)時(shí),輸出電壓高的電源會(huì)向輸出電壓低的電源充電,形成環(huán)流,輸出電壓低的電源會(huì)發(fā)生過(guò)熱甚至燒...
PMOS開(kāi)關(guān)管的工作原理和如何進(jìn)行選擇
在電路中常見(jiàn)到使用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管作為開(kāi)關(guān)管使用。下面舉例進(jìn)行說(shuō)明。
2020-07-10 標(biāo)簽:mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)管 2.5萬(wàn) 1
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個(gè)我們身邊的例子:新型電動(dòng)汽車,大家應(yīng)該都不陌生了。三個(gè)這樣的黑色模塊可以用作三相電...
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)幾個(gè)方面的不同
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
一、MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,屬于電壓控制電流型元件,是...
MOSFET選型經(jīng)驗(yàn)分享:經(jīng)典案例教你10步法
似乎選取功率MOSFET的耐壓對(duì)于很多工程師來(lái)說(shuō)是最容易的一件事情,因?yàn)樵O(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對(duì)固定的,公司選取特定的供應(yīng)商的一些料號(hào),產(chǎn)品額定電壓...
2018-02-10 標(biāo)簽:mosfet 2.4萬(wàn) 1
幾種能夠?qū)崿F(xiàn)快速短路保護(hù)的方法,并且通過(guò)實(shí)際測(cè)試驗(yàn)證了可行性
目前有4種常用的短路檢測(cè)及保護(hù)方法,其原理示意圖如圖4所示。其中最直接的方式就是使用電流探頭或者分流電阻檢測(cè)漏極電流。業(yè)界最常用的方法是檢測(cè)飽和壓降。M...
失效率是指系統(tǒng)或零件在單位時(shí)間內(nèi)失效的概率,其單位通常用FIT表示,1FIT(失效率)指的是1個(gè)(單位)的產(chǎn)品在1*10^9小時(shí)內(nèi)出現(xiàn)1次失效(或故障)的情況。
詳細(xì)說(shuō)明開(kāi)關(guān)電源中3種模式的不同
開(kāi)關(guān)電源中,Pulse skip mode跳脈沖模式、Burst mode突發(fā)模式和Hiccup mode打嗝模式,這3種模式分別針對(duì)不同的工作條件
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源Buck變換器 2.4萬(wàn) 2
MOSFET器件是數(shù)字集成電路的最小單位,因?yàn)镸OSFET的開(kāi)關(guān)特性和輸出曲線特性,由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路,則為數(shù)字集成電路最基本的電路結(jié)構(gòu)。
N溝道MOSFET的基本概念、應(yīng)用電路及主要類型
眾所周知,MOSFET是晶體管的一種,也稱為IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或MIFET(金屬絕緣體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。在MOSFET中,通道和柵極通過(guò)薄的...
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件,在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開(kāi)關(guān)就可以了,但估計(jì)很少人能夠說(shuō)出IGBT和MOSFET工作...
漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
電容在MOS管開(kāi)關(guān)中CRSS的作用分析
CRSS也就是反向傳輸電容。這個(gè)電容在MOS管的開(kāi)通和關(guān)的過(guò)程中,它的作用是十分重要的。
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路MOS管 2.3萬(wàn) 0
簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路,看Rds和Rg電阻損耗
簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路MOSFET開(kāi)通(turn on)過(guò)程MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗Di
解析雙極性步進(jìn)電機(jī)的基礎(chǔ)知識(shí)
雙極性步進(jìn)電機(jī)的基礎(chǔ)知識(shí) 雙極性步進(jìn)電機(jī)包含兩繞組,為了使電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn),不斷的給這兩個(gè)線圈加以相位差90度的正弦波,步進(jìn)電機(jī)就開(kāi)始轉(zhuǎn)動(dòng)起來(lái)。 通常,步進(jìn)...
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