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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LLC 諧振變換器因能滿足現(xiàn)代電源設(shè)計苛刻的性能要求而成為電力電子領(lǐng)域的熱門話題。 LLC 屬于龐大的諧振變換器拓?fù)浼易逑盗?,而諧振腔是該拓?fù)湎盗械幕A(chǔ)...
常見NMOS和PMOS的原理與區(qū)別 MOS管應(yīng)用電路設(shè)計
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;...
2017-12-24 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源emi 2.0萬 0
為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理,我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個P+...
Buck電路是一種電源轉(zhuǎn)換器,用于將高電壓直流輸入轉(zhuǎn)換為低電壓直流輸出。它由一個功率開關(guān)元件(通常是MOSFET)和一個電感器組成。
2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器DC-DC 2.0萬 0
常見的MOSFET驅(qū)動方式,驅(qū)動電路的參數(shù)計算
在簡單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實際的電路中運用是我們努力的方向。比如在實際的MOS驅(qū)動電路設(shè)計中,如何去根據(jù)需求搭建電路,計算參數(shù)...
柵極驅(qū)動器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制器能夠更好地...
MOSFET是一種三端、電壓控制、高輸入阻抗和單極器件,是不同電子電路中必不可少的元件。一般來說,這些器件根據(jù)其默認(rèn)狀態(tài)下是否有相應(yīng)的通道,分為增強(qiáng)型M...
通用串行總線即USB已經(jīng)流行許久; 起初USB設(shè)備便具有主設(shè)備和從設(shè)備之分:傳輸?shù)臄?shù)據(jù)來自主設(shè)備如電腦,數(shù)據(jù)傳輸至從設(shè)備如手機(jī)、鼠標(biāo)或鍵盤。但隨著消費電...
2018-03-09 標(biāo)簽:MOSFET便攜式設(shè)備TPS61230A 1.9萬 0
MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開關(guān)速度
我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時,漏源之間也有一個寄生電容C...
ID: 最大漏源電流.是指場效應(yīng)管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID .此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
2023-12-01 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.9萬 0
國產(chǎn)4口包MOS PSE 芯片DH2184特性概述 已通過SIFOS標(biāo)準(zhǔn)測試
一、什么是POE? POE(PowerOverEthernet)指的是在現(xiàn)有的以太網(wǎng)Cat.5布線基礎(chǔ)架構(gòu)不作任何改動的情況下,在為一些基于IP的終端(...
MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)上橋故障是電子電路中常見的問題之一,通常指的是在電機(jī)控制系統(tǒng)中,由于上橋臂的MOSFET出現(xiàn)問題,導(dǎo)致電機(jī)...
2024-08-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管 1.8萬 0
什么是IPD?MOSFET和IPD的區(qū)別?IPD在車載行業(yè)中的應(yīng)用
IPD 的全稱是 Intelligent Power Device,即“具有智能功能的電源器件”。根據(jù)制造商的不同,其叫法也不一樣,有時也被稱為 Sma...
2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFETIPD過熱保護(hù)電路 1.8萬 0
開關(guān)電源損耗知識點之開關(guān)電源產(chǎn)品各個部分的損耗計算
學(xué)電源電源看這里,這次我們分享一下開關(guān)電源功率損耗及熱耗的工程估算! 電源在為負(fù)載提供能量的同時也在燃燒自己,在電源設(shè)計時大家會很仔細(xì)的去分析負(fù)載的需求...
2018-09-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 1.8萬 0
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別?下面我們從實例出發(fā)解析兩者的區(qū)別
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