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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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mt3608升壓模塊輸出升不上去(mt3608升壓模塊電路圖)
MT3608是一個(gè)小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應(yīng)用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達(dá)到...
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用
雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái),你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路,...
如今在三極管的應(yīng)用電路中,越來(lái)越多的開(kāi)關(guān)電路被MOSFET取代。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)為壓控型器件,驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,速度快,驅(qū)動(dòng)能耗低,因此更加廣泛的應(yīng)...
然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們都會(huì)遇到一個(gè)相同的困惑:器件的選型著實(shí)令人頭疼。對(duì)此,小編感同身受。今天,我們就一起來(lái)看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸,因此并網(wǎng)前必須將直...
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)...
2022-07-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0
分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻,縮寫(xiě)為R DS (on)。這個(gè)R DS (on)的想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單:當(dāng)FET截止時(shí)...
MOSFET規(guī)格書(shū)/datasheet該如何理解
第一大電子技術(shù)學(xué)習(xí)平臺(tái)
2017-10-12 標(biāo)簽:MOSFET 1.4萬(wàn) 0
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡(jiǎn)介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)...
尚陽(yáng)通科技生產(chǎn)的超級(jí)結(jié)MOSFET已經(jīng)發(fā)展到第三代技術(shù)水平
相比較于第二代產(chǎn)品,第三代N系列考慮系統(tǒng)的兼容性,可以較好的兼容客戶現(xiàn)有產(chǎn)品,滿足客戶對(duì)驅(qū)動(dòng)和EMI的適應(yīng)性要求。F系列以其最優(yōu)的開(kāi)關(guān)速度,極低的柵極電...
基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制,為此提出一種由MOSFET控制,并且由高頻變壓器隔離的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強(qiáng)...
UIS測(cè)試是什么?雪崩能量對(duì)實(shí)際應(yīng)用的影響
UIS:英文全稱Unclamped Inductive Switching,中文譯為非嵌位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)過(guò)程。
如何將驅(qū)動(dòng)器與MOSFET進(jìn)行匹配
對(duì) MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量, 無(wú)論充放電過(guò)程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因 此,MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)能力并不影...
2018-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.4萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件
在一般情況下,場(chǎng)效應(yīng)管(FET)的導(dǎo)通電阻越小越好,因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,F(xiàn)ET可以提供更低的電阻,允許更大的電流通過(guò)。
2024-03-06 標(biāo)簽:放大器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 1.4萬(wàn) 0
采用2SD315AI-33模塊實(shí)現(xiàn)高性能的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
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