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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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耗盡型MOSFET的符號/工作原理/類型/特性/應(yīng)用場景
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...
2023-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.3萬 0
東芝的創(chuàng)新型雙面散熱MOSFET封裝DSOP Advance
電源系統(tǒng)中的主開關(guān)器件是低電壓功率MOSFET,這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失,需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過...
不同的損耗導(dǎo)致頂側(cè)和底側(cè)MOSFET的加熱不同。在系統(tǒng)設(shè)計中使用分立MOSFET時,可以嘗試這些不同的方法來平衡頂側(cè)和底側(cè)FET之間的溫度。
2018-03-02 標(biāo)簽:MOSFET電源管理CSD88584Q5DC 1.3萬 0
MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會炸管?原因分析
MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過了最大極限值,或者M(jìn)O...
下面是對場效應(yīng)管的測量方法場效應(yīng)管英文縮寫為FET。可分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡稱為MOS管。而MOS管...
2017-12-21 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管jfet 1.3萬 0
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要,本文主要討論靜態(tài)特性。
使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.3萬 0
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
采用自舉升壓電路,設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路
結(jié)論 本文采用自舉升壓電路,設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計,可在1.5V...
前言:不對稱諧振半橋反激變換器(AHB)應(yīng)用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領(lǐng)域,通過占空比調(diào)整半橋開關(guān)的高端開關(guān)的占空比實(shí)現(xiàn)對輸出電壓的控制,通過使用占空比調(diào)節(jié)方...
這個要看生產(chǎn)制造的工藝,現(xiàn)在在一些制造比較好的工廠,對于高密度的產(chǎn)品是非常常見的,這就叫VIP via(Via in Pad),好處有:出線距離短,節(jié)省...
2018-06-03 標(biāo)簽:PCBMOSFETPCB設(shè)計 1.2萬 0
利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對來提供脈沖電流
當(dāng)一系列環(huán)境和電路設(shè)計變量影響輸出時,就很難確定具有負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性。任何計算錯誤都會成為怪異電路行為(如振蕩和振鈴)的溫床。
MOSFET的米勒平臺電壓很重要,1400字教你兩種方式計算出米勒平臺電壓值
Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開關(guān)過程中,由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在,漏極電壓的變化會通過該電容耦合到柵極,導(dǎo)...
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