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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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逆變器電路圖分享 基于PWM IC TL494的逆變器電路設計
非常簡單但高度復雜的修正正弦波逆變器電路。PWM IC TL494 的使用不僅使設計的部件數(shù)量極其經(jīng)濟,而且高效且準確。
到底什么是雪崩失效呢,簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導致的一種失效模式...
SiC MOSFET學習筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶...
大家都知道這個尖峰是開關(guān)MOS開通的時候出現(xiàn)的,根據(jù)反激回路,Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過MOS再到Vbus形成回路。
用UC3842芯片做醫(yī)用開關(guān)電源設計方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實驗通過光耦實現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
逆變器是一種將直流電能(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變成定頻定壓或調(diào)頻調(diào)壓交流電(一般為220V,50Hz正弦波)的轉(zhuǎn)換器。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成,廣泛...
大多數(shù)電子元器件都需要一個來自AC電力線的輸入電源。對于電壓穩(wěn)壓器、開關(guān)模式電源和其它下游電子組件來說,一個全橋或半橋二極管整流器器件對正弦AC電壓波形...
MOSFET是一種利用場效應的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管,它有一個柵極。為簡單起見,您可以將這個門想象成一個水龍頭,您逆時針旋...
2022-08-03 標簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 1.4萬 0
雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎實驗方法,貫穿器件的研發(fā),應用和驅(qū)動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統(tǒng)設計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路,...
mt3608升壓模塊輸出升不上去(mt3608升壓模塊電路圖)
MT3608是一個小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達到...
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