本章主要內(nèi)容為：

1.介紹兩種主要類型場效應(yīng)晶體管;

2.熟悉并了解JFET與MOSFET的特性曲線;

3.學(xué)會基礎(chǔ)題型的解法。

1場效應(yīng)管

場效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來看，分為N溝道(電子型)和P溝道(空穴型)，按照導(dǎo)電溝道形成機理的不同，又分為增強型(簡稱E型)和耗盡型(簡稱D型)兩種。元件符號如下：

上圖為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)，(a)為N溝道JFET，(b)為P溝道JFET，大家記住箭頭指向內(nèi)部就為N型，向外為P溝道型。簡單說一下，箭頭的方向表示柵極pn結(jié)正偏時的電流方向，JFET只有耗盡型。

上圖為耗盡型MOSFET符號。

上圖為增強型MOSFET。

2轉(zhuǎn)移特性曲線

結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如下圖:

轉(zhuǎn)移特性表明了輸出電流ID 與輸入電壓VGS ，漏極電流的方向表示為從漏極流向源極，注意各值的符號與方向。

耗盡型N溝道MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如下圖, 當 VGS = 0V, ID = IDSS 當 VGS < 0V, ID <
IDSS :

耗盡型P溝道MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如下圖,當 VGS = 0V, ID = IDSS 當 VGS >0V, ID <
IDSS:

增強型N溝道MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖，為了形成N溝道必須保持VGS 為正。VT (or VGS(Th) )稱為開啟電壓 ，當 VGS 增加時,
ID 增加：

增強型P溝道MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖， 除了電壓的極性與電流的方向相反外，P溝道增強型MOS管與N溝道MOS管是相同的：

在觀察各類型FET轉(zhuǎn)移特性曲線時，需要注意各個量的幅值與方向。

3重點公式

對于場效應(yīng)管，我們首先記住下面公式：

對于所有場效應(yīng)管:

對于結(jié)型和耗盡型MOSFET：

對于增強型MOSFET:

這里的k為電導(dǎo)常數(shù)，可通過數(shù)據(jù)手冊查找，也有計算方法，可在下方視頻觀看哦。

場效應(yīng)管FET與雙極型晶體管BJT差別：

? 輸入(VGS)輸出(ID)非線性

? FET是電壓控制型器件 ，而BJT是電流控制型器件

? FET輸入阻抗高

? FET溫度穩(wěn)定性好

在FET的考題中，主要也是通過直流分析和交流分析，交流分析通常運用小信號模型分析法來解題，方法依舊很簡單，可以與上一堂課中BJT的分析作類比。文字里就不贅述啦。