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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處

三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處

說(shuō)實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一下大家對(duì)三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。

2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1102 0

MOSFET的失效機(jī)理:dV/dt失效和雪崩失效

MOSFET的失效機(jī)理:dV/dt失效和雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。

2023-04-15 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 2493 0

開(kāi)關(guān)模式、降壓型DC/DC μModule穩(wěn)壓器創(chuàng)建完整的負(fù)載點(diǎn)解決方案

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LTM4611 是一款開(kāi)關(guān)模式、降壓型 DC/DC μModule 穩(wěn)壓器,采用緊湊的 15mm × 15mm × 4.32mm LGA 表面 裝載包。...

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET控制器穩(wěn)壓器 1823 0

兩種過(guò)壓保護(hù)方法的基準(zhǔn)比較:MOSFET與可控硅整流器

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由于電子子系統(tǒng)在整個(gè)產(chǎn)品的可靠和安全運(yùn)行中起著重要作用,因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個(gè)過(guò)壓保護(hù)電路,以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器,因?yàn)樗鼈?..

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET整流器穩(wěn)壓器 2063 0

為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路

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在工業(yè)和汽車應(yīng)用中,大多數(shù)前端接口要求反向極性保護(hù),而這一保護(hù)功能通常由二極管或MOSFET提供。由于它不需要電荷泵,p通道MOSFET一直用于高電流應(yīng)...

2023-04-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET汽車電子 3310 0

SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展

與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 5183 0

如何使用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)偏置電流網(wǎng)絡(luò)

如何使用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)偏置電流網(wǎng)絡(luò)

利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡(jiǎn)單、直接的過(guò)程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 1147 0

何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET

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像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管...

2023-04-15 標(biāo)簽:電源MOSFET晶體管 895 0

體二極管在真實(shí)電路中測(cè)量反向恢復(fù)的方法

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使用一個(gè)分流電阻器怎么樣?這聽(tīng)起來(lái)是可行的,不過(guò)你需要確保這個(gè)器件不會(huì)引入過(guò)大的環(huán)路電感。我找到了幾個(gè)電阻值在10mΩ,并且具有“低電感”的電阻器。

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET示波器電阻器 2261 0

MOSFET體二極管的反向恢復(fù)

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當(dāng)我們對(duì)于用實(shí)際組件來(lái)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時(shí),這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用...

2023-04-15 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 4913 0

借助設(shè)計(jì)計(jì)算器工具設(shè)計(jì)出精簡(jiǎn)穩(wěn)健的熱插拔

借助設(shè)計(jì)計(jì)算器工具設(shè)計(jì)出精簡(jiǎn)穩(wěn)健的熱插拔

LM25066設(shè)計(jì)計(jì)算器等設(shè)計(jì)工具有助于解決這些問(wèn)題并為您進(jìn)行必要的計(jì)算,能夠節(jié)省大量時(shí)間并避免人為錯(cuò)誤產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)。無(wú)論是創(chuàng)建新設(shè)計(jì),還是對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行...

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET控制器熱插拔 888 0

薩科微slkor品牌的6N137介紹和應(yīng)用

三極管和MOSFET都能實(shí)現(xiàn)以小控大的目的,比如以小電流控制大電流,或者以低電壓控制高電壓

2023-04-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET控制電路 1257 0

100V浪涌抑制器可保護(hù)組件免受300V瞬變的影響

100V浪涌抑制器可保護(hù)組件免受300V瞬變的影響

汽車和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓瞬變很常見(jiàn),持續(xù)時(shí)間從幾微秒到數(shù)百毫秒不等,從而向下傳遞大量能量。瞬態(tài)原因包括汽車負(fù)載突降,以及負(fù)載階躍和寄生電感引起的尖峰。為了...

2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET電阻器汽車電子 2120 0

系統(tǒng)高效ESD設(shè)計(jì)方案

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靜電放電(ESD)防護(hù)是電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)者和制造商面臨的主要挑戰(zhàn)之一。 這些ESD事件可能在現(xiàn)場(chǎng)發(fā)生并導(dǎo)致系統(tǒng)故障,引起短時(shí)間系統(tǒng)中斷(軟故障),甚至引起系...

2023-04-14 標(biāo)簽:ESDPCBMOSFET 1945 0

為你的flyback瘦身,甩掉多余的緩沖器

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由于它們不同的器件結(jié)構(gòu),高壓BJT的制造成本要低于高壓MOSFET。正因如此,額定電壓在1kV或者以上的BJT的價(jià)格要低于通用輸入離線反激式轉(zhuǎn)換器中常見(jiàn)...

2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET晶體管變壓器 919 0

采用轉(zhuǎn)換器或控制器進(jìn)行大電流電壓調(diào)節(jié)

采用轉(zhuǎn)換器或控制器進(jìn)行大電流電壓調(diào)節(jié)

諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、開(kāi)關(guān)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來(lái)越高,需要20A、30A、40A或更多電量,以用于它們的POL設(shè)計(jì)。然而,這些應(yīng)用對(duì)空...

2023-04-14 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器MOSFET 1447 0

直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表:系統(tǒng)損耗揭秘

直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表:系統(tǒng)損耗揭秘

讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí),驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其...

2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 1755 0

半導(dǎo)體的常規(guī)散熱方法 車用功率MOSFET熱管理設(shè)計(jì)

頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢(shì)外,還具有明顯的散熱優(yōu)勢(shì),因?yàn)檫@種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率(通常在100~210W/mk之間),因此...

2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET功率設(shè)計(jì) 2179 0

用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...

2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET晶體管氮化鎵 1682 0

DC/DC變換器數(shù)據(jù)表:計(jì)算系統(tǒng)損耗

DC/DC變換器數(shù)據(jù)表:計(jì)算系統(tǒng)損耗

傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開(kāi)后,負(fù)載電流就會(huì)從其中...

2023-04-14 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器變換器 1828 0

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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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