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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。
ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qr...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 1209 0
在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng):探頭的CMRR
在對(duì)橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測(cè)試時(shí),通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來(lái)觀測(cè)波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會(huì)...
在N溝道MOSFET中,源極為P型區(qū)域,而在P溝道MOSFET中,源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中,源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn),它是連接到源極-漏...
對(duì)高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的需求增加,使得碳化硅 (SiC) FET 因其快速開關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS(開啟)和高壓額定值。
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì),但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗...
2023-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1466 0
車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC,正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會(huì)增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...
2023-02-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET碳化硅 294 0
在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
使用互補(bǔ)的p溝道和n溝道MOSFET組合的電路稱為CMOS(互補(bǔ)MOS)。CMOS邏輯IC以各種方式組合MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯功能。
IGBT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和...
模擬電路中常用的器件其實(shí)不多,MOSFET、電阻、電容、電感、、BJT、diode。 現(xiàn)在分別說(shuō)一說(shuō),這些器件在模擬電路中都需要了解哪些性能參數(shù),...
簡(jiǎn)介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無(wú)外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...
開關(guān)電源調(diào)試中常見的十大問(wèn)題
在高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情況下,通過(guò)變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長(zhǎng),當(dāng)出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí),電流的峰...
2023-02-20 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開關(guān)電源 1074 0
合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例
MOS管也叫場(chǎng)效應(yīng)管,它可以分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導(dǎo)體,而由NMOS組成的...
2023-02-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1106 0
開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器工作時(shí)的電流路徑
本文是“開關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)”的“降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的工作原理”相關(guān)的補(bǔ)充。在“降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的工作原理”中,介紹了“降壓型異步(二極管)整流式開關(guān)穩(wěn)壓器的...
2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器降壓轉(zhuǎn)換器 1469 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
最近看到一個(gè)東芝的MOSFET的文檔,看了下,還不錯(cuò),就把內(nèi)容復(fù)制出來(lái)了,分享給大家看下。
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