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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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n溝道場效應(yīng)管和p溝道場效應(yīng)管能互換嗎
純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差,但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會引入額外可移動的負(fù)電荷(電子),此時為N型(N溝道)參雜,在N型...
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開關(guān)管的可靠性和強(qiáng)電流處理能力
大電流功率開關(guān)管是一個串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護(hù)、診斷和檢測功能。在大功率汽車電源系統(tǒng)中,通過背靠背連接的...
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開關(guān)管的解決方案
大電流功率開關(guān)管是一個串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護(hù)、診斷和檢測功能。
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)ecu 1185 0
功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
動態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測試系統(tǒng)分立器件 696 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。其中一個...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 1789 0
單片式開關(guān)穩(wěn)壓器—當(dāng)所有一切都集成在芯片上時
開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu),也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中,各功率開關(guān)(一般是MOSFET)會集成在單個硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時,除了控制...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET控制器開關(guān)穩(wěn)壓器 436 0
降壓轉(zhuǎn)換器的主要功能是把一個較高的直流輸入電壓轉(zhuǎn)換成較低的直流輸出電壓。為了達(dá)到這個要求,MOSFET 以固定頻率(fS),在脈寬調(diào)制信號(PWM)的控...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源降壓轉(zhuǎn)換器 1262 0
耗電應(yīng)用要求提高系統(tǒng)效率,以滿足消費(fèi)者和監(jiān)管部門對更清潔空氣和減少碳足跡的要求。這推動了對理想的“無損耗”電源開關(guān)的需求,在大多數(shù)現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,這種開...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
空調(diào)用電流連續(xù)模式PFC電路:利用MOSFET和二極管提高效率的案例
上一篇文章中介紹了在LED照明電路中提升效率并降低噪聲的案例,本文將介紹在空調(diào)中的案例。近年來,隨著表示全年能效比的APF(Annual Perform...
LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例
從本文開始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例,下面的電路摘自實際...
2023-02-10 標(biāo)簽:led轉(zhuǎn)換器MOSFET 2264 0
內(nèi)置MOSFET的同步整流式降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC BD9V100MUF-C介紹
ROHM開發(fā)出以2MHz開關(guān)頻率實現(xiàn)業(yè)界最高降壓比的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9V100MUF-C”,并已于2017年6月開始出售樣品,于2017年12...
2023-02-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 769 0
實際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在實際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。
實際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。
實際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在絕對最大額定值范圍內(nèi)
在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對最大額定值范圍內(nèi)。
MOSFET規(guī)格相關(guān)的術(shù)語集
之前介紹了MOSFET的特征和特性。不僅MOSFET的規(guī)格書,一般規(guī)格書(技術(shù)規(guī)格書)中都會記載電氣規(guī)格(spec),其中包括參數(shù)名稱和保證值等。
同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
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