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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測試
負(fù)載瞬態(tài)通常使用電子負(fù)載(E-Load)進(jìn)行測試,前面提到,負(fù)載的跳變斜率(Slew Rate)將對(duì)測試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵影響,然而受設(shè)備內(nèi)部電路限制,常規(guī)電...
2023-02-03 標(biāo)簽:測試轉(zhuǎn)換器MOSFET 2749 0
小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測試
在DCDC電源測試中,負(fù)載瞬態(tài)測試(Load Transient Test)是十分重要的一環(huán),利用負(fù)載瞬態(tài)測試,可以快速評(píng)估所測電源的穩(wěn)定性與快速性,而...
為了正確預(yù)測MOSFET的開關(guān)和EMC行為,必須有一個(gè)精確的模型,了解其在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。這些信息使設(shè)計(jì)人員能夠使用SPICE軟件包...
從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
有沒有同學(xué)好奇,作為模擬芯片設(shè)計(jì)師,幾乎都在用CMOS工藝,大部分電路也是用的MOSFET,很少用BJT去設(shè)計(jì)大規(guī)模電路,那么,到底應(yīng)該對(duì)BJT這種de...
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 993 0
穩(wěn)壓器產(chǎn)生預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無論其輸入電壓或負(fù)載條件如何變化,該輸出電壓都保持不變。有兩種類型的穩(wěn)壓器:線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器。
單片式驅(qū)動(dòng)器和MOSFET技術(shù)如何改進(jìn)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
隨著發(fā)展挑戰(zhàn)的不斷發(fā)展,電力行業(yè)將找到滿足相應(yīng)要求的方法。一種解決方案在單個(gè)單片芯片中集成了先進(jìn)的開關(guān)MOSFET(穩(wěn)壓器的主要構(gòu)建模塊)及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)...
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1768 0
刻蝕是移除晶圓表面材料,達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過程??涛g有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)CMOS芯片 3575 0
以這種方式驅(qū)動(dòng)兩個(gè)或多個(gè)MOSFET時(shí),通常需要在MOSFET柵極串聯(lián)中添加小電阻以防止振蕩。差動(dòng)放大器配置進(jìn)一步擴(kuò)展,包括求和,方法是將反饋和分壓器電...
2023-01-31 標(biāo)簽:放大器MOSFET運(yùn)算放大器 824 0
用LT8316簡化應(yīng)用中低元件數(shù)量、高效率解決方案的設(shè)計(jì)
LT8316 采用耐熱性能增強(qiáng)型 20 引腳 TSSOP 封裝,并移除了 8316 個(gè)引腳以實(shí)現(xiàn)高電壓間隔。通過對(duì)來自第三個(gè)繞組的隔離輸出電壓進(jìn)行采樣,...
2023-01-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 4536 0
鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析
兩種最常見的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對(duì)于長期大容量存儲(chǔ)來說足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快...
采用碳化硅SiC技術(shù)封裝設(shè)計(jì)的SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì),突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
2023-01-30 標(biāo)簽:MOSFET直流轉(zhuǎn)換器PFC 1069 0
自舉電路,就是每路的高壓側(cè)MOSFET用自舉電容供電,整個(gè)電路(半橋或者H橋或者三相橋)的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片只用一個(gè)電源就可以了,并且這種方法大大減少...
2023-01-30 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 4881 0
惡劣環(huán)境下的開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
本文介紹了工程師在將模擬開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)成惡劣環(huán)境中使用的模塊時(shí)面臨的挑戰(zhàn),并提供了電路設(shè)計(jì)人員可用于保護(hù)脆弱部件的通用解決方案的建議。它還引入了一...
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