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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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本應(yīng)用筆記介紹了使用帶有內(nèi)部雙通道比較器的電流檢測放大器來監(jiān)視和防止電池電壓過低和電池電流過高。雖然是為鉛酸電池編寫的,但電路和概念可以擴(kuò)展到NiCd,...
碳化硅功率MOSFET B1M080120HC降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率損耗
據(jù)評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動(dòng)機(jī)。因此,降低電動(dòng)機(jī)的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。
2023-01-12 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)機(jī)TTL電平 572 0
單個(gè)FET控制開關(guān)模式LED背光中的第2個(gè)LED陣列
WLED 背光在 PDA、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他便攜式設(shè)備中很常見。本應(yīng)用筆記介紹了一種開關(guān)模式升壓設(shè)計(jì),其中顯示器長時(shí)間背光。與電阻受限和線性穩(wěn)壓設(shè)計(jì)相...
數(shù)碼相機(jī)正在迅速取代膠片相機(jī)。隨著傳統(tǒng)相機(jī)制造商和消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商迅速推出產(chǎn)品,市場正在擴(kuò)大。數(shù)碼相機(jī)的電源管理尤其困難,因?yàn)楦咚龠壿?、靈敏的CCD成...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的兩種設(shè)計(jì)方案解析
通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊控制驅(qū)動(dòng)電機(jī)兩端電壓來對電機(jī)進(jìn)行制動(dòng),我們可以采用飛思卡爾半導(dǎo)體公司的集成橋式驅(qū)動(dòng)芯片 MC33886。
2023-01-11 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2705 0
MAX1848升壓轉(zhuǎn)換器集成14V N溝道MOSFET,為三個(gè)串聯(lián)的白光LED供電。由于 R 低德森MAX1848具有14V開關(guān)的低柵極電容,比采用30...
線性穩(wěn)壓器在2A時(shí)將3.3V轉(zhuǎn)換為2.9V
線性穩(wěn)壓器(相對于開關(guān)類型)通常是產(chǎn)生低于3.3V的電源電壓的最佳選擇。在低輸出電壓和中等負(fù)載電流下,線性類型成本更低,需要的空間更少,但保持合理的效率...
外部MOSFET可降低基于智能功率選擇器的充電器中的I2R損耗
電池到系統(tǒng)(BAT-to-SYS)連接阻抗至關(guān)重要,它通過減少裕量和功耗來影響電池運(yùn)行時(shí)間。外部調(diào)整管可將阻抗降低 50% 以上。本應(yīng)用筆記給出了MAX...
可用的集成電路可以讓您對電流限制進(jìn)行編程,但它們通常涉及微控制器或數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(或兩者兼而有之)。作為替代方案,圖1電路允許您設(shè)置電流限值,而無需微控制器...
自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲能的電壓自舉電路通常是利用電容對電荷的存儲作用來實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)MOS 1.0萬 0
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
雖然在熱插拔?電路中使用多個(gè)并聯(lián)MOSFET通常是可取的,有時(shí)甚至是絕對關(guān)鍵的,但仔細(xì)分析安全工作區(qū)(SOA)至關(guān)重要。電路中每增加一個(gè)并聯(lián)MOSFET...
在大電流熱插拔應(yīng)用中通過有保證的SOA實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
LTC?4234 是一款用于熱插拔的集成式解決方案?允許從帶電背板上安全插入和拔出電路板的應(yīng)用程序。該器件在單個(gè)封裝中集成了熱插拔控制器、功率 MOSF...
利用單個(gè)轉(zhuǎn)換器IC輕松將12V升壓至140V
LTC3788 的配置可使得第一個(gè)升壓級利用其同步整流功能,從而最大限度地提高了效率、降低了功率損耗并簡化了熱要求。使用同步整流時(shí),該控制器的最大輸出電...
2023-01-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 2597 0
失效率是指系統(tǒng)或零件在單位時(shí)間內(nèi)失效的概率,其單位通常用FIT表示,1FIT(失效率)指的是1個(gè)(單位)的產(chǎn)品在1*10^9小時(shí)內(nèi)出現(xiàn)1次失效(或故障)的情況。
典型的二極管OR系統(tǒng)是贏家通吃的系統(tǒng),其中最高電壓電源提供整個(gè)負(fù)載電流。這種一次一個(gè)供應(yīng)的方案沒有充分利用這兩種供應(yīng)。另一方面,LTC4370 的均流二...
新型電源開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局
多年來電源開關(guān)技術(shù)的供電選擇 系統(tǒng)非常簡單。在較低電壓電平下 (通常高達(dá) 600 V),MOSFET 通常是事實(shí)上的選擇,具有 更高的電壓電平通常是IG...
2023-01-08 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1046 0
在上一篇文章中我們講述了反激電源變壓器設(shè)計(jì)的理論基礎(chǔ),本文將詳細(xì)講述反激電源變壓器在固定頻率下連續(xù)電流模式的設(shè)計(jì)過程,這是一個(gè)反復(fù)迭代至最終滿意的過程。...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間是如何計(jì)算的?
SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多,Easy模塊保證2us的短路時(shí)間,因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天,我們來具體看一下這個(gè)短而...
2023-01-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 2241 0
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