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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器
二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級(jí)薄的厚度,其受到靜電場(chǎng)屏蔽效應(yīng)大大減弱,利用門電壓可以對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...
針對(duì)車載充電應(yīng)用的七款新型二極管和MOSFET功率模塊
器件EMIPAK封裝采用矩陣式方法,在同樣的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。
IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)(一)
大家好,看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔,雖然比較基礎(chǔ),但是概括的比較好,適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者,總體內(nèi)容如下。
雙極結(jié)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(BJT和FET)及PN結(jié)二極管等知識(shí)詳解
晶體管”是指可以實(shí)施開關(guān)和擴(kuò)展的半導(dǎo)體器材。它可以用作開關(guān)或擴(kuò)展器的電子設(shè)備稱為有源組件。電開關(guān)和擴(kuò)展并不是從1948年晶體管的發(fā)明開始的。但是,本發(fā)明...
如何在使用SiC MOSFET時(shí)最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對(duì)電源設(shè)計(jì)人員極具吸引力,這些設(shè)計(jì)人員不斷尋找提高效率和功率密...
Boost電路是一種開關(guān)直流升壓電路,它能夠使輸出電壓高于輸入電壓。在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中算是一種較為常見(jiàn)的電路設(shè)計(jì)方式。本文將給大家介紹boost基本原理...
電路板維修:開關(guān)電源易損3個(gè)元件(MOSFET管、檢流電阻、驅(qū)動(dòng)電阻)
現(xiàn)在功率MOS管廣泛地應(yīng)用在各種開關(guān)電源中及其他電子電路中。MOS最常用的幾種功能是,電子開關(guān)電路,放大電路、穩(wěn)壓恒流電路、還可以當(dāng)作可變電阻,做成電子...
2022-11-22 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電阻 9100 0
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢(shì),包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
從本文開始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。
2022-11-21 標(biāo)簽:led轉(zhuǎn)換器MOSFET 759 0
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安...
2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2531 0
LM73605QRNPRQ1降壓轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品介紹
LM73605QRNPRQ1型號(hào)器件是一款易于使用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,采用 3.5V 至 36V 的電源電壓工作,能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5A(LM736...
2022-11-16 標(biāo)簽:MOSFET直流轉(zhuǎn)換器降壓轉(zhuǎn)換器 1071 0
通過(guò)創(chuàng)建一個(gè)包含各種節(jié)溫的表,然后從放大器數(shù)據(jù)表提供的典型性能圖表中找到對(duì)應(yīng)的 R(DS)ON,可以確定必要的散熱值。
本文基于西門子SMART系列PLC,闡述PLC輸出口與外設(shè)負(fù)載的合理搭配。在項(xiàng)目實(shí)踐中,PLC輸出口因使用不合理而損壞的比較多。PLC往往是設(shè)備控制的核...
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)...
2022-11-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源濾波電路 5259 0
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低,SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì),但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比,...
一直到1948年貝爾實(shí)驗(yàn)室宣布發(fā)明晶體管的20多年后,硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET或MOS晶體管)才成為重要的商業(yè)產(chǎn)品。而MOSFET的...
聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件
從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET,它有N溝道管和P溝道管兩種類型。
2022-11-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 6159 0
5分鐘帶你全面了解功率開關(guān)器件雙脈沖測(cè)試
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試,通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測(cè)試功率開關(guān)器件 4923 0
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