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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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什么是MOSFET,MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motoro...
2022-10-07 標(biāo)簽:MOSFET 1188 0
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET
功率 MOSFET 是最常見的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡介...
2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2068 0
MOSFET是一種三端、電壓控制、高輸入阻抗和單極器件,是不同電子電路中必不可少的元件。一般來說,這些器件根據(jù)其默認(rèn)狀態(tài)下是否有相應(yīng)的通道,分為增強(qiáng)型M...
眾所周知,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 晶體管存在縮放問題。隨著 CMOS 場效應(yīng)晶體管 (FET) 變得更小,它們的功率效率會(huì)降低,進(jìn)而更容易受...
基于P溝道MOSFET反向保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
在直流系統(tǒng)中,比如汽車電子設(shè)計(jì)中,當(dāng)電池接反時(shí),使用電池作為電源的電路可能會(huì)損壞,所以一般需要反向電壓保護(hù)電路。其實(shí)用MOSFET作為反向保護(hù)電路一般比...
MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)
咱們做電子的,幾乎都會(huì)用到MOS管,也遇到過MOS管炸裂的情況。小功率MOS炸裂時(shí),沒什么感覺,大功率就不一樣,震耳欲聾,感覺在以命相搏。
使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)更容易
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...
2022-09-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1290 0
MOSFET是一種具有絕緣柵的場效應(yīng)晶體管,主要用于放大或切換信號。在當(dāng)前模擬和數(shù)字電路中,與BJT相比,MOSFET的使用頻率更高一些。
2022-09-20 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管 9232 0
電池電壓一般是在12V以下,我們就將其看作12V。19V電源呢,我們也可以當(dāng)作一個(gè)大電池,那么一個(gè)19V的電池和一一個(gè)12V的電池如下相連,導(dǎo)線中電...
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管,是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流,因而得名...
2022-09-20 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 7337 0
傳統(tǒng)功率MOSFET與超級結(jié)MOSFET的區(qū)別
超級結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗...
2022-09-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管電流驅(qū)動(dòng) 8308 0
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-09-09 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 7429 0
眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...
空穴”帶正電,電子帶負(fù)電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。
圖1和圖2分別給出了LLC諧振變換器的典型線路和工作波形。如圖1所示LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個(gè)功率MOSFET(Q1和Q2),其占空比都為0.5;諧振電容Cr...
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分,一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi),半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體...
前幾天給大家講了一下晶體管BJT,今天講一下場效應(yīng)管-MOSFET。
2022-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 4984 0
LT8652S雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器電路描述及功能
LT8652S是一款雙通道同步單片式降壓型穩(wěn)壓器,具有3 V至18 V的輸入范圍。兩個(gè)通道可同時(shí)提供高達(dá)8.5 A的連續(xù)電流且每個(gè)通道支持高達(dá)12 A的...
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動(dòng)重要逆變器級所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動(dòng)器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
2022-08-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2142 0
是時(shí)候深吸一口氣了,我們即將深入電力電子的深處。我一開始就要說,這是一個(gè)非常有益的領(lǐng)域。
2022-08-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 514 0
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