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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 3631 0
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效
隨著電池和超級(jí)電容等高效蓄能器的大量使用,更好的電流控制成為一種趨勢(shì)。今天為大家介紹的是一種雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器,其雙向性允許電流發(fā)生器同時(shí)具備充電和放...
2022-08-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 2460 0
回到 ENIAC 時(shí)代,計(jì)算機(jī)本質(zhì)上更多是模擬的,并且使用的數(shù)字 IC 很少。今天,Joe 的計(jì)算機(jī)一般可以在多個(gè)電壓等級(jí)下工作,看過 CPU SMPS...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電平轉(zhuǎn)換器微處理器 4070 0
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí),MOS管開始導(dǎo)通電流。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)
MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)
耐壓:通常所說的VDS,或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個(gè)參數(shù)的呢?
柵極驅(qū)動(dòng)器和功率 MOSFET 的放置對(duì)于前置驅(qū)動(dòng)器電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案的正確運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。對(duì)于具有集成 MOSFET 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,例如 DRV...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)布線 5259 0
BLDC電機(jī)換向的原理 三相BLDC電機(jī)設(shè)計(jì)解析
ADA4571 使用各向異性磁阻 (AMR) 技術(shù)。一種典型的實(shí)施方式是在 BLDC 電機(jī)軸的末端安裝一個(gè)徑向磁化圓盤。圓盤的磁場穿過傳感器的平面,并且...
Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8.9V左右,7805工作,輸出5V電壓給單片機(jī)供電。
2022-08-24 標(biāo)簽:單片機(jī)MOSFET開關(guān)機(jī)電路 2407 0
啟動(dòng)期間的點(diǎn)火起動(dòng)和關(guān)斷期間的負(fù)載突降是造成汽車電源線路中產(chǎn)生電壓瞬變的常見起因。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變的幅度很大,可能會(huì)對(duì)并非專用于極端條...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
大電流IGBT驅(qū)動(dòng)器在現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)應(yīng)用中的作用
為了保障高頻開關(guān)所需的快速上升和下降時(shí)間,載流導(dǎo)體應(yīng)保持長度最小。每厘米長度增加約 8 nH 的電感,因此 95 A/μs 的 di/dt 會(huì)產(chǎn)生每厘米...
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源IC 2327 0
自保護(hù)MOSFET提高了汽車電子設(shè)備的可靠性
汽車行業(yè)需要具有成本效益且完全可靠的電氣系統(tǒng),但這種嚴(yán)酷且具有潛在破壞性的環(huán)境對(duì)控制現(xiàn)代車輛中常見的無數(shù)功能所需的功率半導(dǎo)體器件提出了巨大挑戰(zhàn)。
有源橋優(yōu)化以太網(wǎng)供電設(shè)計(jì)
設(shè)備電源輸入端使用的橋式整流器電路使其不受設(shè)備電源極性的影響。設(shè)備本身可能對(duì)電源的極性敏感,但橋式整流器可以配置為在電源極性反轉(zhuǎn)時(shí)為設(shè)備提供正確的極性。...
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)...
2022-08-22 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源控制器 1896 0
MOS場效應(yīng)管(以下簡稱MOS管)中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu),是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。
2022-08-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場效應(yīng)管 9554 0
MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計(jì)有直接的關(guān)系,縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間可有效降低開關(guān)損耗;最后,驅(qū)動(dòng)MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部,輸出能力很強(qiáng),通常電...
2022-08-19 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6203 0
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