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      標簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5691個 瀏覽：220199次 帖子：1132個

      mosfet技術(shù)

      電氣設(shè)備的熱管理助于防止過熱和電路故障

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      如果無法應(yīng)用被動解決方案，最好使用主動解決方案，這些解決方案通常由用于測量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器（恒溫器或恒濕器）組成。它控制改變熱量的設(shè)備（風扇、加熱器...

      2022-08-08 標簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1728 0

      揭開SiC MOSFET挑戰(zhàn)的神秘面紗

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      晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在。基于半導(dǎo)體的晶體管的發(fā)明，取代了用于電氣開關(guān)的真空管，使人類在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。

      2022-08-08 標簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1099 0

      快速恢復(fù)二極管CMF02A應(yīng)對車載電源設(shè)計挑戰(zhàn)

      CMF02A是一款具有高速開關(guān)用途的FRD二極管，與典型二極管相比，F(xiàn)RD具有更短的反向恢復(fù)時間（trr），因此具有更快的開關(guān)時間和更低的損耗。當然，C...

      2022-08-07 標簽：二極管MOSFET直流電 684 0

      選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計挑戰(zhàn)

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      Balogh還指出了其他需要考慮的問題，例如保護功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點，這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。

      2022-08-07 標簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動器 3973 0

      為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

      我們都知道，IGBT發(fā)生短路時，需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但...

      2022-08-07 標簽：MOSFETIGBTSiC 4002 0

      晶體管的誕生及應(yīng)用介紹

      硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明，例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個 MOSFET由貝爾實驗室研究員 John Atalla ...

      2022-08-05 標簽：MOSFET晶體管 4583 0

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      2022-08-05 標簽：電源MOSFET半導(dǎo)體 936 0

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      為了正確利用這種能源，必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器，其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天，這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積，以及提高...

      2022-08-05 標簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.3萬 0

      第4代SiC FET的突破性性能

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      由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加，碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán)，該框架減小了尺寸并提高了...

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      使用GaN設(shè)計PFC整流器

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      2022-08-05 標簽：MOSFET整流器GaN 1731 0

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      2022-08-05 標簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 4001 0

      三相電壓源逆變器中SiC MOSFET的結(jié)溫估算

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      功率 MOSFET 中的SiC（碳化硅）與其對應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢，例如更高的導(dǎo)電性、更低的開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。

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      四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓撲的創(chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

      2022-08-04 標簽：MOSFET功率器件GaN 1015 0

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      SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進步，給電力電子領(lǐng)域帶來了一場革命。這些器件具有快速開關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計的優(yōu)點。它們在高功率應(yīng)用中非常有...

      2022-08-04 標簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2903 0

      如何為中壓SiC-MOSFET轉(zhuǎn)換器的濾波電感器的接地電流建模

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      在設(shè)計使用寬帶隙 (WBG)的電子轉(zhuǎn)換器時，高 dv/dt 瞬變是挑戰(zhàn)背后的原因通常以存在于它們的有源和無源組件中的寄生參數(shù)的形式引起的設(shè)備 [1][2...

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      在CCM圖騰柱PFC設(shè)計中實現(xiàn)最高效率

      在CCM圖騰柱PFC設(shè)計中實現(xiàn)最高效率

      采用 Si 超結(jié) (SJ) CoolMOS? MOSFET 的創(chuàng)新解決方案 介紹 在服務(wù)器和電信 SMPS應(yīng)用中，最高效率和功率密度不僅是流行語，而且是...

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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        靜電防護
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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