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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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FlexMOS預(yù)驅(qū)動(dòng)器用于電機(jī)控制應(yīng)用
動(dòng)態(tài)VDS保護(hù)對(duì)開關(guān)階段進(jìn)行監(jiān)控,而靜態(tài)VDS保護(hù)則在MOSFET完全導(dǎo)通時(shí)工作。對(duì)于在工廠生產(chǎn)線上編程的已知電壓與時(shí)間的開關(guān)曲線,所選的FLEXMOS...
2022-05-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器PWM 2017 0
結(jié)合基本保護(hù)技術(shù),F(xiàn)OC 可成為驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)的最有效方法之一,也是在各種應(yīng)用中提高電動(dòng)機(jī)控制和精度的好方法。
2022-05-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電動(dòng)機(jī) 1827 0
基于SiC MOSFET的三相全橋數(shù)字化智能驅(qū)動(dòng)器
隨著無(wú)人機(jī)和多電飛機(jī)的發(fā)展,更高的功率和效率成了機(jī)載電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的主要研究方向之一?,F(xiàn)有的Si MOSFET開關(guān)速度雖快,但耐壓和耐流能力有限,無(wú)法實(shí)現(xiàn)大...
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器霍爾電流傳感器 5239 0
MOSFET打開的過(guò)程中,是對(duì)電感進(jìn)行充電,所以電流的變化斜率是斜向上的。二極管續(xù)流的過(guò)程,是電感放電的過(guò)程,所以電流的變化斜率是斜向下的。
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源同步控制器 3131 0
高耐壓600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器WD0412引腳參數(shù)與電路應(yīng)用
WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動(dòng)器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IG...
在柵源短接,漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同,實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...
晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管,...
當(dāng)今 FPGA 和高性能處理器的多個(gè)電源軌必須按照嚴(yán)格的順序上電和斷電。通常連接到電源軌的去耦電容必須主動(dòng)放電,以確保正確控制斷電順序并在可接受的時(shí)間內(nèi)...
如何為電機(jī)驅(qū)動(dòng)選擇合適的MOSFET
汽車 OEM 正在遷移到 BLDC,以最大限度地提高效率和可靠性。本文著眼于工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中應(yīng)考慮的重要參數(shù),以實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。
如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程中有效消除MOSFET的過(guò)應(yīng)力
本應(yīng)用筆記主要從三個(gè)方面探討“如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程中有效消除 MOSFET 的過(guò)應(yīng)力”:第一,具有立锜專有嵌入式軟啟動(dòng)功能的反激式控制器設(shè)計(jì);其次...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET反激式控制器 6562 0
該電源開關(guān)是一款低壓、單 N 溝道 MOSFET 高側(cè)電源開關(guān),針對(duì)自供電和總線供電的通用串行總線 (USB) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-04-20 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)串行總線 9807 0
RT6204應(yīng)用原理圖及設(shè)計(jì)指南
RT6204應(yīng)用原理圖如圖1所示。RT6204是一款電流模式轉(zhuǎn)換器,具有外部補(bǔ)償和外部軟啟動(dòng)功能。該轉(zhuǎn)換器具有集成的高邊 MOSFET 開關(guān)和同步整流器...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電流模式 3423 0
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...
MOSFET中米勒平臺(tái)形成的基本原理及詳細(xì)過(guò)程
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程,可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過(guò)程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOSFE...
如何設(shè)計(jì)可靠的多電平無(wú)橋圖騰柱PFC
多級(jí)圖騰柱 PFC 為設(shè)計(jì)人員提供了優(yōu)于 2 級(jí)設(shè)計(jì)的市場(chǎng)吸引力優(yōu)勢(shì),包括顯著更小的電感器、更低的 dv/dt 和更低的開關(guān)損耗。開關(guān)工作電壓的固有降低...
詳解實(shí)現(xiàn)MOS管快速關(guān)斷的電路方案
當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時(shí),由于此時(shí)開關(guān)頻率比較高,此時(shí)就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管,從理論上說(shuō),MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵...
2022-04-11 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電路 2.7萬(wàn) 0
移相ZVS變換器使用MOSFET器件的潛在風(fēng)險(xiǎn)分析
在過(guò)去的幾年中,對(duì)具有足夠效率來(lái)管理大功率的系統(tǒng)的市場(chǎng)需求促使開關(guān)電源設(shè)計(jì)人員開發(fā)具有低電損耗的拓?fù)洹WM相移控制全橋變換器是一種非常流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
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