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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很...
東芝推出集成快速恢復(fù)體二極管的DTMOSVI系列產(chǎn)品
2021年11月初,新一輪國(guó)際能源氣候大會(huì)在英國(guó)舉辦,會(huì)上確定了各國(guó)碳中和、碳達(dá)峰的時(shí)間表。對(duì)此,中國(guó)也制定出了符合發(fā)展中國(guó)家國(guó)情的“雙碳3060”戰(zhàn)略...
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
在選擇逆變器電路中的開關(guān)器件時(shí),要選擇trr小的產(chǎn)品,這一點(diǎn)很重要。
我們知道本征半導(dǎo)體是不導(dǎo)電的,好比純水的導(dǎo)電性不強(qiáng),想要它導(dǎo)電,就摻上雜質(zhì)。讓水導(dǎo)電就給他加鹽,產(chǎn)生離子,讓半導(dǎo)體導(dǎo)電,就摻上三價(jià)或者五價(jià)元素,形成空穴...
關(guān)于開關(guān)穩(wěn)壓器的問(wèn)題解答
穩(wěn)壓器會(huì)產(chǎn)生具有恒定預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無(wú)論其輸入電壓或負(fù)載條件是否變化。穩(wěn)壓器分為兩類:線性和開關(guān)式。
2022-03-16 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 1902 0
詳細(xì)分析MOSFET開關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái),并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)
羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
TMC6140 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器概述、性能及優(yōu)勢(shì)
高度集成的TMC6140-LA有效簡(jiǎn)化高性能BLDC/PMSM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì),效率提升30%。
2022-03-04 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 2203 0
從硅過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比
派恩杰半導(dǎo)體認(rèn)為,Cascode結(jié)構(gòu)只是從Si產(chǎn)品轉(zhuǎn)向SiC產(chǎn)品的一個(gè)過(guò)渡產(chǎn)品,因?yàn)镃ascode結(jié)構(gòu)完全無(wú)法發(fā)揮出SiC器件的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級(jí)反激式開關(guān)IC
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年電動(dòng)汽車發(fā)展異常火熱,銷量是節(jié)節(jié)攀升,其續(xù)航能力也在不斷取得突破。但里程焦慮還沒(méi)有徹底解決,為了應(yīng)對(duì)該問(wèn)題,汽車廠商...
高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計(jì)
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動(dòng)汽車量產(chǎn)車型成功應(yīng)用SiC MOSFET芯片,表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)...
應(yīng)用筆記:正確理解驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)速度
本文主要闡述了在驅(qū)動(dòng)芯片中表征驅(qū)動(dòng)能力的關(guān)鍵參數(shù):驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的關(guān)系,并且通過(guò)實(shí)驗(yàn)解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-01-27 標(biāo)簽:MOSFET 4735 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))大至功率變換器,小至內(nèi)存、CPU等各類電子設(shè)備核心元件,哪里都少不了MOSFET的應(yīng)用。MOSFET作為一種半導(dǎo)體器件,既...
SiC MOSFET 具有超低輸入電容,因此開啟器件所需的柵極電荷也非常低。PWM 控制器 IC 可以直接驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET,無(wú)需額外的驅(qū)動(dòng)器 ...
2022-02-06 標(biāo)簽:變壓器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2.2萬(wàn) 0
目前的目標(biāo)是更加縮小設(shè)計(jì)尺寸并提高效率。為了達(dá)到目標(biāo)必須縮短開關(guān)路徑以及在 Z 軸上重迭安裝器件。
2022-01-05 標(biāo)簽:pcbMOSFET降壓轉(zhuǎn)換器 2487 0
更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換器是過(guò)去幾十年來(lái)的發(fā)展方向,而這個(gè)趨勢(shì)也將持續(xù)下去。這是通過(guò)使用新拓?fù)?、新型材料和新集成工藝?lái)達(dá)到的。
然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們都會(huì)遇到一個(gè)相同的困惑:器件的選型著實(shí)令人頭疼。對(duì)此,小編感同身受。今天,我們就一起來(lái)看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
傳統(tǒng)的過(guò)電壓(OV)和過(guò)流(OC)保護(hù)系統(tǒng)往往包括:用于過(guò)濾低能量尖峰的電容器和電感、用于過(guò)電壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)、用于直流過(guò)流保護(hù)的保險(xiǎn)絲...
芯茂微推出可靠性媲美MOSFET的12W內(nèi)置BJT的PSR電源解決方案
充電器和適配器是我們生活中非常常見的產(chǎn)品,我們很多人可能只知道這些產(chǎn)品是用來(lái)充電的,但是可能不知道具體是如何實(shí)現(xiàn)充電的,本文就帶大家詳細(xì)了解一下。
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