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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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IGBT工作原理

IGBT是—種場控器件，它的開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定，當(dāng)柵射電壓UCE為正且大于開啟電壓UCE（th）時，MOSFET內(nèi)形成溝道并為PN...

2021-06-25 標(biāo)簽：MOSFET IGBT pnp 4.2萬 0

功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計過程中的局限性

一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計為在有限時間內(nèi)承受一定量的雪崩電流，因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計和制造。

2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體器件寄生元件 2978 0

ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析

本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以...

2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動器 4584 0

有刷電機驅(qū)動器的功耗計算方法(二)

本文將繼上一篇文章之后，繼續(xù)介紹有刷電機驅(qū)動器的功耗計算方法。在上一篇中，介紹了有刷電機驅(qū)動器的典型驅(qū)動方法——恒壓驅(qū)動，本文將介紹有刷電機驅(qū)動器的另一...

2021-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器 PWM 2725 0

淺談柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率元器件 3180 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？

2021-06-02 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 IGBT 3165 0

怎么解決SiC MOSFET的橋臂串?dāng)_？

SiCmosfet三相全橋逆變電路中，同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾，該現(xiàn)象稱為橋臂串?dāng)_。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功...

2021-05-15 標(biāo)簽：MOSFET asic 串?dāng)_ 1.1萬 0

常見的MOSFET驅(qū)動方式，驅(qū)動電路的參數(shù)計算

在簡單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后，如何在實際的電路中運用是我們努力的方向。比如在實際的MOS驅(qū)動電路設(shè)計中，如何去根據(jù)需求搭建電路，計算參數(shù)...

2021-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動電路 2.0萬 0

一文詳解MOSFET導(dǎo)通狀態(tài)漏源電阻

分立MOSFET數(shù)據(jù)手冊中最突出的規(guī)格之一是漏極 - 源極導(dǎo)通電阻，縮寫為R DS （on）。這個R DS （on）的想法看起來非常簡單：當(dāng)FET截止時...

2021-05-15 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 導(dǎo)通 1.4萬 0

ROHM借助更合適的同步整流技術(shù)滿足市場需求

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導(dǎo)致MOSFET過熱。

2021-05-18 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵同步整流 1815 0

充電器市場高穩(wěn)定方案思睿達TT5259+TT3017L_12V2A SMPS工程樣機測試

1、樣機介紹 ? 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍，輸出功率24W，恒壓輸出的工程樣機，控制IC采用了思睿達微電子的TT5259、TT3017...

2021-04-28 標(biāo)簽：電源芯片 MOSFET 7016 0

高壓功率MOSFET寄生電容的形成

功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術(shù)，如圖1...

2021-05-02 標(biāo)簽：MOSFET 電容電壓 4033 0

有刷電機驅(qū)動方法介紹

作為有刷電機驅(qū)動方法的最后一篇文章，本文將介紹通過有刷電機“單開關(guān)電路”和“半橋電路”進行驅(qū)動的方法。兩種方法均適用直流驅(qū)動和PWM驅(qū)動。

2021-05-02 標(biāo)簽：電路 MOSFET 晶體管 7681 0

思睿達CR6267SK與X1135N有區(qū)別？測試報告新鮮出爐

上一篇報告我們將思睿達主推的CR6248和XX33AP進行了對比，得出的結(jié)論是思睿達主推的CR6248會比XX33AP的效率高，功耗小。本篇文章，我們將...

2021-04-23 標(biāo)簽：電源芯片 MOSFET 7869 0

開關(guān)電源上的MOSFET如何選擇?

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）主要用于開關(guān)應(yīng)用中，具有高電壓和高電流的特點。它們具有更高的效率和更優(yōu)良的高速開關(guān)能力，因此成為電源設(shè)計中的...

2021-05-02 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計晶體管 4548 0

一文詳解MOSFET的導(dǎo)通電阻

對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。

2021-05-01 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 2.0萬 0

用碳化硅MOSFET設(shè)計雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些...

2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1475 0

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計

一個關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS（on）。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好，但由于其較低的倍增系數(shù)（κ），在100℃時，一個84mΩ的Coo...

2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源碳化硅 1783 0

PO之間N型半導(dǎo)體的形成，MOSFET特性

當(dāng)我們在GB之間加一個正電壓以后，便會在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體，從而使得SD導(dǎo)通；當(dāng)GB沒有電壓PO之間的N區(qū)就會消失，使得SD斷開。

2021-05-01 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 2503 0

車身控制模塊設(shè)計的要求及不同方案的優(yōu)劣勢分析

隨著人們對汽車的操控性及舒適性需求不斷升高，汽車車身中的電子設(shè)備越來越多，如電動后視鏡、中控門鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級功能等。

2021-04-06 標(biāo)簽：mosfet 驅(qū)動器半導(dǎo)體 4042 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計算機和外圍設(shè)備；安裝和配置計算機軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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在眾多的51系列單片機中，要算國內(nèi)STC 公司的1T增強系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機內(nèi)部就自帶高達60K FLASHROM，這種工藝的存儲器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機構(gòu)。當(dāng)步進驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進電機按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達到準(zhǔn)確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
COMSOL

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COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機器人

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服務(wù)機器人是機器人家族中的一個年輕成員，到目前為止尚沒有一個嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機器人的認(rèn)識不同。
四軸飛行器

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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機直連的簡單機構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細節(jié)在“基本運動原理”中講述。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
ESP8266

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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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