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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別?測試報告新鮮出爐
上一篇報告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對比,得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我們將...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)主要用于開關(guān)應(yīng)用中,具有高電壓和高電流的特點。它們具有更高的效率和更優(yōu)良的高速開關(guān)能力,因此成為電源設(shè)計中的...
用碳化硅MOSFET設(shè)計雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
電池供電的便攜式設(shè)備越來越多,在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。這些...
2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1476 0
一個關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS(on)。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好,但由于其較低的倍增系數(shù)(κ),在100℃時,一個84mΩ的Coo...
2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源碳化硅 1783 0
當(dāng)我們在GB之間加一個正電壓以后,便會在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體,從而使得SD導(dǎo)通;當(dāng)GB沒有電壓PO之間的N區(qū)就會消失,使得SD斷開。
車身控制模塊設(shè)計的要求及不同方案的優(yōu)劣勢分析
隨著人們對汽車的操控性及舒適性需求不斷升高,汽車車身中的電子設(shè)備越來越多,如電動后視鏡、中控門鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級功能等。
MOSFET箝位電路的工作原理及應(yīng)用設(shè)計
輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個控制器就能提供多路輸出跟蹤,因此受到設(shè)計師們的青睞,且已成為元件...
國產(chǎn)4口包MOS PSE 芯片DH2184特性概述 已通過SIFOS標(biāo)準(zhǔn)測試
一、什么是POE? POE(PowerOverEthernet)指的是在現(xiàn)有的以太網(wǎng)Cat.5布線基礎(chǔ)架構(gòu)不作任何改動的情況下,在為一些基于IP的終端(...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機(jī)效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
介紹極限參數(shù)-ID & EAS依Hunteck 100V 5mΩ DFN5*6 MOSFET為例子
所有MOS規(guī)格書上面的ID是一個有明確邊界條件規(guī)定下的理論數(shù)值。因為在應(yīng)用中可能會有各種各樣的散熱條件。
電子產(chǎn)品設(shè)計日益輕薄,使得電源模塊亦須提升切換頻率以縮小體積。藉由傅里葉級數(shù)頻域分析,研發(fā)人員將可掌握切換式降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊輸出端漣波變化量,從而搭配...
基于LinkSwitch-4開關(guān)IC提高基于BJT的方案的可靠性
眾所周知,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下,當(dāng)...
降壓型DC/DC穩(wěn)壓器ADP2442的的主要特點性能及應(yīng)用
輸出電壓可在0.6 V至0.9×VIN范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。集成的低電阻N溝道MOSFET在高端和低端器件中均能實現(xiàn)高效率。
單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器LV5980MC的主要特性及應(yīng)用電路
該OnSemi公司的LV5980MC是單個內(nèi)嵌P MOSFET的單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器,工作電壓范圍為4.5V至23V,最大輸出電流為3A??蓪崿F(xiàn)低功率...
2021-03-15 標(biāo)簽:開關(guān)轉(zhuǎn)換器mosfet 2929 0
通過Buck降壓調(diào)光驅(qū)動器的數(shù)字調(diào)光閃爍方案
為了驅(qū)動高側(cè)的MOSFET,線路中存在BOOT電容。在每次二極管導(dǎo)通過程中,芯片內(nèi)部路徑會對BOOT電容充電。
同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器TPS54061的主要特性及應(yīng)用
TI公司的TPS54061是集成了高邊和低邊MOSFET的60V 200mA同步降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器,采用電流模式控制,簡化了外部補償和靈活選擇元件...
2021-03-12 標(biāo)簽:傳感器轉(zhuǎn)換器mosfet 4024 0
準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率能力及如何處理峰值功率要求
然而,某些應(yīng)用并非從電源汲取恒定功率。例如,當(dāng)打印機(jī)的打印頭處于工作狀態(tài)或處理打印紙時,打印機(jī)以脈沖方式消耗功率。在此特殊案例中,轉(zhuǎn)換器的散熱設(shè)計并非針...
2021-03-12 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 5372 0
同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用
ADP2325是一款全功能,雙輸出,降壓DC-DC調(diào)節(jié)器,基于電流模式架構(gòu)。ADP2325集成了兩個高端功率MOSFET和兩個低端驅(qū)動器,用于外部N溝道...
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