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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān):緩慢的開(kāi)關(guān)沿可減少過(guò)沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的新時(shí)代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開(kāi)關(guān)...
盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見(jiàn)應(yīng)用
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為...
2021-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管 9511 0
如何利用DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器進(jìn)行精確地限制電流?
高端電流檢測(cè)放大器也可用于通過(guò)電源路徑中的電流檢測(cè)電阻測(cè)量小壓降。它們可以非常準(zhǔn)確地測(cè)量電流。
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬(wàn) 0
探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)頻率的影響
由于快速的開(kāi)關(guān),傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加,在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過(guò)最快速的開(kāi)關(guān)速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)頻率SiC MOSFET 8218 0
如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時(shí)代,隨著電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)領(lǐng)域的所有進(jìn)步對(duì)具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加,尤其是在電動(dòng)汽車充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
2021-03-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET整流器 5132 0
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級(jí)工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2614 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場(chǎng)上最受歡...
電源設(shè)計(jì)中關(guān)于噪聲和尖峰的解決方案
對(duì)于許多應(yīng)用而言,下一代IC封裝是在縮小整體封裝尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅縮放,功能密度和異構(gòu)集成的最佳途徑。異構(gòu)異構(gòu)集成提供了增強(qiáng)設(shè)備功能,加快上市時(shí)間和提高硅...
2021-04-01 標(biāo)簽:二極管開(kāi)關(guān)電路MOSFET 6160 0
降壓轉(zhuǎn)換器仿真的電源設(shè)計(jì)方案分析
降壓轉(zhuǎn)換器 降壓或降壓轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的DC / DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。制造商通過(guò)其控制器提供降壓集成電路。降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷恨D(zhuǎn)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET控制器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 3595 0
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4268 0
如何在電源良好引腳上使用MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量
設(shè)計(jì)人員經(jīng)常想測(cè)量直流開(kāi)關(guān)電源的結(jié)溫。從安全和故障模式以及效果分析(FMEA)的角度來(lái)看,了解系統(tǒng)的結(jié)溫是一項(xiàng)重要且基本的要求。在許多應(yīng)用中,重要的是在...
如何利用運(yùn)算放大器和MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載
測(cè)試電源和電池需要電流負(fù)載,該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)功率MOSFET就可以構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單而準(zhǔn)確的電流負(fù)載,如圖...
探討MOSFET對(duì)DC/DC穩(wěn)壓器電路適用的EMI的抑制技術(shù)
本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中,介紹了抑制傳導(dǎo)和輻射電磁干擾 (EMI) 的實(shí)用指南和示例,尤其是針對(duì)采用單片集成功率 MOSFET 的 DC...
如何使用MOSFET或者IGBT實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開(kāi)關(guān)電源(也稱為開(kāi)關(guān)型整流器SMR)是通過(guò)MOSFET...
2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源IGBT 6119 0
基于無(wú)芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
緩解開(kāi)關(guān)電源的低頻和高頻EMI的創(chuàng)新解決方案
“鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計(jì)進(jìn)度,浪費(fèi)大量時(shí)間和資金,因此必須在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)考慮EMI 問(wèn)題。”德州儀器(TI)白皮書(shū)《通過(guò)節(jié)省時(shí)間和成本的創(chuàng)...
2021-04-13 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源emi 8843 0
淺析DC/DC轉(zhuǎn)換器上的Buck應(yīng)用
Buck方式的特征是電路構(gòu)造簡(jiǎn)單。此外,組成小功率的電源電路時(shí),成本也比反激式更有競(jìng)爭(zhēng)力。因此,常使用在家電產(chǎn)品的微控制器用電源上。
2021-04-15 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2999 0
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