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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET器件用于相移ZVS轉(zhuǎn)換器中可能存在的隱患分析
零壓開(kāi)關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器被廣泛用于滿足電源應(yīng)用市場(chǎng),比如電信電源、主機(jī)計(jì)算機(jī)-服務(wù)器以及高功率密度和高效率是必需的任何應(yīng)用。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo),我們必...
2020-09-22 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 1351 0
半導(dǎo)體制造商羅姆研發(fā)出VCSEL模組,實(shí)現(xiàn)空間識(shí)別和ToF測(cè)距系統(tǒng)的高精度化
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)研發(fā)出全新VCSEL模組,通過(guò)提升VCSEL光源的輸出功率,實(shí)現(xiàn)了空間識(shí)別和ToF測(cè)距系統(tǒng)的高精度化。
2020-09-21 標(biāo)簽:MOSFET測(cè)距系統(tǒng)TOF 3772 0
雙極性電源提供電流的工作原理是怎么樣的吶?下圖的波形顯示了雙極性電源電路的工作狀態(tài)。在 VIN 端施加輸入電壓時(shí),如果輸入降至 12 V 以下,升壓轉(zhuǎn)...
2020-10-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電壓 3491 0
如何使用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意數(shù)量的電流沉/源設(shè)計(jì)
利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡(jiǎn)單、直接的過(guò)程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...
基于DSP實(shí)現(xiàn)具有PID參數(shù)自整定功能的智能調(diào)節(jié)器的設(shè)計(jì)
由于經(jīng)驗(yàn)不易精確的描述,控制過(guò)程中各種信號(hào)及評(píng)價(jià)指標(biāo)不易定量的表示,模糊理論是解決這一難題的最好方法,運(yùn)用模糊控制規(guī)則,DSP根據(jù)電子負(fù)載系統(tǒng)的實(shí)際響應(yīng)...
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..
小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)MC34063擴(kuò)流降壓電路圖
電路中使用了內(nèi)阻10Ω的小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng),后級(jí)功率管總能處在較佳工作狀態(tài),只要有適當(dāng)?shù)拇蠊β蔒OSFET和電感,再增大輸出電流是很容易的事。
2020-08-28 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.0萬(wàn) 0
同步降壓型DC/DC穩(wěn)壓器ADP2384/86的主要特性及應(yīng)用
ADI公司的ADP2384/ADP2386是兩款4mm×4mm LFCSP封裝的高效、同步降壓DC/DC穩(wěn)壓器,內(nèi)部集成一個(gè)44mΩ的高邊檢測(cè)功率MOS...
采用基于MOSFET架構(gòu)實(shí)現(xiàn)壓電致動(dòng)器的設(shè)計(jì)
高速壓電致動(dòng)器的生產(chǎn)成本在過(guò)去15年以來(lái)越來(lái)越價(jià)廉,因此越來(lái)越多的應(yīng)用設(shè)計(jì)傾向于采用高速壓電致動(dòng)器。壓電致動(dòng)器最初用于醫(yī)療設(shè)備,包括上世紀(jì)80年代末的手...
2020-08-22 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器運(yùn)算放大器 1260 0
電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng)U6201電源開(kāi)關(guān)芯片介紹
隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快,人們?cè)絹?lái)越重視身心健康。工作一天之后,而用按摩椅進(jìn)行保健,令你血液循環(huán)通暢,改善腰酸背痛及預(yù)防病癥,還能提...
2020-08-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFET開(kāi)關(guān)電源 5367 0
大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器PA85的性能特點(diǎn)和典型應(yīng)用分析
PA85是Apex公司生產(chǎn)的高電壓、大功率寬帶MOSFET運(yùn)算放大器,它在安全操作區(qū)(SOA)沒(méi)有二次擊穿的限制,通過(guò)選擇合適的限流電阻可在任何負(fù)載下選...
2020-08-19 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體運(yùn)算放大器 7708 0
安森美半導(dǎo)體門極驅(qū)動(dòng)器方案的快速評(píng)估和測(cè)試解決方案
這些板設(shè)計(jì)為直接插入基板或易于替換為現(xiàn)有的應(yīng)用板。圖3顯示了幾種架構(gòu),其中迷你驅(qū)動(dòng)器板已連接以驅(qū)動(dòng)采用TO-247封裝的開(kāi)關(guān)。
在當(dāng)前的電子系統(tǒng)中,負(fù)電源正在消失,正電源電壓也在逐漸降低。這種趨勢(shì)使得軌到軌放大器日益流行。盡管電源電壓在不斷地改變,但信號(hào)電平通常保持不變。例如,標(biāo)...
20世紀(jì)70年代出現(xiàn)了世界性的能源危機(jī),電力電子技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效能變換和控制,其發(fā)展為節(jié)約能源做出了巨大貢獻(xiàn)。在電能傳輸與轉(zhuǎn)換(包括綠色電源產(chǎn)品)中...
2020-08-14 標(biāo)簽:集成電路mosfet開(kāi)關(guān)電源 5486 0
采用MOSFET器件實(shí)現(xiàn)模擬平方根計(jì)算裝置的設(shè)計(jì)
在儀表和測(cè)量系統(tǒng)中廣泛使用了平方根計(jì)算電路,例如:用于計(jì)算任意波形rms (均方根)等任務(wù)。因此,設(shè)計(jì)師需要有一種高效的模擬平方根計(jì)算裝置。由于制造商常...
SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。
新一代SiC MOSFET設(shè)計(jì)功率變換器在雪崩狀態(tài)的魯棒性評(píng)估
本文探討了在SiC MOSFET應(yīng)用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件。
轉(zhuǎn)換器外圍器件的爭(zhēng)取選擇和布局方案分析
去數(shù)十年來(lái),電子產(chǎn)品的發(fā)展可謂一日千里。以個(gè)人通信設(shè)備為例,由最初的奢侈品到現(xiàn)在的廣泛普及,電子產(chǎn)品無(wú)論從重量、體積還是效率,都有了翻天覆地的變化。但是...
2020-08-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet封裝 757 0
微控制器PWM外設(shè)及其目標(biāo)負(fù)載的同步與防止相位延遲方案
大多數(shù)微控制器至少有一個(gè)脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 外設(shè),以方波形式生成多個(gè)波形。這些 PWM 輸出可用于驅(qū)動(dòng)同步負(fù)載,例如機(jī)械系統(tǒng)中的步進(jìn)電機(jī)和電源轉(zhuǎn)換...
部分耗盡SOI器件新體接觸技術(shù)可有效克服MOSFET中的浮體效應(yīng)
SOI技術(shù)帶來(lái)器件和電路性能提高的同時(shí)也不可避免地帶來(lái)了不利的影響,其中最大的問(wèn)題在于部分耗盡SOI器件的浮體效應(yīng)。當(dāng)器件頂層Si膜的厚度大于最大耗盡層...
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