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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率開(kāi)關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開(kāi)關(guān)頻率的值。Qg請(qǐng)參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書(shū)。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測(cè),或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書(shū)。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4402 0
一般情況下,技術(shù)規(guī)格書(shū)的標(biāo)準(zhǔn)值(即IC參數(shù)的值)中,包括最小值、典型值、最大值。有些參數(shù)只有最小值或最大值,或只有典型值,并非所有的參數(shù)都具備這三種值。
探討功率開(kāi)關(guān)各部位傳導(dǎo)損耗計(jì)算方法
在實(shí)際的計(jì)算中重要的是:導(dǎo)通電阻的值根據(jù)Io值中的導(dǎo)通電阻來(lái)計(jì)算。一般情況下在MOSFET的技術(shù)規(guī)格書(shū)中會(huì)給出導(dǎo)通電阻RDS(ON)和IDS的曲線圖,可...
2020-04-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率開(kāi)關(guān) 2301 0
開(kāi)關(guān)電源的同步與非同步整流特點(diǎn)分析
當(dāng)續(xù)流二極管正向?qū)〞r(shí),輸出電流變化,二極管的正向壓降是恒定不變的,鍺管的壓降為0.3V,硅管的壓降為0.7V。
2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源續(xù)流二極管 4503 0
英飛凌CoolSiC? MOSFET滿足高性能三相逆變焊機(jī)的設(shè)計(jì)需求
在220V單相家用便攜式焊機(jī)應(yīng)用中,大部分設(shè)計(jì)是使用650V IGBT單管制作逆變電源,開(kāi)關(guān)頻率最高可以到50kHz,如果采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),開(kāi)關(guān)頻率還能更...
DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET設(shè)計(jì)
DC/DC 開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器DCDC 6008 0
超低待機(jī)功耗DC-DC控制器芯片實(shí)現(xiàn)同級(jí)最佳的EMI效能
推薦一款2A 同步直流對(duì)直流降壓轉(zhuǎn)換器,提供領(lǐng)先同類產(chǎn)品的 EMI 效能,涵蓋各種輸入及輸出電壓。這類裝置非常適合多項(xiàng)產(chǎn)品應(yīng)用,其中包括家電用品、工業(yè)電...
2020-06-08 標(biāo)簽:MOSFETemi降壓轉(zhuǎn)換器 3973 0
三柵極的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及對(duì)高性能FPGA性能的影響以及
2013年2月,Altera公司與Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA產(chǎn)品的生產(chǎn)將獨(dú)家采用Intel的14nm 3D Tri-Ga...
采用采用反激轉(zhuǎn)換器如何消除米勒效應(yīng)
設(shè)計(jì)電源時(shí),工程師常常會(huì)關(guān)注與MOSFET導(dǎo)通損耗有關(guān)的效率下降問(wèn)題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下, 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)下工作時(shí),若選...
2020-01-03 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器mosfet 4225 0
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因?yàn)槿鏜OSFET有個(gè)柵極電容,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)...
2020-01-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)二極管柵極驅(qū)動(dòng)器 2.1萬(wàn) 0
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)幾個(gè)方面的不同
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
基于MOSFET和IGBT器件在電機(jī)控制應(yīng)用中的選擇
長(zhǎng)期以來(lái),發(fā)動(dòng)機(jī)控制一直處于研究和開(kāi)發(fā)活動(dòng)的前沿,其目標(biāo)是在兩個(gè)層面上找到有效和高效的微電子解決方案,一個(gè)是計(jì)算軟件,另一個(gè)是可以在微電子層次集成的電力...
2020-01-30 標(biāo)簽:mosfet電動(dòng)機(jī)igbt 4342 0
如何通過(guò)提升開(kāi)關(guān)電源的EMI特性來(lái)改善整個(gè)電路的EMI性能
開(kāi)關(guān)電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上,由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感,開(kāi)關(guān)頻率越高,這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略。
2019-11-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源emi 2175 0
電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換——如何驅(qū)動(dòng)電路中的電磁閥
在許多自動(dòng)化處理系統(tǒng)中,電磁閥是很常見(jiàn)的致動(dòng)器之一。電磁閥的種類有許多種,比如用于供水開(kāi)關(guān)或燃?xì)夤艿赖龋€有的電磁閥活塞則單純用于線性的活塞運(yùn)動(dòng)。
2019-10-30 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)電磁閥 119 0
鋰電池的特性分類與應(yīng)用范圍及使用注意事項(xiàng)等基本知識(shí)詳細(xì)概述
便攜式電子產(chǎn)品以電池作為電源。隨著便攜式產(chǎn)品的迅猛發(fā)展,各種電池的用量大增,并且開(kāi)發(fā)出許多新型電池。除大家較熟悉的高性能堿性電池、可充電的鎳鎘電池、鎳氫...
高頻開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)及系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成
高頻開(kāi)關(guān)電源(也稱為開(kāi)關(guān)型整流器SMR)通過(guò)MOSFET或IGBT的高頻工作,開(kāi)關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2019-09-09 標(biāo)簽:蓄電池mosfet高頻開(kāi)關(guān)電源 9745 0
boost升壓電路是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)直流升壓電路,它通過(guò)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)控制電感儲(chǔ)存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。
2019-09-04 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源電感 9.8萬(wàn) 0
長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實(shí)現(xiàn)
內(nèi)燃機(jī) (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對(duì)動(dòng)力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),以支持高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動(dòng)車窗、車門(mén)和后視鏡、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)...
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